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公开(公告)号：CN114784288A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210378679.2
申请日：2022-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: H01M4/66 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种用于无锂负极锂电池的复合集流体及其制备方法，属于锂离子电池材料制备技术领域。本发明解决了现有集流体表面易聚集死锂，导致无负极锂电池体系中的活性锂不足，无法支持电池运行，以及表面形成SEI膜机械性能较差，无法有效阻隔电解液和负极间的持续反应的问题。本发明以碳纸为基底，将其浸泡在含有强还原性化合物的有机溶剂中，形成复合集流体，有效提高了集流体的死锂活化和抑制能力，使得无负极锂电池体系中的活性锂资源得到了保护，进而显著地提高了电池的循环性能。
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公开(公告)号：CN114635155A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210168956.7
申请日：2022-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C25B11/091 , C25B1/02 , H01M4/86 , H01M4/88 , H01M4/90
Abstract: 本发明公开了一种自支撑核壳结构催化剂及其制备方法和应用，属于电催化材料制备技术领域。本发明解决了现有尿素氧化催化剂活性及稳定性较差的问题。本发明通过在自支撑基底上原位生长的硫化镍为核，并采用硫化物完全将硫化镍包裹住，二者形成的异质结提升了壳层材料的费米能级，提高了催化活性；且界面处的内建电场提供了一个较高的电子势垒，阻止了电子进入核部分，对硫化镍进行了保护，在电化学反应中结构不会被破坏，保证催化剂可以长时间工作，实现了催化剂高活性与高稳定性的统一，使得该催化剂尿素氧化催化活性高，稳定性优异，在10mA cm‑2的电流密度下仅需1.33V，持续工作24h后活性也没有明显的变化。
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公开(公告)号：CN118040227A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410104881.5
申请日：2024-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: H01M50/40 , H01M50/494 , H01M50/403 , H01M10/0525 , H01M50/417 , H01M50/414 , H01M50/431 , H01M50/491
Abstract: 一种提供高机械强度SEI膜的复合隔膜及其制备方法和在锂金属电池中的应用。本发明属于锂金属电池隔膜领域。本发明的目的是为了解决现有聚烯烃隔膜与电解液亲和性较差、锂离子迁移数低、抑制锂枝晶生长的能力弱以及无法改善锂金属电极表面SEI膜性质的技术问题。本发明的复合隔膜以聚偏氟乙烯基聚合物为隔膜基底，以含硫聚季铵盐为填料。本发明使用聚偏氟乙烯基材料为隔膜基材，将电解液溶剂不能溶解的硫酸酯季铵化的聚季铵盐与之混合，在隔膜中引入聚季铵盐以及含硫酯类，制备出具有良好电解液润湿性、可改善SEI膜性质的复合隔膜。并且本发明的制备方法简单，易于实现，能够满足隔膜在锂金属电池领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN114171849B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202111369168.6
申请日：2021-11-18
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: H01M50/449 , H01M50/434 , H01M50/414 , H01M50/403
Abstract: 一种核壳结构复合隔膜及其制备方法。本发明属于锂离子电池隔膜领域。本发明为解决现有直接将陶瓷填料与聚偏氟乙烯共混的复合隔膜结合力不够、体电阻大、复合效率低而导致锂电池循环和倍率性能差、抑制锂枝晶生长的能力低以及热稳定性差的技术问题。本发明的核壳结构复合隔膜由陶瓷填料和聚合物基底制备而成，所述陶瓷填料均匀分散于聚合物基底中，所述陶瓷填料是由陶瓷核和聚合物壳构成的核壳结构。本发明将聚合物包覆在无机陶瓷颗粒外层，自组装合成包覆均匀的核壳结构单元，再加入到聚合物基体中制备出具有核壳结构的复合隔膜，实现了具有高机械强度、高润湿性、良好界面结合、能有效抑制锂枝晶的隔膜。
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公开(公告)号：CN116706423A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310440371.0
申请日：2023-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: H01M50/409 , H01M50/414 , H01M50/403 , H01M10/0525
Abstract: 一种用于液态碳酸酯基电解液锂金属电池的复合隔膜及其制备和应用。本发明属于锂电池隔膜领域。为克服现有技术存在的缺陷，本发明提供一种用于液态碳酸酯基电解液锂金属电池的复合隔膜及其制备和应用，通过在隔膜基材中引入电荷均匀剂，吸引电解液中的锂盐阴离子，形成“电荷均匀剂‑锂盐阴离子‑锂离子”结构，以均匀地调控锂离子沉积，显著改善锂离子的沉积形貌，保证锂金属电池的循环稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115051107B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210621664.4
申请日：2022-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: H01M50/426 , B82Y30/00 , H01M10/0525 , H01M50/403 , H01M50/446 , H01M50/489 , H01M50/494 , H01M50/497
Abstract: 一种核壳纳米管式结构材料改性的复合隔膜及其制备方法和应用。本发明属于锂离子电池隔膜领域。本发明为解决现有陶瓷改性复合隔膜存在陶瓷颗粒与基体相互作用小，以及引入核壳结构改性陶瓷的复合隔膜锂离子迁移速率和锂离子迁移数不高、锂电池放电性能不高的技术问题。本发明的复合隔膜以含氟高分子聚合物为基材，以核壳纳米管式结构材料为填料，核为纳米管材料，壳为原位聚合获得的聚多巴胺。方法：步骤1：将纳米管材料制成分散液；步骤2：向分散液中加入盐酸多巴胺和三羟甲基甲胺，原位聚合制得核壳纳米管式结构颗粒；步骤3：将含氟高分子聚合物和核壳纳米管式结构颗粒分散于有机溶剂；步骤4：刮涂制膜。本发明的复合隔膜用于组装锂电池。
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公开(公告)号：CN115051107A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210621664.4
申请日：2022-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: H01M50/426 , B82Y30/00 , H01M10/0525 , H01M50/403 , H01M50/446 , H01M50/489 , H01M50/494 , H01M50/497
Abstract: 一种核壳纳米管式结构材料改性的复合隔膜及其制备方法和应用。本发明属于锂离子电池隔膜领域。本发明为解决现有陶瓷改性复合隔膜存在陶瓷颗粒与基体相互作用小，以及引入核壳结构改性陶瓷的复合隔膜锂离子迁移速率和锂离子迁移数不高、锂电池放电性能不高的技术问题。本发明的复合隔膜以含氟高分子聚合物为基材，以核壳纳米管式结构材料为填料，核为纳米管材料，壳为原位聚合获得的聚多巴胺。方法：步骤1：将纳米管材料制成分散液；步骤2：向分散液中加入盐酸多巴胺和三羟甲基甲胺，原位聚合制得核壳纳米管式结构颗粒；步骤3：将含氟高分子聚合物和核壳纳米管式结构颗粒分散于有机溶剂；步骤4：刮涂制膜。本发明的复合隔膜用于组装锂电池。
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公开(公告)号：CN119121407B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411254059.3
申请日：2024-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种减少重力影响生长低光学吸收高均匀性碲铟铅单晶的方法，它涉及碲铟铅单晶的生长方法。它是要解决现有的PIT晶体生长方法存在晶体开裂严重、光学吸收强、晶体内部元素分布不均匀的问题。本方法：将Pb源、In源和Te源和额外的In2Te3置于圆筒状坩埚中，再向石英管中加入单质Te后熔融密封；将石英管放入倾斜单温区管式炉中反应，得到PIT多晶，再将多晶料装入带有籽晶阱的热解氮化硼坩埚内并放入石英管中真空密封；在多温区水平晶体生长炉中进行单晶生长，得到PIT单晶体。切成的6mm厚双面抛光晶片在2～3μm波段内透过率接近60％，在2.09μm处光学吸收小于0.11cm‑1，可用于工业、医疗和能源领域。
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公开(公告)号：CN119121391A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411254058.9
申请日：2024-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 水平梯度结晶法制备单晶生长用碲铟铅多晶料的方法，它涉及碲铟铅多晶料的制备方法。它是要解决现有PIT单晶体开裂严重、光学吸收强的技术问题。本方法：称取Pb源、In源、Te源和In2Te3原料放在一个坩埚中，将提供气氛压力的Te放在另一个坩埚中，再将两个坩埚置于石英管两端，充入惰性气体后熔封；将石英管放入双温区水平管式炉中，原料坩埚放在高温区，另一坩埚放在低温区，经过反应阶段、均质化阶段、梯度结晶阶段和降温阶段，得到碲铟铅多晶料。用该多晶料生长单晶，厚度为4.385mm并双面抛光的晶片在2.09μm处光学吸收小于0.17cm‑1，可借助激光器泵浦输出中远红外激光，用于工业、医疗和能源领域。
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公开(公告)号：CN117867649A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410111972.1
申请日：2024-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 水平梯度结晶法提纯硒锗镓钡多晶料并生长高透过率晶体的方法，它涉及硒锗镓钡多晶料提纯及单晶体生长方法。它是要解决现有方法合成的BaGa2GeSe6多晶体纯度低，进而影响单晶体的透过率的技术问题。本方法：先按BaGa2GeSe6的化学计量比称取Ba源、Ga源、Ge源和Se源置于坩埚中，再放入石英管中，抽真空并熔融密封；放在水平管式炉中通过反应阶段、均质化阶段和梯度结晶阶段进行多晶合成；然后捣碎在垂直布里奇曼单晶生长炉中生长BGGSe单晶。本发明生长出单晶的透过率在0.6～17μm宽范围内大于55％。可用于非线性光学变频技术领域。
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