公开(公告)号：CN1272853C

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN03153462.7

申请日：2003-08-13

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永直记 ,  世良贤二 ,  高桥美朝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78624

Abstract: 提供了一种薄膜半导体器件，其包括在玻璃衬底上形成的具有不同驱动电压的多个薄膜晶体管TFT，其中在多个薄膜晶体管的各驱动电压处的栅极绝缘膜的电场在大约1MV/cm至2MV/cm的范围内，并且p-型薄膜晶体管TFT的漏极浓度在大约3E+19/cm3至1E+20/cm3的范围内。

公开(公告)号：CN1484315A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03153462.7

申请日：2003-08-13

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永直记 ,  世良贤二 ,  高桥美朝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78624

Abstract: 提供了一种薄膜半导体器件，其包括在玻璃衬底上形成的具有不同驱动电压的多个薄膜晶体管TFT，其中在多个薄膜晶体管的各驱动电压处的栅极电场在大约1MV/cm至2MV/cm的范围内，并且p－型薄膜晶体管TFT的漏极浓度在大约3E+19/cm3至1E+20/cm3的范围内。