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公开(公告)号：CN112276275B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011163376.6
申请日：2020-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用高热稳定合金复合中间层连接方钴矿热电材料和电极的方法，涉及一种连接方钴矿热电材料和电极的方法。目的是解决现有方钴矿热电材料焊接方法所得接头的连接接头热稳定性差和接触电阻大的问题。方法：一、方钴矿热电材料和电极清洗；二、使用电镀或物理气相沉积的方法制备中间连接层和扩散阻隔层，进行扩散焊；中间连接层材质为Co、Fe或Ni；扩散阻隔层材质为CoMo、CoW、FeMo或FeW。本发明利用中间连接层和扩散阻隔层所得接头具有低的接触电阻率，接头的热稳定性高。本发明适用于连接方钴矿热电材料和电极。
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公开(公告)号：CN114029601A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111501410.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用金箔中间层低温扩散连接Ti3SiC2陶瓷的方法，涉及一种连接Ti3SiC2陶瓷的方法。为了解决现有的Ti3SiC2陶瓷扩散连接方法的连接温度高的问题。方法：Ti3SiC2陶瓷的焊前切割、打磨和清洗处理；金箔平整、打磨和清洗；装配得到装配件；真空扩散连接。本发明采用金箔中间层进行低温扩散连接，Au元素较低温度下与Ti3SiC2相陶瓷中的Si元素、Al元素发生取代使得金箔中间层与Ti3SiC2陶瓷在600～650℃发生剧烈的互扩散，从而实现Ti3SiC2陶瓷的低温扩散连接。采用金箔作为中间层扩散连接得到的接头具有良好的抗腐蚀性。本发明适用于连接Ti3SiC2陶瓷。
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公开(公告)号：CN112276275A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011163376.6
申请日：2020-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用高热稳定合金复合中间层连接方钴矿热电材料和电极的方法，涉及一种连接方钴矿热电材料和电极的方法。目的是解决现有方钴矿热电材料焊接方法所得接头的连接接头热稳定性差和接触电阻大的问题。方法：一、方钴矿热电材料和电极清洗；二、使用电镀或物理气相沉积的方法制备中间连接层和扩散阻隔层，进行扩散焊；中间连接层材质为Co、Fe或Ni；扩散阻隔层材质为CoMo、CoW、FeMo或FeW。本发明利用中间连接层和扩散阻隔层所得接头具有低的接触电阻率，接头的热稳定性高。本发明适用于连接方钴矿热电材料和电极。
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公开(公告)号：CN110098309A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910353466.2
申请日：2019-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于纳米银焊膏及镍镀层的N型Bi2Te3与Cu电极的连接方法，涉及一种Bi2Te3与Cu电极的连接方法。目的是解决采用Sn基钎料连接的N型Bi2Te3与Cu电极连接构成热电装置无法满足热电装置服役的温度要求和钎焊接头的可靠性差的问题。方法：先在N型Bi2Te3待焊面制备镍镀层作为扩散阻隔层，然后利用纳米银焊膏对N型Bi2Te3待焊面和Cu电极进行钎焊连接。镍阻隔层与纳米银之间、以及纳米银与Cu之间的有效结合保证了接头的可靠性。服役过程中抗剪强度衰减小，具有良好的中低温使用性能。本发明适用于N型Bi2Te3与Cu电极的连接。
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公开(公告)号：CN106098924A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610710136.0
申请日：2016-08-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种层积薄膜型热电器件及其制备方法。本发明属于热电器件的制备技术领域，具体涉及一种层积薄膜型热电器件及其制备方法。本发明目的是为了解决目前热电器件的制备方法存在的难以实现曲面贴合以及规模化生产高效制备的问题。产品：依次包括基板、底部绝缘层、多个热电模组、多个临时支撑物填充区和顶部绝缘层；所述热电模组依次包括底部导电层、P型热电模块、N型热电模块和顶部导电层。方法：利用掩膜版，采用大气等离子喷涂技术喷涂各个涂层。本发明产品结构简单，方法高效灵活，可实现曲面表面与热电器件的牢固贴合，提高了大面积、高阵列密度热电器件规模化生产应用的潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119876872A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411973794.X
申请日：2024-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种基于常规柱靶放电的磁控溅射装置改进的阴极靶外置缺口阳极罩及使用方法。它属于表面处理领域。它解决了现在方法存在靶基距小，无法插入阳极而导致等离子体能量的有效调节受到限制的问题。本发明在柱状阴极靶材的外部设置阳极罩，柱状阴极靶材、阳极罩和细长管筒件同轴设置且均可轴向旋转。本发明将放电面从整个圆周固定为具有轴向的截面的部分圆柱的平面，同时，在柱状靶外围包覆阳极罩，阳极罩为侧面开有轴向缺口的圆管，端面呈弧形，单侧开口，增加了靶面到阳极罩的放电间距，从而降低内置柱状靶的放电难度，等离子体能量会受到电场的有效调控；实现靶面和细长管筒件内壁的同步清洗，通过匀速旋转细长管筒件，实现了内壁均匀高效涂层沉积。
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公开(公告)号：CN119776786A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411973795.4
申请日：2024-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种空心阴极自溅射在细长管筒件内壁快速均匀沉积薄膜的装置。它属于表面处理领域。它解决了常规方法无法在细长管筒件内有效放电，等离子体能量受控调节差和沉积薄膜的均匀性差的问题。装置：包括空心阴极靶材、细长管筒件、阳极杆、空心阴极电源和偏压电源。本发明利用空心阴极的开口方向为沿轴方向，而其阳极可与其同轴置于管内，细长管筒件连接偏压负极，正极连接阳极杆，二者产生的等离子体在阳极与细长管筒件之间偏压电场的作用下，可在细长管筒件内壁进行可控沉积，有效实现对等离子体能量的调节。同时，通过对细长管筒件进行牵引移动，可实现放电区域与细长管筒件内壁不同位置的有效接触，实现细长管筒件内部全位置的涂层均匀有效沉积。
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公开(公告)号：CN118951195A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411333415.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以NiCoFeMo为阻隔层的碲化铋与铜的钎焊连接方法，涉及钎焊连接技术领域。本发明是为了解决碲化铋与铜的热电接头在200℃以上长期服役时，因元素剧烈互扩散最终导致接头断裂及热电器件失效的问题。方法：将钎料置于待焊碲化铋的待焊面与待焊铜的待焊面之间进行装配，得到待焊连接件；将待焊连接件置于加热炉中，加热至300～320℃，并在300～320℃的温度条件下保温5～30min，保温结束后冷却至室温，完成碲化铋与铜的钎焊连接。本发明可获得一种以NiCoFeMo为阻隔层的碲化铋与铜的钎焊连接方法。
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公开(公告)号：CN117295382B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311241868.6
申请日：2023-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/80 , C22C33/04 , C22C38/12 , B22F9/04 , B22F3/105 , B22F3/14 , B22F9/08 , C23C14/30 , C23C14/26 , C23C14/18 , C23C14/58
Abstract: 一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法，涉及方钴矿热电材料元素阻隔层制备技术领域。本发明的目的是为了解决现有方钴矿与金属电极连接过程中方钴矿与金属电极之间易发生元素扩散以及焊接接头强度衰减的问题。方法：步骤1、称取：按照方钴矿元素阻隔层中钒和铁的原子百分比分别称取纯钒和纯铁；步骤2、制备方钴矿元素阻隔层：将称取的纯钒和纯铁采用电弧熔炼、粉末冶金或物理气相沉积的方式，制备得到高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层，所述的方钴矿元素阻隔层为P型方钴矿元素阻隔层或N型方钴矿元素阻隔层。本发明可获得一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法。
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公开(公告)号：CN117295382A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311241868.6
申请日：2023-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/80 , C22C33/04 , C22C38/12 , B22F9/04 , B22F3/105 , B22F3/14 , B22F9/08 , C23C14/30 , C23C14/26 , C23C14/18 , C23C14/58
Abstract: 一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法，涉及方钴矿热电材料元素阻隔层制备技术领域。本发明的目的是为了解决现有方钴矿与金属电极连接过程中方钴矿与金属电极之间易发生元素扩散以及焊接接头强度衰减的问题。方法：步骤1、称取：按照方钴矿元素阻隔层中钒和铁的原子百分比分别称取纯钒和纯铁；步骤2、制备方钴矿元素阻隔层：将称取的纯钒和纯铁采用电弧熔炼、粉末冶金或物理气相沉积的方式，制备得到高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层，所述的方钴矿元素阻隔层为P型方钴矿元素阻隔层或N型方钴矿元素阻隔层。本发明可获得一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法。
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