公开(公告)号：CN115146559A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210762679.2

申请日：2022-06-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  杨剑群 ,  荆宇航 ,  徐晓东 ,  吕钢

IPC: G06F30/28 ,  G06F30/25 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明提供了一种器件辐照缺陷演化分子动力学仿真的注量模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取收敛的单个入射粒子辐照器件产生PKA的数量；对器件进行网格化处理，得到多个含有PKA的网格；构建与网格等大小的体系模型；标定注量的入射粒子分批次辐照器件，基于体系模型，利用分子动力学方法和KMC方法对网格中的PKA进行缺陷演化；统计每个网格中缺陷的种类和数量并归入器件中，改变入射粒子的注量，重复上述步骤，获得不同注量入射粒子与器件中缺陷信息之间的关系。本发明结合分子动力学和动力学蒙特卡罗方法，实现在不同注量下整个半导体器件的缺陷演化过程的模拟计算，且计算逻辑清晰，步骤简单易操作。

公开(公告)号：CN115130306A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210762682.4

申请日：2022-06-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  荆宇航 ,  杨剑群 ,  刘中利 ,  魏亚东

IPC: G06F30/20 ,  G06K9/62 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件中辐照缺陷演化的仿真方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取入射粒子辐射产生的PKA信息；对半导体器件进行网格划分，并统计网格中的PKA信息；建立与网格等大小的体系模型；将网格中的PKA信息作为输入参数，在LAMMPS软件中进行缺陷演化模拟，获得MD时间尺度下的稳态结构；将稳态结构中的缺陷信息作为KMC的输入文件，输出最终稳定态结构；统计最终稳定态结构中的缺陷信息，并对所有网格中的缺陷信息进行汇总，得到半导体器件的综合缺陷信息。本发明基于MD和KMC实现了半导体器件中辐照缺陷产生及演化全过程的时空跨尺度模拟计算，且计算方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。