公开(公告)号：CN110988053B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201911402903.1

申请日：2019-12-31

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  张楠 ,  刘彩霞 ,  周敬然 ,  李昕 ,  温善鹏

IPC: G01N27/12

Abstract: 一种基于PdO纳米粒子修饰的ZnO/ZnCo2O4复合材料的甲醛气体传感器的制备方法，属于气体传感器技术领域。由带有Pd金属插指电极的Al2O3衬底、在Pd金属插指电极和Al2O3衬底上采用涂覆技术制备的PdO纳米粒子修饰的ZnO/ZnCo2O4复合材料敏感层组成。当PdO纳米粒子修饰在ZnO/ZnCo2O4微球材料上时，由于纳米尺寸的PdO纳米粒子具有很强的甲醛催化氧化能力，因此有利于提高气敏材料的气敏响应。本发明所述传感器具有较低的检测下限，同时本发明具有工艺简单、制得的甲醛气体传感器体积小、适于大批量生产的特点，因而具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN110068599B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910467273.X

申请日：2019-05-31

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  张楠 ,  刘彩霞 ,  周敬然 ,  李昕 ,  温善鹏

IPC: G01N27/26

Abstract: 一种基于CoFe2O4/Co3O4双壳结构立方体材料的甲醛气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。该传感器从下至上依次由Al2O3衬底、Pd金属叉指电极、在带有Pd金属叉指电极的Al2O3衬底上采用涂覆技术制备的CoFe2O4/Co3O4双壳结构立方体材料组成。当CoFe2O4修饰到Co3O4中空结构立方体上时，由于晶格失配可以引起晶格缺陷，这些晶格缺陷可以产生氧空位，从而有利于提高气敏材料的气敏响应。本发明工艺简单、制得的传感器体积小、适于大批量生产，具有重要的应用价值。本发明具有制备方法简单、成本低廉、响应恢复速度快、检测下限低的特点，有望大规模生产。

公开(公告)号：CN111239205A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010077548.1

申请日：2020-01-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  尹延洋 ,  刘彩霞 ,  周敬然 ,  李昕

IPC: G01N27/12

Abstract: 一种基于CdS量子点修饰的多孔立方体结构CdSnO3纳米颗粒为敏感层的异丙醇气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。该传感器从下至上依次由带有Pd金属叉指电极的Al2O3衬底、在Pd金属叉指电极和Al2O3衬底上采用涂覆技术制备的CdS量子点修饰的多孔立方体结构CdSnO3纳米颗粒敏感层组成；本发明采用CdS量子点修饰的多孔立方体结构CdSnO3纳米颗粒作为敏感材料，不但应用了非晶态CdSnO3纳米颗粒的表面悬挂键的优势，还可以有效地利用量子点本身较大的比表面积提高气敏响应。同时本发明采用的工艺简单、制得的器件体积小、适于大批量生产，因而具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN114894854B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202210367111.0

申请日：2022-04-08

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  孙多 ,  刘彩霞 ,  李昕 ,  周敬然 ,  马艳

IPC: G01N27/12

Abstract: 一种基于多孔花状CdS/CdIn2S4异质结复合敏感材料的三乙胺气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。由从下至上的带有Pd金属叉指电极的Al2O3衬底和涂覆在Pd金属叉指电极上的基于多孔花状CdS/CdIn2S4异质结复合敏感材料的敏感层组成。本发明中，n‑n异质结的形成有助于载流子的分离和转移。此外，与CdIn2S4相比，CdS/CdIn2S4异质结纳米复合敏感材料多孔的花状结构为气体提供了更多的活性位点和扩散通道来提高气敏响应，对三乙胺气体具有良好的检测性能，同时本发明采用的工艺简单，制得的器件体积小，适于大批量生产，因而具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN115411192A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211107891.1

申请日：2022-09-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  张宇鹏 ,  徐睿良 ,  翟艳男 ,  陈宇 ,  刘彩霞 ,  周敬然 ,  李昕 ,  马艳

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48 ,  H01L51/44

Abstract: 一种基于铁电钙钛矿PbTiO3/TiO2的快速响应恢复型紫外光电探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。其从下到上由石英衬底、PbTiO3铁电材料薄膜、TiO2薄膜、Au叉指电极组成，PbTiO3铁电材料薄膜和TiO2薄膜组成PbTiO3/TiO2复合异质结光敏感层，其厚度为200～300nm；待测的紫外光从石英衬底一侧入射。本发明通过铁电钙钛矿材料和传统半导体材料构建复合异质结，铁电材料所具有的退极化场可以增加电子和空穴的分离以及运输效率，同时能大大减弱电子空穴对在分离后产生的复合效应，有效提高器件内部载流子的迁移效率，降低传统半导体材料的暗电流，并提升其响应恢复特性。

公开(公告)号：CN115274906A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210903894.X

申请日：2022-07-29

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  周瑞恒 ,  刘彩霞 ,  周敬然 ,  李昕 ,  马艳

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 一种基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。由石英衬底、无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料光敏感层和Au金属叉指电极组成。首先将石英衬底清洗干净并干燥，然后在去离子水中加入九水合硝酸镓、四水合硝酸铟、聚氧乙烯月桂醚和柠檬酸，得到In掺杂的Ga2O3前驱体溶液；再在石英衬底上旋涂前驱体溶液，经烘干、衬底冷却、烧结后得到无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料光敏感层；最后经过光刻、磁控溅射，在光敏感层上得到Au金属叉指电极；从而制备出工艺简单易行、工序少、成本低廉、对紫外光有较高响应的基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器。

公开(公告)号：CN112903751B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110000519.X

申请日：2021-01-04

Applicant: 吉林大学

Inventor： 卢洋 ,  阮圣平 ,  刘大力 ,  周敬然 ,  刘彩霞 ,  李昕 ,  温善鹏

IPC: G01N27/00

Abstract: 一种基于金钯合金修饰的SnS2敏感层的二甲苯气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。该传感器从下至上依次由Al2O3衬底、Pd金属叉指电极、在带有Pd金属叉指电极的Al2O3衬底上采用涂覆技术制备的金钯合金修饰的SnS2敏感层组成。当金钯合金修饰在SnS2的表面上时，由于双金属的协同作用使得气体传感器有良好的气体响应和优异的气体选择性。同时本发明的工艺简单、制得的二甲苯气体传感器体积小、适于大批量生产，因而具有重要的应用价值。本发明具有制备方法简单、成本低廉、响应恢复速度快、有望大规模生产的特点，对二甲苯气体具有良好的检测性能。

公开(公告)号：CN109342534B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201811322102.X

申请日：2018-11-08

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  张楠 ,  刘彩霞 ,  温善鹏 ,  周敬然 ,  李昕

IPC: G01N27/407

Abstract: 一种氧空位主导的基于CuO/ZnFe2O4核壳结构微球的二甲苯气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。从下至上依次由带有Pd金属插指电极的Al2O3衬底、在Pd金属插指电极和Al2O3衬底上采用涂覆技术制备的CuO/ZnFe2O4核壳结构微球敏感层组成；其中CuO/ZnFe2O4核壳结构微球的粒径为1～1.2μm，CuO纳米粒子修饰在ZnFe2O4纳米微球上，形成CuO/ZnFe2O4核壳结构微球。本发明的工艺简单、制得的二甲苯气体传感器体积小、适于大批量生产，因而具有重要的应用价值。本发明具有制备方法简单、成本低廉、响应恢复速度快、有望大规模生产的特点，对二甲苯具有良好的检测性能。

公开(公告)号：CN110412087A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910723863.4

申请日：2019-08-07

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  韩静 ,  刘彩霞 ,  周敬然 ,  温善鹏 ,  李昕 ,  张楠 ,  尹延洋

IPC: G01N27/12

Abstract: 一种基于金属有机骨架模板法制备的NiCoxFe2-xO4(x＝0.01～0.1)纳米立方体材料的异丙醇气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。该传感器从下至上依次由带有Pd金属叉指电极的Al2O3衬底、在Pd金属叉指电极和Al2O3衬底上采用涂覆技术制备的NiCoxFe2-xO4纳米立方体材料敏感层组成，纳米立方体的粒径为50～80nm。当微量钴掺杂到立方体上时，由于钴原子和铁原子半径的差异可能引起晶格缺陷，这些缺陷有利于产生氧空位进而增加氧吸附，导致气敏响应的提高。本发明的工艺简单、制得的传感器体积小、适于大批量生产，因而具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN116227254B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310521915.6

申请日：2023-05-10

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高旺 ,  李昕 ,  蒋青

IPC: G06F30/20 ,  G16C10/00 ,  G01N3/08 ,  G01N33/20 ,  G06F119/14

Abstract: 本申请提供一种预测掺杂FeCoNiCr高熵合金强度的方法，包括根据FeCoNiCr合金中的元素种类和浓度，计算包含元素种类和浓度的描述符ψ1，结合屈服强度σ1数据，得到实验测得屈服强度σe1与描述符ψ1的线性关系；根据线性关系，选择符合要求的待掺杂FeCoNiCr合金加入不同浓度的同一种杂质元素后，重复上述步骤，得到实验测得屈服强度σe2与描述符ψ2的线性关系；基于线性关系，根据描述符ψ2的范围选择符合屈服强度要求的目标掺杂FeCoNiCr合金。本申请中的方法，通过建立实验测得屈服强度σ与本征描述符ψ的线性关系预测高熵合金强度，以解决不能快速预测高熵合金屈服强度并设计高性能高熵合金的问题。