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公开(公告)号：CN103022114B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210432069.2
申请日：2012-11-02
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种IGBT芯片及其设计方法，具体涉及一种基于截止环的高压大功率IGBT芯片及其设计方法。截止环分布在终端基本单元及划片槽区域之间，用于与多晶场板或金属场板形成等电位，切断IGBT芯片表面漏电沟道，减少IGBT表面漏电；所述截止环应用在电网高压大功率的IGBT芯片中。本发明电网应用大功率IGBT截止环设计方法，将传统快恢复二极管的终端截止环设计应用于高压大功率IGBT芯片设计，工艺简单，适用不同终端结构IGBT芯片的设计，可行性强。
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公开(公告)号：CN102840160B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210369735.2
申请日：2012-09-28
Applicant: 江苏省电力公司常州供电公司 , 江苏省电力公司 , 国家电网公司
CPC classification number: Y02E40/12
Abstract: 本发明涉及一种风冷控制装置，包括：温度检测传感器、若干风扇、与所述温度检测传感器相连的适于根据外界温度高低控制相应数量的风扇工作的PLC模块。本发明利用PLC模块代替传统的继电器电路，避免了繁琐的接线以及继电器故障率高的缺陷；根据温度进行风扇数量的控制，在温度较低的冬天可以不启动风扇或者少量的风扇，温度较高的夏天就需要启动全部的风扇散热，节约了大量的电能，也延长了电机的寿命。
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公开(公告)号：CN103579322A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310562571.X
申请日：2013-11-13
IPC: H01L29/739 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/05552 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件及其制造方法。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本发明加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。
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公开(公告)号：CN103035694A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210513798.0
申请日：2012-12-04
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及电力电子领域的功率器件及其制造方法，具体涉及一种具有终端保护结构的IGBT芯片及其制造方法，终端保护结构包括P型连续场限环结构和多级场板结构；将所述P型连续场限环结构与多级场板结构通过接触孔电极互连结构和金属电极互连结构进行等电位连接。制造方法包括下述步骤：（一）制作IGBT芯片P型连续场限环结构；（二）制作IGBT芯片场氧化膜结构；（三）制作IGBT芯片栅极结构和多级场板部分结构；（四）制作IGBT芯片有源区结构和P型连续场限环的延伸结构；（五）制作IGBT芯片电极互连结构；（六）制作IGBT芯片钝化保护结构；（七）制作IGBT芯片背面结构。本发明在能够保证600V至6500V的IGBT器件耐压性能的同时，还缩小终端保护区域的面积，降低成本。
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公开(公告)号：CN103022114A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210432069.2
申请日：2012-11-02
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种IGBT芯片及其设计方法，具体涉及一种基于截止环的高压大功率IGBT芯片及其设计方法。截止环分布在终端基本单元及划片槽区域之间，用于与多晶场板或金属场板形成等电位，切断IGBT芯片表面漏电沟道，减少IGBT表面漏电；所述截止环应用在电网高压大功率的IGBT芯片中。本发明电网应用大功率IGBT截止环设计方法，将传统快恢复二极管的终端截止环设计应用于高压大功率IGBT芯片设计，工艺简单，适用不同终端结构IGBT芯片的设计，可行性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102840160A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210369735.2
申请日：2012-09-28
Applicant: 江苏省电力公司常州供电公司 , 江苏省电力公司 , 国家电网公司
CPC classification number: Y02E40/12
Abstract: 本发明涉及一种风冷控制装置，包括：温度检测传感器、若干风扇、与所述温度检测传感器相连的适于根据外界温度高低控制相应数量的风扇工作的PLC模块。本发明利用PLC模块代替传统的继电器电路，避免了繁琐的接线以及继电器故障率高的缺陷；根据温度进行风扇数量的控制，在温度较低的冬天可以不启动风扇或者少量的风扇，温度较高的夏天就需要启动全部的风扇散热，节约了大量的电能，也延长了电机的寿命。
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公开(公告)号：CN107644810B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201610574275.5
申请日：2016-07-20
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L21/285 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，包括在第一金属层上方采用化学气相沉积方法形成第一薄膜层并对第一薄膜层刻蚀形成第一窗口；对第一窗口处暴露出的第一金属层进行反溅刻蚀；将第二金属层采用溅射方法生长在第一金属层和第一薄膜层形成的组合结构表面，并对第二金属层进行刻蚀；在第一薄膜层和第二金属层形成的组合结构的表面涂覆第二薄膜层，对第二薄膜层刻蚀形成用于焊接的第二窗口。与现有技术相比，本发明提供的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，不需要对现有设备进行改进、操作简单。
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公开(公告)号：CN106558624B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201510638966.2
申请日：2015-09-30
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种快速恢复二极管及其制造方法，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)；所述制造方法包括：1)初始氧化；2)形成有源区和分压环；3)形成PN结；4)多晶生长：5)寿命控制；6)多晶场板；7)形成阳极金属电极并表面钝化；8)形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag阴极金属电极。本发明制造方法利用多晶实现激光退火终端保护，避免激光退火导致终端受损以致耐压失效。
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公开(公告)号：CN108022972B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201610943892.8
申请日：2016-11-02
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；集电极淀积在N型衬底的P+集电区上；所述控制方法包括依据低通态压降IGBT的控制状态确定其工作模式。与现有技术相比，本发明提供的一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，通过控制电极的电压值有效抑制空穴流通，从而增加空穴在N‑区的存储量降低IGBT的通态损耗。
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公开(公告)号：CN109085526B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201810806709.9
申请日：2018-07-20
Applicant: 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网公司
Abstract: 本发明提供了基于电容式电压互感器的谐波测量方法、装置及系统。该方法包括如下步骤：测量电容式电压互感器的低压电容支路的电流；根据所述电流计算所述低压电容支路的谐波电流占比；根据所述电容式电压互感器一次侧的谐波电压占比与所述谐波电流占比之间的关系、所述谐波电流占比，计算得到所述谐波电压占比；根据所述电容式电压互感器一次侧的基波电压、所述谐波电压占比计算得到所述电容式电压互感器一次侧的谐波电压。本发明的整个测量系统更加简单，运算也更加简单，同时测量得到的谐波电压的准确度的精度也很高，误差远远小于标准要求。
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