-
公开(公告)号：CN1956324A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610137474.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供了压电薄膜谐振器及滤波器。该压电薄膜谐振器包括构建于基板上的下电极，在该下电极和基板之间限定了圆形穹状空腔；设置于下电极之上的压电膜，以及设置于压电膜上的上电极。隔膜区域是下电极和上电极隔着压电膜的交叠区域，空腔在所述基板上的投影区域包含了该隔膜区域。
-
公开(公告)号：CN1862959A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610080180.4
申请日：2006-05-10
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 一种压电薄膜谐振器，包括：形成于衬底上的下电极，形成于所述下电极上的压电膜，以及形成于所述压电膜上的上电极。在所述的压电薄膜谐振器中，所述上电极具有比下电极更厚的膜厚。
-
公开(公告)号：CN100594674C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200410057295.2
申请日：2004-08-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023
Abstract: 本发明涉及膜体声学谐振器及其制造方法。该膜体声学谐振器包括：形成在基板的主表面上的压电薄膜；以及被布置为夹着所述压电薄膜的下电极和上电极。在该膜体声学谐振器中，所述压电薄膜由氮化铝制成，并且所述上电极和所述下电极中的至少一个由钌或者包含钌为主要成分的钌合金制成，所述下电极直接暴露于形成在所述下电极下方的空腔。
-
公开(公告)号：CN100505531C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510117007.2
申请日：2005-10-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02149 , H03H9/02118 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H2003/0428
Abstract: 压电薄膜谐振器及使用该压电薄膜谐振器的滤波器。一种压电薄膜谐振器，其包括：基板；形成在该基板上的下电极；形成在该下电极和基板上的压电薄膜；以及形成在该压电薄膜上的上电极，该压电薄膜部分地插入在彼此相对的下电极和上电极之间。在这种压电薄膜谐振器中，插入在该上电极和下电极之间的压电薄膜的外部周边的至少一部分与由彼此相对的上电极和下电极形成的区域的外部周边相交叠。
-
公开(公告)号：CN101083460A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710105462.X
申请日：2007-05-31
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H03H9/54
CPC classification number: H03H9/605 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/02141 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供具有多个压电薄膜谐振器的滤波器。所述多个压电薄膜谐振器各自具有：基板、形成在所述基板上的下电极、形成在所述下电极上的压电膜、以及隔着所述压电膜与所述下电极彼此相对地设置在所述压电膜上的上电极。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第一谐振器：所述第一谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分比所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部更靠外。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第二谐振器：所述第二谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分与所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部基本一致，或者比所述区域的外侧曲部更靠内。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1805276A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610000593.7
申请日：2006-01-11
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H2003/021
Abstract: 压电薄膜谐振器以及使用该压电薄膜谐振器的滤波器。压电薄膜谐振器包括形成在器件基板上的膜叠层，所述膜叠层包括下电极、设置在器件基板和下电极上的压电膜、以及设置在压电膜上的上电极。上电极和下电极具有从上电极隔着压电膜与下电极交叠处的隔膜延伸的电极引出部分，上电极和下电极的电极引出部分中的至少一个的宽度比该隔膜的宽度窄。
-
公开(公告)号：CN1610254A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410087742.9
申请日：2004-10-20
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H9/02133 , H03H9/132 , H03H9/564 , H03H9/568
Abstract: 压电薄膜谐振器以及使用其的滤波器。压电薄膜谐振器包括：基板；设置在基板上的下电极；设置在下电极上的压电膜；以及设置在压电膜上的上电极。上电极隔着压电膜与下电极相交叠的区域具有椭圆形状，且满足1＜a/b＜1.9的条件，其中a为该椭圆形状的主轴，b为其副轴。
-
公开(公告)号：CN1592100A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410057295.2
申请日：2004-08-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023
Abstract: 膜体声学谐振器及其制造方法。一种膜体声学谐振器包括：形成在一基板的主表面上的一压电薄膜；以及一下电极和一上电极，其被布置得夹着所述压电薄膜。在该膜体声学谐振器中，所述压电薄膜由氮化铝制成，并且所述上电极和所述下电极中的至少一个包含一钌或钌合金层。
-
公开(公告)号：CN105281701B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510440980.1
申请日：2015-07-24
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/15
CPC classification number: H03H9/706 , H03H3/04 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/205 , H03H9/54 , H03H9/605 , H03H2003/0428
Abstract: 本发明涉及一种滤波器和一种双工器。该滤波器包括：多个压电薄膜共振器，每个所述压电薄膜共振器包括：基板；压电膜，该压电膜位于基板上；下电极和上电极，该下电极和上电极在所述压电膜的至少一部分的两侧彼此面对；以及插入膜，该插入膜插入压电膜中，位于共振区域内的外周区域的至少一部分中，并且不位于共振区域的中心区域中，该共振区域是这样的区域，在该区域中下电极和上电极在所述压电膜的两侧彼此面对，其中，压电薄膜共振器中的至少两个压电薄膜共振器具有的共振区域内的插入膜的宽度不同。
-
公开(公告)号：CN105281701A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510440980.1
申请日：2015-07-24
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/15
CPC classification number: H03H9/706 , H03H3/04 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/205 , H03H9/54 , H03H9/605 , H03H2003/0428
Abstract: 本发明涉及一种滤波器和一种双工器。该滤波器包括：多个压电薄膜共振器，每个所述压电薄膜共振器包括：基板；压电膜，该压电膜位于基板上；下电极和上电极，该下电极和上电极在所述压电膜的至少一部分的两侧彼此面对；以及插入膜，该插入膜插入压电膜中，位于共振区域内的外周区域的至少一部分中，并且不位于共振区域的中心区域中，该共振区域是这样的区域，在该区域中下电极和上电极在所述压电膜的两侧彼此面对，其中，压电薄膜共振器中的至少两个压电薄膜共振器具有的共振区域内的插入膜的宽度不同。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
61
records
(took 0.039 seconds)
