公开(公告)号：CN101395305A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007680.8

申请日：2007-03-05

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  丰田合成株式会社

Inventor： 岩井真 ,  下平孝直 ,  东原周平 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  山崎史郎 ,  平田宏治

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B9/10 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/063

Abstract: 单晶的生长方法是，在含氮非氧化性气氛下，通过使原料在容器1内熔融而生长单晶时，在使搅拌介质12与混合熔液10接触的状态下，一边摇动容器1，一边生长单晶，其中所述搅拌介质12由和该混合熔液10为非反应性的材质所形成的固形物形成。

公开(公告)号：CN1958886A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610137998.5

申请日：2006-11-01

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 山崎史郎 ,  平田宏治 ,  今井克宏 ,  岩井真 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  山田祐嗣

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00 ,  H01L21/208

Abstract: 本发明提供一种用于生产III族氮化物化合物半导体晶体的方法，该半导体晶体通过利用助熔剂的助熔剂法而生长。在其上将生长半导体晶体的至少部分衬底由助熔剂可溶材料制成。当半导体晶体在衬底表面上生长时，助熔剂可溶材料从与生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。作为替代方案，在半导体晶体已经在衬底表面上生长之后，助熔剂可溶材料从与已经生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。助熔剂可溶材料由硅形成。作为替代方案，助熔剂可溶材料或衬底由III族氮化物化合物半导体形成，所述III族氮化物化合物半导体具有比所生长的半导体晶体更高的位错密度。