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公开(公告)号：CN1756076A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510105173.0
申请日：2005-09-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H03H9/54
CPC classification number: H03H9/564 , H03H7/18 , H03H7/46 , H03H9/0571 , H03H9/706
Abstract: 双工器包括：第一和第二滤波器，包括按梯型形式布置的多个膜体声学谐振器；第一和第二集成无源器件，置于公共端子与第一和第二滤波器之间；以及基板，第一和第二滤波器以及第一和第二集成无源器件安装在其上。该基板包括用于实现连接在第一和第二滤波器与地之间的电感的导电图案。第一和第二集成无源器件包括连接到第一和第二滤波器的电感器。
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公开(公告)号：CN101064500B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710107701.5
申请日：2007-04-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供了一种滤波器和双工器，该滤波器包括：压电薄膜谐振器，所述压电薄膜谐振器具有基板、由所述基板支承的下部电极、设在所述下部电极上的压电膜、以及设在所述压电膜上的上部电极。所述压电薄膜谐振器中的至少一个压电薄膜谐振器具有其中所述上部电极隔着所述压电膜与所述下部电极交叠的部分。上述部分的形状与其他压电薄膜谐振器的相应部分的形状不同，从而所述压电薄膜谐振器中的上述至少一个压电薄膜谐振器中的寄生成分在与所述其他压电薄膜谐振器中出现寄生成分的频率不同的频率处出现。
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公开(公告)号：CN100576734C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610137474.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供了压电薄膜谐振器及滤波器。该压电薄膜谐振器包括构建于基板上的下电极，在该下电极和基板之间限定了圆形穹状空腔；设置于下电极之上的压电膜，以及设置于压电膜上的上电极。隔膜区域是下电极和上电极隔着压电膜的交叠区域，空腔在所述基板上的投影区域包含了该隔膜区域。
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公开(公告)号：CN100557969C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710107742.4
申请日：2007-04-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供了一种压电薄膜谐振器和采用该压电薄膜谐振器的滤波器。该压电薄膜谐振器包括基板、设在所述基板上的下部电极、设在所述下部电极上的压电膜以及上部电极，该上部电极设在所述压电膜上，以便具有隔着所述压电膜与所述下部电极交叠的部分。所述压电膜在谐振部分中的外端比其中所述上部电极和所述下部隔着所述压电膜彼此交叠的相对区域的外端更靠内，并且所述谐振部分是其中所述上部电极和所述下部电极隔着所述压电膜彼此交叠的部分。
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公开(公告)号：CN100474766C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410087742.9
申请日：2004-10-20
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H9/02133 , H03H9/132 , H03H9/564 , H03H9/568
Abstract: 本发明提供压电薄膜谐振器以及使用其的滤波器。压电薄膜谐振器包括：基板；设置在基板上的下电极；设置在下电极上的压电膜；以及设置在压电膜上的上电极，在所述基板中设置有一空腔，该空腔在所述上电极隔着所述压电膜与所述下电极相交叠的区域中位于所述下电极下方，所述区域和所述空腔的横截面具有椭圆形状，且满足1＜a/b＜1.9，其中a为该椭圆形的主轴，b为其副轴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1956324A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610137474.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供了压电薄膜谐振器及滤波器。该压电薄膜谐振器包括构建于基板上的下电极，在该下电极和基板之间限定了圆形穹状空腔；设置于下电极之上的压电膜，以及设置于压电膜上的上电极。隔膜区域是下电极和上电极隔着压电膜的交叠区域，空腔在所述基板上的投影区域包含了该隔膜区域。
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公开(公告)号：CN1862959A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610080180.4
申请日：2006-05-10
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 一种压电薄膜谐振器，包括：形成于衬底上的下电极，形成于所述下电极上的压电膜，以及形成于所述压电膜上的上电极。在所述的压电薄膜谐振器中，所述上电极具有比下电极更厚的膜厚。
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公开(公告)号：CN1449038A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03108709.4
申请日：2003-03-28
Applicant: 富士通媒体器件株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/1014 , H03H9/0523 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H9/6483
Abstract: 一种滤波器芯片包括：多个串联分路谐振器，配置在梯形配置的串联分路上；以及多个并联分路谐振器，配置在梯形配置的并联分路上。公用线连接到多个并联分路谐振器中至少两个并联分路谐振器的第一电极。所述至少两个并联分路谐振器的第二电极连接到多个串联分路谐振器中的相关串联分路谐振器。
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公开(公告)号：CN100594674C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200410057295.2
申请日：2004-08-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023
Abstract: 本发明涉及膜体声学谐振器及其制造方法。该膜体声学谐振器包括：形成在基板的主表面上的压电薄膜；以及被布置为夹着所述压电薄膜的下电极和上电极。在该膜体声学谐振器中，所述压电薄膜由氮化铝制成，并且所述上电极和所述下电极中的至少一个由钌或者包含钌为主要成分的钌合金制成，所述下电极直接暴露于形成在所述下电极下方的空腔。
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公开(公告)号：CN100505531C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510117007.2
申请日：2005-10-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02149 , H03H9/02118 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H2003/0428
Abstract: 压电薄膜谐振器及使用该压电薄膜谐振器的滤波器。一种压电薄膜谐振器，其包括：基板；形成在该基板上的下电极；形成在该下电极和基板上的压电薄膜；以及形成在该压电薄膜上的上电极，该压电薄膜部分地插入在彼此相对的下电极和上电极之间。在这种压电薄膜谐振器中，插入在该上电极和下电极之间的压电薄膜的外部周边的至少一部分与由彼此相对的上电极和下电极形成的区域的外部周边相交叠。
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