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公开(公告)号：CN119433476A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411567767.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的用于金刚石红外窗口的高取向疏水氧化物增透膜制备方法属于光学薄膜制备技术领域，包括金刚石表面精密抛光、金刚石表面酸煮、磁控溅射等步骤。本发明采用高取向氧化物复合靶材制备高取向增透膜，采用低温与高温交替进行的镀膜方式，所制备的增透膜具有轻微疏水的特性及高取向特性；合成过程工艺连续性好，合成工艺简单。
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公开(公告)号：CN116425546A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310422731.4
申请日：2023-04-19
Applicant: 吉林大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法，属于超硬材料合成技术领域，该方法包括：214μm～250μm金刚石、硅粉和碳化硅酸碱处理后，在氩气保护下等离子净化处理；金刚石75％wt～90％wt、碳化硅7％wt～20％wt和硅3％wt～5％wt混匀后加液态石蜡，得到混合粉末，过筛，内组装，冷压预压成型，高温预处理脱蜡，外组装，烘干，高温高压合成，然后降温降压，得到聚晶烧结体，磨床去杯，除杂清洗后得到金刚石/碳化硅聚晶烧结体，本发明利用预处理后的大尺寸且高占比的金刚石、硅和碳化硅采用高温高压法制备高导热性且极低孔隙率的金刚石/碳化硅复合材料。
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公开(公告)号：CN111211161A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010040363.3
申请日：2020-01-15
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明的一种双向散热的纵向氮化镓功率晶体管及其制备方法,属于晶体管制备技术领域。所述的晶体管的结构有硅衬底(1)、导电缓冲层(2)、GaN漂移层(3)、p-GaN电子阻挡层(4)、GaN沟道层(5)、AlGaN薄势垒层(6)、SiN介质层(7)、本征金刚石层(8)、掺硼金刚石层(9)等；制备方法包括在所述硅衬底(1)上生长AlN/GaN超晶格、沉积GaN、沉积p-GaN电子阻挡层(4)等步骤。本发明利用超晶格导电缓冲层实现了硅衬底纵向导通GaN功率晶体管，结合薄势垒结构并且利用SiN介质层恢复接入区实现常关型操作。同时基于SiN介质层及硅衬底与金刚石外延生长的兼容性实现了双向散热结构。
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公开(公告)号：CN114937667B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210297544.3
申请日：2022-03-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法属于半导体单片集成电路技术领域，其结构由下往上依次包括衬底(1)、金刚石外延层(2)、氢终端二维空穴气(3)、绝缘介质层(4)、半导体层和欧姆接触电极；制备方法包括在衬底上生长金刚石外延层、刻蚀形成凹槽结构、形成氢终端二维空穴气等步骤。本发明工艺简单，利用氢终端金刚石表面的二维空穴气作为栅电极可以有效缩短晶体管栅极长度，并且利用p、n型半导体形成CMOS结构，有利于后续单片集成。
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公开(公告)号：CN117721530A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311034762.9
申请日：2023-08-16
Applicant: 宜宾吉林大学研究院
Abstract: 本发明的一种金刚石SiV色心规则阵列结构的制作方法属于量子材料技术领域，结合电子束光刻技术在金刚石衬底表面形成纳米尺度的图形化二氧化硅/铱掩膜，对二氧化硅掩模层的厚度进行调整，控制硅离子渗透的位置和深度，并通过控制二次生长的条件及生长时间调控具有空位中心的外延层厚度，从而调控探测精度。本发明通过提出的金刚石硅色心规则阵列制备方法，采用二氧化硅/铱混合掩膜结构，通过控制镀膜厚度，对掺杂深度满足设定的需求，制备了具有规则阵列的金刚石SiV色心结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116425546B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310422731.4
申请日：2023-04-19
Applicant: 吉林大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法，属于超硬材料合成技术领域，该方法包括：214μm～250μm金刚石、硅粉和碳化硅酸碱处理后，在氩气保护下等离子净化处理；金刚石75％wt～90％wt、碳化硅7％wt～20％wt和硅3％wt～5％wt混匀后加液态石蜡，得到混合粉末，过筛，内组装，冷压预压成型，高温预处理脱蜡，外组装，烘干，高温高压合成，然后降温降压，得到聚晶烧结体，磨床去杯，除杂清洗后得到金刚石/碳化硅聚晶烧结体，本发明利用预处理后的大尺寸且高占比的金刚石、硅和碳化硅采用高温高压法制备高导热性且极低孔隙率的金刚石/碳化硅复合材料。
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公开(公告)号：CN117920178A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311746596.5
申请日：2023-12-18
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J21/18 , B01D53/86 , B01D53/56 , B01J23/72 , B01J23/10 , B01J23/22 , B01J23/89 , B01J23/83 , B01J23/28 , B01J23/887
Abstract: 本发明涉及一种降解氮氧化合物的复合催化剂及其制备方法，以金刚石微粉为载体并起到还原和催化作用，同时以一种或多种金属或金属氧化物为催化活性组分。所述金属氧化物为V2O5、Co3O4、CuO、ZrO2、NiO、Fe2O3、Al2O3、TiO2、WO3、MoO3、CeO2、Rh2O3或Sm2O3中的1～2种的混合；或者三元金属氧化物V2O5‑MoO3‑TiO2、CeO2‑ZrO2‑WO3中的一种。本发明催化剂具有良好的降解NOx活性,在200‑700℃温度内降解效率可达到80％以上，适合不同温度范围内降解的要求。该复合型催化剂活性高、抗氧阻抑能力强，有利于长期使用。本发明提供的制备方法，工艺合理，适用于工业应用。
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公开(公告)号：CN115714143A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211478574.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域，该肖特基二极管包括重掺杂P型材料的衬底，在衬底的上表面生长的轻掺杂P型材料的漂移层，对漂移层进行刻蚀处理后得到的第一凹槽结构，在第一凹槽结构中沉积形成的N型结构，沉积在漂移层和N型结构上的场板，在衬底的下表面沉积的第一电极，在场板和漂移层上表面沉积的第二电极。本发明通过改变场板和结终端扩展结构的相对空间位置，实现了导通电阻和耐压性能的平衡并获得高的巴利加优值。
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公开(公告)号：CN111739945A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010551169.1
申请日：2020-06-17
IPC: H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/267 , H01L21/04
Abstract: 本发明的一种金刚石倾斜台面异质结二极管及其制备方法，属于半导体功率器件的技术领域。其结构为，在低阻p型金刚石衬底(1)的正面依次有p型金刚石过渡层(2)、金刚石漂移层(3)、倾斜台面(4)、凹槽结构(5)、n型氧化镓层(6)、肖特基接触电极(8)，在低阻p型金刚石单晶衬底(1)的背面有欧姆接触电极(7)。本发明利用n型氧化镓填充凹槽避免选择区域形成n型掺杂金刚石面临的难题，同时在优化倾斜角度的台面上生长氧化镓形成异质PN结型混合终端结构，终端处的PN结在正向偏置时导通提高器件电流及抗浪涌能力，反向偏置时形成耗尽区缓解边缘电场集中。
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公开(公告)号：CN221080025U
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202321568094.3
申请日：2023-06-20
Applicant: 宜宾吉林大学研究院
IPC: H01L29/80 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/167 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L21/337 , H01L21/28
Abstract: 本实用新型的一种雪崩调制的异质结栅场效应晶体管属于半导体器件技术领域，结构包括：异质外延衬底(1)、沟道层(2)、电阻缓冲层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、n型氧化锌(6)、栅电极(7)、凹槽(8)等。本实用新型提供的场效应晶体管具有高阈值电压、低导通电阻以及低栅极漏电等高性能。
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