公开(公告)号：CN1601702A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410032489.7

申请日：2004-04-09

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 ,  国际商业机器公司 ,  联华电子股份有限公司

Inventor： K·川恩达 ,  L·柯利文格尔 ,  A·考利 ,  方隼飞 ,  S·格利高 ,  A·H·西蒙 ,  T·斯布恩尔 ,  王允愈 ,  杨智超

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/443

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865

Abstract: 本发明系提供一种在一单一沉积反应室中制造半导体装置之方法，而其中该半导体装置系具有一介电结构，而在该介电结构之上系为使用微影以及蚀刻技术而被选择性地图案化之互连结构。在溅镀蚀刻程序之前，该介电结构系可藉由扩散阻障材质而被选择性地加以覆盖。此溅镀蚀刻程序系用于移除在底下之金属导体表面的原生氧化物，并且包括同时执行之方向性气体轰击以及中性金属沉积。扩散阻障材质亦可以被沉积进入该图案之中。