公开(公告)号：CN114182341B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202111581945.3

申请日：2021-12-22

Applicant: 季华实验室

Inventor： 毛朝斌 ,  罗骞 ,  黄吉裕 ,  胡承 ,  王慧勇

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，特别涉及一种高纯度晶体生长系统及方法，其包括：真空腔；反应室，其包括腔体和顶盖；加热组件；第一升降组件，与上述顶盖固定连接，用于驱动上述顶盖升降；供气组件，安装在上述真空腔上，用于使上述真空腔内产生自上向下的气流；控制器，与上述加热组件、上述第一升降组件和上述供气组件电性连接，用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度，还用于在上述反应室内的温度达到除杂温度时，控制上述供气组件产生自上向下的气流和控制上述第一升降组件驱动上述顶盖上升，还用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度至晶体生长温度以进行晶体生长；在晶体生长前先对反应粉料进行除杂，有效地提高晶体的纯度。

公开(公告)号：CN113774478A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111088462.X

申请日：2021-09-16

Applicant: 季华实验室

Inventor： 戴科峰 ,  仇礼钦 ,  唐卓睿 ,  黄吉裕 ,  罗骞

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延设备的反应工况调节方法、装置、系统及电子设备，其中，所述方法包括以下步骤：实时获取所述外延设备的反应室的尾气浓度信息；根据所述尾气浓度信息调节所述反应室内的温度和/或所述反应室内反应气体的流量；该方法实时获取的尾气浓度信息能反映出反应室内晶体生长情况，该方法根据实时获取的尾气浓度信息调节温度和/或反应气体的流量能改变反应工况，能及时地进行反应室内反应工况的动态反馈调节，以使反应室内的晶体生长情况满足预期需求。