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公开(公告)号：CN101281136A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810064233.2
申请日：2008-04-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种用于紫外－可见吸收检测的微流控芯片的制备方法，此种结构芯片专用于紫外－可见吸收检测系统进行生化分析。该结构微流控芯片采用有机玻璃(PMMA)等聚合物材料为衬底。通过在芯片所设计的检测点位置处加工一个透射通孔台阶结构，同时在台阶位置镶嵌可透过紫外线的玻璃，可以解决聚合物衬底微流控芯片紫外光透过率低以及微米量级沟道所引起的光程短等两个问题。这种新型芯片结构简单，加工容易，工艺成本低，易于微流控芯片的推广应用。
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公开(公告)号：CN118247898A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410056866.8
申请日：2024-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G08B13/19 , G08B13/196
Abstract: 本发明提供了一种基于射频能供能的红外入侵识别系统及方法，其中系统包括：振动触发节点、红外识别节点、射频供能节点和控制中心；射频供能节点和红外识别节点之间通过Lora通信信号进行握手对接，振动触发节点和红外识别节点之间通过Lora通信信号进行握手对接，红外识别节点和控制中心之间通过Lora通信信号进行握手对接，本发明维持系统内红外识别节点正常工作的电能通过无线传输获得，相比于传统使用电线供电的方法，增加系统部署的灵活性和便捷性，在入侵行为发生时，能够通过路由表计算出到红外识别节点的最短距离，加快识别系统的响应速度；同时，通过多个振动触发节点的组网，扩大了对入侵识别区的范围覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115930595A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211450660.0
申请日：2022-11-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种恒温速冷高压管式炉，包括：加热速冷装置、真空高压装置和炉体钢结构三个部分组成。所述的加热速冷装置由炉墙、炉顶、炉底、炉管、温度传感器、加热丝、制冷管、电源总开关、加热控制装置和速冷控制装置组成。所述的真空高压装置由密封法兰、固定卡扣、稳压堵头、入口气氛管道、出口气氛管道、入口气氛接口、出口气氛接口、抽气接口、真空压力泵和气压表组成。所述的炉体钢结构由炉管托架、万向轮、排气扇、炉体和炉体支撑柜组成。通过对三个装置的控制，实现管式炉在高压环境下逐渐升温，保温和快速降温。本发明为二维材料的生长提供必要的条件，提高人们多方面的使用需求，具有结构简单、操作可靠、可控制变量等优势。
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公开(公告)号：CN113121235B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110383573.7
申请日：2021-04-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L35/16 , H01L35/34 , C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/80
Abstract: 一种温差发电材料的制备方法，它涉及一种热电材料的制备方法。本发明要解决现有碲化铋温差发电材料热导率高，电导率低，热电转换效率低的问题。方法：一、称取；二、球磨；三、热处理；四、热压烧结。本发明用于温差发电材料的制备。
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公开(公告)号：CN107758633B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201711054604.4
申请日：2017-11-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82Y40/00
Abstract: 一种长直氮化硼纳米线的制备方法，属于纳米线制备技术领域。所述方法如下：将硼粉与催化剂粉末放入球磨罐中，对球磨罐进行抽真空然后注入高纯氮气，再将球磨罐置于球磨机内对硼粉与催化剂粉末进行球磨；将粉末分散到酒精中形成墨状前驱物，将墨状前驱物刷涂到衬底上；向烧结炉中通入高纯氮气，将衬底放到烧结舟上推入烧结炉中；将烧结炉内的温度以10~20℃/min的升温速度自室温升温至1100~1200℃，在氮氢混合气中恒温1h，然后冷却至室温，即得长直氮化硼纳米线。本发明的优点是：本发明方法制备的长直氮化硼纳米线纯度高，可达90%以上，且制备温度低、成本低。本方法工艺简单易行、所用设备廉价、实验过程方便且产品纯度高。
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公开(公告)号：CN107758633A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711054604.4
申请日：2017-11-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82Y40/00
Abstract: 一种长直氮化硼纳米线的制备方法，属于纳米线制备技术领域。所述方法如下：将硼粉与催化剂粉末放入球磨罐中，对球磨罐进行抽真空然后注入高纯氮气，再将球磨罐置于球磨机内对硼粉与催化剂粉末进行球磨；将粉末分散到酒精中形成墨状前驱物，将墨状前驱物刷涂到衬底上；向烧结炉中通入高纯氮气，将衬底放到烧结舟上推入烧结炉中；将烧结炉内的温度以10~20℃/min的升温速度自室温升温至1100~1200℃，在氮氢混合气中恒温1h，然后冷却至室温，即得长直氮化硼纳米线。本发明的优点是：本发明方法制备的长直氮化硼纳米线纯度高，可达90%以上，且制备温度低、成本低。本方法工艺简单易行、所用设备廉价、实验过程方便且产品纯度高。
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公开(公告)号：CN102899659A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210391481.4
申请日：2012-10-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C24/08 , C01B21/064 , B82Y30/00
Abstract: 氮化硼纳米管疏水膜的制备方法，属于防水纳米材料技术领域。本发明方法包括如下步骤：（1）将原料无定形硼粉与数个不锈钢球密封进不锈钢球磨罐，放置于球磨机进行球磨；（2）球磨后将密封罐置于充满氮气的手套箱中取出硼粉，球磨后硼粉末在氮气氛围下与催化剂一同溶于有机溶剂，超声振荡制备成硼涂料；（3）在低碳不锈钢基底上将制备好的硼涂料均匀涂抹于基底上，放置入烧结炉烧结；（4）烧结结束，炉内继续通N2/H2气体，气体流量不变，温度自然冷却至室温，即可得到基于不锈钢金属的氮化硼纳米管疏水膜。本发明所得纳米膜具有高纯度，高密度的特点，接触角测量结果为158.1±3.6°，达到超疏水标准。
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