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公开(公告)号：CN107297586A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710442433.6
申请日：2017-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院 , 深圳市汉尔信电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于面阵列封装用铜基非晶焊球及其制备方法及封装方法，所述用于面阵列封装用铜基非晶焊球为非晶球形Cu46Zr42Al7Y5粉末，在面阵列封装过程中，熔融Sn通过扩散反应将非晶球形Cu46Zr42Al7Y5粉末与焊盘连接起来。采用本发明的技术方案，采用铜基Cu46Zr42Al7Y5非晶焊球实现面积阵列封装互连，该材料在互连过程中并不熔化，在连接过程中只通过扩散反应达到连接的目的，焊球高度基本不发生变化，连接过程耗时短，所用焊盘并不需要镀上阻焊层和Au层，完成互连后焊球形状不发生明显变化，提高了抗高温和抗电迁移性能。
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公开(公告)号：CN106271177A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610847725.3
申请日：2016-09-23
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
CPC classification number: B23K35/22 , B23K1/06 , B23K35/262 , B23K2101/36
Abstract: 本发明提供了一种互连钎料及其互连成形方法，所述互连钎料其所应用的产品的加热工艺温度为T，所述互连钎料包含熔点大于T的组分A、熔点小于T的组分B、熔点大于T的第三相组分C；所述第三相组分C占组分A、组分B、第三相组分C的质量总和的0~30%；其中组分A与组分B之间在所述加热工艺温度下反应形成化合物AxBy；所述组分A与组分B的物质的量之比大于x/y，所述第三相组分C与组分A、组分B均不发生反应，所述第三相组分C的硬度小于组分A、组分B以及化合物AxBy的硬度。本发明的技术方案，在获得高熔点焊接接头的同时，还可通过调节钎料内各组分的比例来调节接头的杨氏模量和热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN102513720B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110437617.6
申请日：2011-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种高性能锡基钎料合金，包括锡基钎料基体和难熔硬质弥散强化相，所述高性能锡基钎料合金还包括重量百分含量为0.01%～2%的掺杂元素，所述掺杂元素为Fe、Ni、Y、Ag、Ti、Zr、Hf、Sb中的一种或几种。本发明的锡基钎料合金通过掺杂相的加入，改善了锡基钎料基体与颗粒增强相之间的界面结合性能，减少颗粒增强相在重熔时的团聚，从而力学性能得到提高。本发明还公开了高性能锡基钎料合金的制备方法。本发明方法将粉末冶金制备过程和超声辅助熔铸过程结合使颗粒增强相高度弥散均匀分布；并克服了单纯采用超声熔铸方法难以加入颗粒增强相的问题，提高了锡基钎料合金的力学性能，而且钎料重熔后其性能基本保持稳定。
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公开(公告)号：CN102151930B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110066369.9
申请日：2011-03-18
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种异质金属材料间的钎焊方法，异质金属材料包括材质不同的第一母材和第二母材，该方法包括以下步骤：将第一母材装卡在可伸缩夹具上，第二母材装卡在固定夹具上，使第一母材的、第二母材的焊接面相对并将钎料置于所述焊接面之间；在第一母材上施加相对于所述焊接面的预压力；对所述第一母材与第二母材的焊接部位局部快速加热，达到设定温度后保温；将所述预压力升至焊接压力；用超声压杆对第一母材施加相对于所述焊接面的超声振动；超声振动完成后继续保温保压，然后停止加热并继续保压至所述焊接部位冷却。本发明方法从减少层状脆性金属间化合物的形成等多方面提高了异质金属材料钎焊接头的强度。
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公开(公告)号：CN102935518A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210426581.6
申请日：2012-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种制备芯片贴装用纳米银浆的方法，包括以下几个步骤：步骤A.将还原剂和分散剂滴入硝酸银溶液中，搅拌；步骤B.将步骤A所得的溶液进行离心分离，得到上层为混合溶液，下层为沉淀的纳米银颗粒；步骤C.将步骤B分离出的纳米银颗粒用去离子水清洗后，再用电解质溶液絮凝，重新析出可进行离心分离的纳米银颗粒；步骤D.将纳米银颗粒反复进行清洗、絮凝、离心多次，最终得到水溶性纳米银浆；步骤E.将步骤D得到的纳米银浆作用于芯片与基板表面进行互连，通过热风工作台或炉中加热形成烧结接头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106271177B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610847725.3
申请日：2016-09-23
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种互连钎料及其互连成形方法，所述互连钎料其所应用的产品的加热工艺温度为T，所述互连钎料包含熔点大于T的组分A、熔点小于T的组分B、熔点大于T的第三相组分C；所述第三相组分C占组分A、组分B、第三相组分C的质量总和的0~30%；其中组分A与组分B之间在所述加热工艺温度下反应形成化合物AxBy；所述组分A与组分B的物质的量之比大于x/y，所述第三相组分C与组分A、组分B均不发生反应，所述第三相组分C的硬度小于组分A、组分B以及化合物AxBy的硬度。本发明的技术方案，在获得高熔点焊接接头的同时，还可通过调节钎料内各组分的比例来调节接头的杨氏模量和热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN105023855B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201510288396.9
申请日：2015-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L21/603 , B23K20/10
CPC classification number: H01L24/95 , H01L2224/83101
Abstract: 本发明提供了一种快速生成高熔点接头的芯片键合方法及超声压头设计。本发明设计一种特殊振动压头结构，可以实现在芯片周围施加振动，而芯片不施加压力的情况下完成Sn基钎料在Cu基板快速润湿，并且能够强化接头和提高接头服役温度。与其他形成高温互连接头的芯片的键合方法相比，该方法能够在对芯片不施加压力、较短键合时间条件下获得高焊合率、高熔点、高强度(60～80MPa)、高热导率(50～80W/(m·K))、宽服役温度范围的效果。因此，该方法获得的芯片键合接头可以在高服役温度、高强度等恶劣环境下应用，尤其适用于宽带隙半导体器件的封装工艺中。
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公开(公告)号：CN107538012A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710580948.2
申请日：2017-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种纳米线或纳米器件与纳米金属电极冶金连接的方法，其包括以下步骤：在衬底上设置至少两个纳米金属材质的电极和待焊纳米器件或纳米线，所述待焊纳米器件或纳米线设置在两个电极之间，所述电极之间的间距小于待焊纳米器件或纳米线的两端的距离；将设置好电极和待焊纳米器件或纳米线的衬底进行烧结，烧结过程中，引入红外光源或激光光源照射在连接部位上，即实现纳米器件与纳米金属电极的冶金连接。采用本发明的技术方案，利用红外光源或激光光源诱导纳米器件与电极中纳米颗粒之间形成局部的等离子共振，促进接触界面产生辅助加热效果，在低温实现纳米器件与印刷纳米金属电极的冶金连接，连接后具有更好的力学及电学性能。
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公开(公告)号：CN107538010A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710581612.8
申请日：2017-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种降低纳米金属颗粒烧结温度的方法，其包括以下步骤：在衬底上刻蚀出若干凹槽或设置凸起结构，然后再该衬底上印刷或涂覆含有纳米金属颗粒的焊料或墨水，最后进行烧结；其中，所述凹槽的深度或凸起的高度为10纳米至100微米。采用本发明的技术方案，通过改变衬底表面的微观结构促进其微观热传导行为，进而实现在较低温度实现烧结，并且能获得良好的电学和力学性能；另外，烧结温度的降低能有效保护对温度敏感的电子器件或柔性衬底，并能降低生产成本。
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公开(公告)号：CN107335879A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710472517.4
申请日：2017-06-21
Applicant: 深圳市汉尔信电子科技有限公司 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种面阵列的封装方法，其中，包括通过熔融锡将面阵列封装用的单相Cu6Sn5焊球与焊盘连接起来的；本发明采用单相Cu6Sn5球形粉末作为焊球，在连接过程中只通过扩散反应达到连接的目的，焊球的高度基本不发生变化，连接过程耗时短，参与反应的Sn量比较少，冷却比较均匀，产生的应力比较小，此外，Cu6Sn5焊球能提高焊点的抗电迁移性能以及抗高温性能，完成互连后焊球形状不发生明显变化；而且在进行封装时，所用的阵列不需镀上Ni层和和Au层，大大提高了制备阵列的效率，降低成本，节约资源。
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