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公开(公告)号：CN112992823A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911304165.7
申请日：2019-12-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种微凸点连接结构，其中，微凸点连接结构的微凸点包括用于维持微凸点的预设高度的支撑结构。该支撑结构在电子元件的电极和微凸点的对接过程中，微凸点挤压到一定程度后能够阻止该微凸点的进一步的挤压，从而减小了微凸点的横向溢出，进而减小了相邻的微凸点之间发生短路的可能性。
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公开(公告)号：CN108242466A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611218533.2
申请日：2016-12-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种场发射器件，包括叠层设置的衬底和缓冲层；缓冲层上设置有发射极层，发射极层包括依次叠层设置的第一半导体层和第二半导体层；缓冲层上还设置有使发射极层嵌入其中的离子注入层，离子注入层具有一缺口，以使发射极层的发射端面从缺口处暴露出，发射端面包括相互邻接的至少部分第一半导体层的端面以及至少部分第二半导体层的端面；离子注入层的缺口处设置有集电极层，集电极层的端面与发射端面相对并且两者之间具有沟道；发射极层上还依次叠层设置有栅介质层和栅极。该场发射器件是一种具有横向结构、且具有纳米空气沟道的场发射器件，该场发射器件通过栅极实现了场发射器件的开关控制。本发明还提供了上述场发射器件的制作方法。
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公开(公告)号：CN105633008A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410624296.4
申请日：2014-11-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种铟柱及其制备方法，所述制备方法包括：A、在芯片(10)上涂布光刻胶层(20)；B、在光刻胶层(20)上形成沉积孔(21)；C、依次沉积金属和铟，在光刻胶层(20)上依次形成底金属层(30)和铟层(41)，并在沉积孔(21)内依次形成底金属层(30)和铟柱(42)；D、去除光刻胶层(20)以及位于其上的底金属层(30)和铟层(41)。所述制备方法可缩短铟柱制备的工艺时间，提高工作效率；同时还可避免器件中的砷化镓等易碎样品的碎裂，提高铟柱成品率。本发明还公开了根据该制备方法制备的铟柱在红外焦平面阵列探测器中的应用，所述铟柱可避免湿法剥离工艺造成的像元短路等问题，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN103296578B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310219185.0
申请日：2013-06-04
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明涉及半导体制备技术，尤其是提供一种解理装置，用于将半导体巴条解理为若干个芯片，其包括：一负压源，以及，一吸附腔体，通过一连接管与所述负压源连接；所述吸附腔体包括第一上盖和第二上盖，所述第一上盖与所述第二上盖成一夹角相互支撑形成脊部；所述第一上盖、第二上盖分别设有若干个通孔与跨设于所述第一上盖、第二上盖上的巴条对应，通过所述吸附腔体对巴条的吸附力，实现巴条以脊部为支点进行自然解理。本通过吸附作用对芯片结构面实现非接触式解理，可保护样品表面的结构不被损坏和提高良率。
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公开(公告)号：CN103233209B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310138813.2
申请日：2013-04-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种样品架，包括用于承载样品的样品放置架、用于调节样品表面的一选定点与蒸发源距离的距离调节机构、以及用于调节蒸发源的表面法线与蒸发源和样品表面的一选定点的连线之间的夹角的角度调节机构。距离调节机构经一中空固定架与角度调节机构固定连接，样品放置架经角度调节机构与中空固定架固定连接。距离调节机构可通过伸缩机构调节样品与蒸发源的距离及其在轴向上的稳定性，角度调节机构利用丝杆螺母配合调节角度值，并由刻度盘和刻度指针显示所调节角度值。本发明结构简单，能够与现有的蒸镀样品架及膜厚控制系统兼容，满足蒸镀工艺均匀性与蒸发速率可控性的要求，节省蒸发材料，降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119864282A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411938743.3
申请日：2024-12-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请提供了一种超薄垫片及其制造方法、芯片互连方法，制造方法包括：对原始垫片的分离槽区域进行第一次刻蚀；对原始垫片的第一台阶区域和分离槽区域同时进行第二次刻蚀；对原始垫片的第二台阶区域、第一台阶区域、分离槽区域同时进行第三次刻蚀，以在第一台阶区域形成第一台阶，在第二台阶区域形成第二台阶，分离槽区域被完全刻蚀以使原始垫片分成至少两个超薄垫片，每个超薄垫片中的具有高度不同的第一台阶和第二台阶。在进行芯片互连时，超薄垫片的各个台阶承载各个堆叠的芯片，一方面可以通过设置台阶的不同高度来控制芯片间距，另一方面各个台阶可以起到支撑辅助作用，承受芯片贴装压力，避免裂片风险。
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公开(公告)号：CN108242466B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201611218533.2
申请日：2016-12-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种场发射器件，包括叠层设置的衬底和缓冲层；缓冲层上设置有发射极层，发射极层包括依次叠层设置的第一半导体层和第二半导体层；缓冲层上还设置有使发射极层嵌入其中的离子注入层，离子注入层具有一缺口，以使发射极层的发射端面从缺口处暴露出，发射端面包括相互邻接的至少部分第一半导体层的端面以及至少部分第二半导体层的端面；离子注入层的缺口处设置有集电极层，集电极层的端面与发射端面相对并且两者之间具有沟道；发射极层上还依次叠层设置有栅介质层和栅极。该场发射器件是一种具有横向结构、且具有纳米空气沟道的场发射器件，该场发射器件通过栅极实现了场发射器件的开关控制。本发明还提供了上述场发射器件的制作方法。
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公开(公告)号：CN104465896A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310432249.5
申请日：2013-09-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0066
Abstract: 本发明提供的蓝宝石图形化衬底的制备方法，通过在所述蓝宝石衬底上旋涂一层光刻胶，并对带有光刻胶的蓝宝石衬底进行前烘处理后，在所述光刻胶上分别形成亚微米结构且相互垂直的第一光栅图形及第二光栅图形，再对经上述步骤处理后蓝宝石衬底进行显影处理，得到点阵结构周期图形样品，将所述点阵结构周期图形样品进行后烘、干法刻蚀、清洗后得到所述蓝宝石图形化衬底。通过本发明提供的蓝宝石图形化衬底的制备方法，能够制备得到亚微米级的图形化蓝宝石衬底，从而可以提高GaN基LED的外延质量和光提取效率。
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公开(公告)号：CN114725235A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210357899.7
申请日：2022-04-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L27/144 , H01L31/18 , H04B10/60 , H04B10/40
Abstract: 本申请揭示了一种双极性响应多波长光电探测器、其制作方法及应用。所述光电探测器包括第一半导体层、第二半导体层、第一电极及第二电极，所述第二半导体层与第一半导体层配合形成具有耗尽区的结构，所述第一电极、第二电极分别与第一半导体层、第二半导体层电性连接。当分别以第一波长域的光、第二波长域的光照射所述光电探测器时，所述光电探测器内能够形成不同极性的电流。本申请的光电探测器在工作时无需额外电源，能耗低，且对不同颜色的光具有可区分性，当应用于光通信系统时，能大幅简化系统结构，提高系统集成度，显著减少系统体积，优化信号传输效率，同时该光电探测器可以利用可控的半导体工艺高效制备。
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公开(公告)号：CN107346720B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201610288516.X
申请日：2016-05-04
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开一种场发射器件，包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层，其中，所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质，可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度，而且，由于所述集电极采用的是金属材质，在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜，简化了工艺、降低了成本、提高了性能。
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