公开(公告)号：CN107424958A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710298768.5

申请日：2017-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志良 ,  赖志明 ,  杨超源 ,  曾晋沅 ,  曾健庭 ,  萧锦涛 ,  刘如淦 ,  林纬良 ,  周雷峻

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/11 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造包括FinFET的半导体器件的鳍的方法，包括：形成包括半导体衬底和加盖半导体鳍的结构，加盖半导体鳍被组织成至少第一集合和第二集合，第一集合的每个构件包含具有第一蚀刻灵敏度的第一盖，并且第二集合的每个构件包含具有第二蚀刻灵敏度的第二盖，第二蚀刻灵敏度不同于第一蚀刻灵敏度；以及从结构去除消除第一集合的选择构件和第二集合的选择构件。本发明的实施例还提供了一种包括鳍的半导体器件。