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公开(公告)号：CN113125536A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110345262.1
申请日：2021-03-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种用于检测苯胺的电化学传感器电极材料的制备方法属于电化学传感器的技术领域，具体步骤为：以P型掺杂单晶硅片为衬底，通过手动研磨法或超声震荡法，利用微米金刚石粉对硅片表面进行处理，并利用酒精清洗，然后利用微波等离子体化学气相沉积方法沉积硼、氮共掺杂金刚石薄膜，得到用于检测苯胺的电化学传感器电极材料。本申请制备的电极材料具有良好的电化学性能，以其为工作电极对苯胺进行电化学检测，实现了极高的检测灵敏度，同时检测范围大，重复性好。
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公开(公告)号：CN110867565B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910686969.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的一种碳包覆硅和氧化锌复合电极材料的制备方法属于锂离子电池负极材料的技术领域，主要步骤包括将CTAB、NaOH和EDA的乙醇溶液在搅拌下依次滴入Zn(AC)2·2H2O的乙醇溶液中形成淡黄色沉淀、加入SiO和多孔碳继续搅拌30min并加热8h、将沉淀物用氨水蚀刻洗涤至中性并干燥得到固体粉末、将粉末退火研磨。本发明制备的新型复合材料具有良好的电化学性能，用其制作的锂离子电池负极，具有良好的循环稳定性和较高的容量。
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公开(公告)号：CN111118471A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010040561.X
申请日：2020-01-15
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/511 , C23C16/56 , C30B28/14 , C30B29/04 , C30B29/64
Abstract: 本发明的一种高质量多晶金刚石膜制备方法，属于多晶金刚石膜生长的技术领域。主要步骤包括低质量自支撑化学气相沉积金刚石膜的生长、高温退火、超声清洗、MPCVD设备中二次生长等。本发明首先通过高速生长过程获得自支撑金刚石膜，然后在高温退火后，继续生长得到高质量膜。该方法可以大幅提高自支撑金刚石膜制备效率，有利于促进金刚石应用的拓展。
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公开(公告)号：CN110867565A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910686969.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的一种碳包覆硅和氧化锌复合电极材料的制备方法属于锂离子电池负极材料的技术领域，主要步骤包括将CTAB、NaOH和EDA的乙醇溶液在搅拌下依次滴入Zn(AC)2·2H2O的乙醇溶液中形成淡黄色沉淀、加入SiO和多孔碳继续搅拌30min并加热8h、将沉淀物用氨水蚀刻洗涤至中性并干燥得到固体粉末、将粉末退火研磨。本发明制备的新型复合材料具有良好的电化学性能，用其制作的锂离子电池负极，具有良好的循环稳定性和较高的容量。
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公开(公告)号：CN109881248A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910182374.2
申请日：2019-03-12
Applicant: 吉林大学
IPC: C30B25/20 , C30B29/04 , C23C16/27 , H01L29/16 , H01L29/167
Abstract: 本发明的氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料及其制备方法，属于半导体材料的技术领域。氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料是以HTHP或CVD方法生长的金刚石单晶为籽晶，在籽晶上生长有N-S共掺杂的金刚石单晶外延层；氮、硫掺杂浓度为1015～1017/cm3。制备中使用H2S或SO2作为S源，N2或NH3为氮源，通过CVD生长样品，制得N-S共掺杂金刚石单晶材料，该材料具有n型导电特征。本发明提出了一种新的掺杂方式，得到稳定的浅能级n型金刚石单晶材料，解决了目前n型金刚石材料施主能级深，载流子浓度低、迁移率小、电阻率高等难题，满足电子器件制作要求，实现高性能金刚石基电子器件的制备和应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109671920A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811282366.7
申请日：2018-10-31
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的纳米金刚石与二氧化钛空心球复合电极材料及制备方法属于锂离子电池负极材料的技术领域，其特征是，二氧化钛呈空心球状态，纳米金刚石粒呈现为颗粒状吸附在二氧化钛空心球表面，制备方法包括纳米金刚石的处理、强碱溶液的配制、高压釜中密封反应、煅烧等步骤。制备的产物晶粒尺寸小、结晶性好，具有较高的锂离子的存储密度与传输速率，可作为一种理想的锂离子电池材料。
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公开(公告)号：CN103741116A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410040025.4
申请日：2014-01-27
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/56 , B01D17/022
Abstract: 本发明的金刚石网及其分离油水混合物和转移液滴的应用，属于材料表面浸润性质应用的技术领域。金刚石网由金属网衬底与金刚石涂层构成；金刚石涂层是连续的CVD金刚石膜，并经过氢终止或氧终止表面处理；金属网衬底是微米孔径尺寸的铜网、钛网或不锈钢网。本发明金刚石涂层具有优良的耐强酸强碱的化学稳定性，并且当涂层表面为氢终止时体现为超疏水性，同时具有超亲油性，当涂层表面为氧终止时体现为亲水性，氢终止或氧终止表面能够相互转换，因此可以在任何酸碱度条件下实现高效油水分离和液滴转移；油水分离或液滴转移后的金刚石网经清水清洗后，可重复多次使用，性能没有任何变化，具备了自清洁性。
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公开(公告)号：CN101608533A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910067292.X
申请日：2009-07-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的孕镶金刚石膜的钻头及其制作方法属于机械加工领域。钻头是由钢体(1)和工作层(2)构成，工作层(2)包含化学气相沉积的金刚石膜(4)和硬质胎体材料(3)。金刚石膜(4)按要求形态分布于工作层(2)中。钻头成型方式包括一次成型和镶块式二次成型。一次成型是指烧结型热压金刚石钻头，镶块式二次成型是先烧结出金刚石孕镶块，然后把孕镶块镶焊在铣好的钢体上形成钻头。本发明的钻头增强了耐磨性，减小了切割粘附性，保证钻头底唇面的粗糙度和有效出刃，并可有效地保径，提高了切削效率和工具的寿命。与普通金刚石钻头比较，具有寿命长、钻进效率高、工作距离长、能耗低、防粘岩粉能力强等特点。
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公开(公告)号：CN117153889A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310728245.5
申请日：2023-06-20
Applicant: 宜宾吉林大学研究院
IPC: H01L29/80 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/167 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L21/337 , H01L21/28
Abstract: 本发明的一种雪崩调制的异质结栅场效应晶体管及其制备方法属于半导体器件技术领域。所述的场效应晶体管，结构包括：异质外延衬底(1)、沟道层(2)、电阻缓冲层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、n型氧化锌(6)、栅电极(7)、凹槽(8)等。制备方法包括生长异质外延衬底(1)、掺杂沟道层(2)、掺杂电阻缓冲层(3)等步骤。本发明制备的场效应晶体管具有高阈值电压、低导通电阻以及低栅极漏电等高性能。
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公开(公告)号：CN114937667A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210297544.3
申请日：2022-03-24
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/45 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法属于半导体单片集成电路技术领域，其结构由下往上依次包括衬底(1)、金刚石外延层(2)、氢终端二维空穴气(3)、绝缘介质层(4)、半导体层和欧姆接触电极；制备方法包括在衬底上生长金刚石外延层、刻蚀形成凹槽结构、形成氢终端二维空穴气等步骤。本发明工艺简单，利用氢终端金刚石表面的二维空穴气作为栅电极可以有效缩短晶体管栅极长度，并且利用p、n型半导体形成CMOS结构，有利于后续单片集成。
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