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公开(公告)号：CN111766496A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010735169.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据不同的偏置电压下深能级瞬态谱中的信号峰变化，判定缺陷信号的类型；根据缺陷信号类型的判定结果，判定双极晶体管的位移损伤敏感区。本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管位移损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。
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公开(公告)号：CN111360255A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010208457.7
申请日：2020-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F3/105 , B22F3/24 , B23H1/00 , B23H5/00 , B23H9/06 , B23H11/00 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02
Abstract: 本发明提供了一种导电材料一体化加工系统及加工方法，该导电材料一体化加工系统包括驱动装置、控制装置和均能导电的引导装置和刻蚀装置；所述驱动装置包括能导电的工作台。本发明中，所述控制装置用于，当所述工作台或者已在所述工作台上成型的导电材料连接脉冲电源的负极，且所述引导装置连接所述脉冲电源的正极时，控制所述驱动装置带动所述引导装置移动，以使伸出所述引导装置的所述导电材料熔化并沉积到所述工作台的成型区上；以及，当由所述导电材料在所述工作台上成型的毛坯连接所述脉冲电源的正极，且所述刻蚀装置连接所述脉冲电源的负极时，控制所述驱动装置带动所述刻蚀装置移动，以使所述刻蚀装置对所述毛坯进行减材加工。
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公开(公告)号：CN111043900A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN202010001052.6
申请日：2020-01-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F41A31/00
Abstract: 本发明提供一种中低温高速撞击试验装置及其试验方法，防护罐体作为弹丸撞击试验的安全防护装置；防护罐体开设有穿线和管道的通孔，防护罐体的一端设有罐门；所述防护罐体内部设有一个试验台面、照明灯具；火药炮、环境箱安装在试验台面上内；环境箱内设置有靶架、液氮蒸发板；温控装置的测控线缆与环境箱连接，温控装置的制冷管路连接自增压液氮罐；自增压液氮罐与液氮蒸发板连接；电磁测速器与火药炮的可拆卸炮管连接，并通过线缆与示波器相连。本发明装置具有制造费用低，体积小，结构较简单，操作方便，发射安全可靠性高，降低了操作的专业性要求。
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公开(公告)号：CN108460196A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810135807.4
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 双极器件异种辐照源电离损伤等效评价试验方法，涉及材料和器件的辐照试验，属于核科学与技术领域，为了实现对不同类型粒子辐照条件下双极晶体管的性能退化特征的预测。本发明基于一种辐照源建立性能退化模型等效模拟其他辐照源辐射损伤的地面等效模拟试验方法，其应用对象包括双极晶体管及其他类型的双极工艺器件；仅通过选择某一特定种能量和种类的带电粒子，在合适的辐照通量条件下进行辐照试验，就可建立双极器件性能退化模型；结合Monte Carlo方法计算分析其他类型辐照源的损伤能力，即可将不同类型辐照源的辐射损伤进行归一化，达到预测在轨性能退化的目的。有益效果为准确地预测双极晶体管在轨电离损伤性能退化规律，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN108459338A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810136600.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/02
CPC classification number: G01T1/02
Abstract: 本发明提供基于吸收剂量深度分布计算辐射敏感部位位移吸收剂量的方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明首先选取一种已知一维位移吸收剂量深度分布的材料，并将其移吸收剂量深度分布转化为吸收剂量随等效厚度的分布；对辐射敏感部位所处的结构进行区域划分，确定各个区域中的材料种类和每种材料的厚度；然后将各个区域的材料的厚度转化为等效厚度，确定各个等效厚度的吸收剂量和单向吸收剂量，最终计算得到结构中敏感部位的位移吸收剂量。本发明解决了现有技术辐射敏感部位位移吸收剂量计算复杂、耗时长的问题。本发明可用于快速评估航天器等复杂结构的位移吸收剂量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108458942A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810136596.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种航天器用聚合物基碳纤维复合材料空间热循环加速试验方法，涉及一种空间热循环加速试验方法。本发明为了解决现有针对航天器用聚合物基碳纤维复合材料的空间热循环试验的试验时间长的问题。方法：选择聚合物基碳纤维复合材料并测试微观结构；空间热循环条件确定，进行空间热循环试验并测定试验后材料中自由基的数量A和种类；确定地面加速热循环试验条件，进行地面加速热循环试验并测定试验后材料中自由基的数量B和种类；自由基的种类变化相同，数量满足∣A-B∣/A≤5％，计算加速因子N＝W1/W2或V2/V1。本发明能够缩短试验周期，降低试验成本。本发明适用于聚合物基碳纤维复合材料热循环加速试验。
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公开(公告)号：CN108304666A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810136598.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 基于杂化泛函计算β-三氧化二镓电荷转移的方法，本发明涉及计算β-三氧化二镓电荷转移的方法。本发明目的是为了解决现有基于杂化泛函的方法计算含有缺陷的超胞电荷转移的准确率低的问题。过程为：得到β-Ga2O3的晶格参数和禁带宽度；得到β-Ga2O3能量最低点的晶格参数和禁带宽度；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；计算含有缺陷的β-Ga2O3的电子在空间中的分布；通过VESTA软件读取A和B，并对二者在电子在空间中的分布做差，得到差分电荷。本发明用于计算β-Ga2O3电荷转移的领域。
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公开(公告)号：CN105272350A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510683979.1
申请日：2015-10-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高孔隙率氧化铝多孔陶瓷的制备方法，涉及一种氧化铝多孔陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的氧化铝多孔陶瓷的孔隙率较低的问题。方法：一、氧化铝陶瓷浆料的配制；二、冷冻注模法制备氧化铝多孔陶瓷坯体；三、干燥及烧结，即得到高孔隙率氧化铝多孔陶瓷。本发明在不改变内部三维网络结构的前提下，提高多孔陶瓷制品开气孔率。制备的氧化铝多孔陶瓷不仅具有较高的开孔孔隙率及较低的体积密度，使其表现出更高的过滤、吸附性能，而且具有较高的机械强度，使其力学性能显著提高。本发明用于多孔陶瓷材料领域。
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公开(公告)号：CN115148308B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210770344.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种半导体器件中电子空穴对产额的模拟计算方法，包括以下步骤：测量待测半导体器件的厚度，并确认其材料属性；在Geant4环境中，根据步骤S1得到的参数构建所述半导体器件的结构模型；选择不同辐射粒子入射所述结构模型，并计算得到总的正电荷量以及单位距离上的电子空穴对数量；通过Geant4计算发生电离的位置，并计算其平均值，将所述平均值作为可调参数b；将所述电子空穴对数量和所述可调参数b代入Jaffe电子空穴对复合公式，计算不同电场强度条件下的电子空穴对产额。本发明提供的电子空穴对产额的计算方法，步骤简单，易于操作，能够大幅度降低试验的成本，且计算效率较高，对半导体器件损伤和空间环境模拟研究具有重大意义。
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公开(公告)号：CN115146559B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210762679.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/28 , G06F30/25 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种器件辐照缺陷演化分子动力学仿真的注量模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取收敛的单个入射粒子辐照器件产生PKA的数量；对器件进行网格化处理，得到多个含有PKA的网格；构建与网格等大小的体系模型；标定注量的入射粒子分批次辐照器件，基于体系模型，利用分子动力学方法和KMC方法对网格中的PKA进行缺陷演化；统计每个网格中缺陷的种类和数量并归入器件中，改变入射粒子的注量，重复上述步骤，获得不同注量入射粒子与器件中缺陷信息之间的关系。本发明结合分子动力学和动力学蒙特卡罗方法，实现在不同注量下整个半导体器件的缺陷演化过程的模拟计算，且计算逻辑清晰，步骤简单易操作。
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