-
公开(公告)号:CN104167370B
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201410142784.1
申请日:2014-04-10
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种能够降低对树脂壳体与端子进行一体设置的半导体装置的制造成本的半导体装置制造方法及半导体装置。半导体装置(10)包括设有多个具有脚部(17a)的端子(17)的树脂壳体(15)。在制造该树脂壳体(15)时,作为对树脂壳体(15)进行成型的模具(20),使用设有用于将多个端子(17)分别固定到规定位置上的突起(21a)的模具(20)。将多个端子(17)分别与该突起(21a)相匹配地保持在模具(20)内,并在该模具(20)中注入树脂,对多个端子(17)和树脂壳体(15)进行一体成型。
-
公开(公告)号:CN103733333B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201280039469.5
申请日:2012-09-03
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L23/055 , H01L21/52 , H01L23/049 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4911 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置由金属基底(6),与金属基底(6)相接合的布线基板(2),与布线基板(2)的电路图案(2a、2b)相接合的半导体芯片(1)及控制端子(5),以及与金属基底(6)相粘接的树脂壳体(20)构成。控制端子(5)由贯通树脂壳体(20)的盖部(21)的贯通部(5a),与贯通部(5a)相连的联结部(5b),以及与联结部(5b)相连的连接部(5c)构成。在控制端子(5)的贯通盖部(21)的部分上设有阻止部(5d)及切除部(5e)。阻止部(5d)与形成在盖部(21)的表面的阶梯部(21b)相接触。当贯通部(5a)贯通树脂壳体(20)的盖部(21)时,阻止部(5d)被收纳在切除部(5e)内。联结部(5b)与设置在盖部(21)的背面的凸部(21c)相接触。
-
公开(公告)号:CN103210489B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201180054787.4
申请日:2011-08-19
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H05K1/181 , H01L23/043 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K1/02 , H05K1/18 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 电源模块(100)由金属基底(1)、连接至金属基底(1)的绝缘衬底(2)、连接至绝缘衬底(2)的电路图案的半导体芯片和控制端子(6)、以及接合至金属基底(1)的树脂外壳(7)所构成。该控制端子(6)包括贯穿树脂外壳(7)的盖(9)的贯穿部(6a)、连接至贯穿部(6a)的L-形成型部(6b)、和连接至L-形成型部(6b)的连接部(6c)。在控制端子(6)的部分中设置突出部(10),其贯穿盖(9)。该突出部(10)与被配置在盖(9)的表面上的突出接收部(9b)相接触。L-形成型部(6b)与设置在盖(9)的后表面上的凸起部(9c)接触。藉此,当连接器安装到控制端子(6)或从控制端子(6)上移除时,防止应力被传输至绝缘衬底(2),且可提供具有高绝缘强度的高度可靠的半导体装置。
-
-