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公开(公告)号：CN111223625A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010121473.2
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明提供了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。所述原料组合物包括：R：28～33wt％；R包括R1和R2，所述R1为熔炼时添加的稀土元素，所述R1包括Nd和Dy；所述R2为晶界扩散时添加的稀土元素，所述R2包括Tb，所述R2的含量为0.2wt％～1wt％；M：≤0.4wt％且不为0wt％，所述M的种类包括Ti、Ni、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Zr、Hf和Ag中的一种或多种；Cu：≤0.15wt％、且不为0wt％；B：0.9～1.1wt％；Fe：60wt％～70.88wt％；原料组合物中不含有Co。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号：CN111091945B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201911425263.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R‑T‑B系永磁材料包括以下组分：R、B、Ti、Cu和Ga；R：29.0～31.5wt％；B：0.87‑0.91wt％；所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL，所述RL中包括Nd；所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式：(1)0＜Ti/(Cu+Ga)≤0.8；(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5；wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料中的重量百分比；余量为Fe和Co及不可避免的杂质。本发明中的R‑T‑B系永磁材料性能优异：非晶界扩散品Br≥14.50kGs，Hcj≥15kOe，晶界扩散品：Br≥14.50kGs，Hcj≥25.5kOe实现了Br和Hcj的同步提升。
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公开(公告)号：CN111243807B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010121472.8
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物包括如下质量含量的组分：R：28～33％；R为稀土元素，R包括R1和R2，R1为熔炼时添加的稀土元素，R1包括Nd和Dy；R2为晶界扩散时添加的稀土元素，R2包括Tb，R2的含量为0.2～1％；M：≤0.4％、但不为0，所述M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；Cu：≤0.15％、但不为0；B：0.9～1.1％；Fe：60～70％，且不含Co。本发明的钕铁硼磁体材料可在添加少量的重稀土元素、且不添加钴元素的条件下，仍然具有较高的矫顽力、剩磁，且热稳定性佳。
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公开(公告)号：CN111048273B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911418433.8
申请日：2019-12-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R‑T‑B系永磁材料包括以下组分：R：29‑31.0wt％；RH大于1wt％；B：0.905‑0.945wt％；C：0.04‑0.15wt％；N：0.1‑0.4wt％；Fe：67‑69wt％；N包括Cu和/或Ga；R包括RL和RH；所述RL为轻稀土元素，所述RL包括Nd；RH为重稀土元素；R‑T‑B系永磁材料的晶界处存在(RL1‑yRHy)2T17Cx相，x：2‑3，y：0.15‑0.35；T必须包括Fe，还包括Co、Ti和N中的一种或多种。本发明中的永磁材料在不同的热处理温度下，均保持较高的Br和Hcj。
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公开(公告)号：CN111243807A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010121472.8
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物包括如下质量含量的组分：R：28～33％；R为稀土元素，R包括R1和R2，R1为熔炼时添加的稀土元素，R1包括Nd和Dy；R2为晶界扩散时添加的稀土元素，R2包括Tb，R2的含量为0.2～1％；M：≤0.4％、但不为0，所述M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；Cu：≤0.15％、但不为0；B：0.9～1.1％；Fe：60～70％，且不含Co。本发明的钕铁硼磁体材料可在添加少量的重稀土元素、且不添加钴元素的条件下，仍然具有较高的矫顽力、剩磁，且热稳定性佳。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111223626A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010121477.0
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用，原料组合物包含如下组分：R：28～33wt％；R为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属R1和晶界扩散用稀土金属R2，R2的含量为0.2～1wt％；R1包括Nd、且不含RH；R2包括Tb；B：0.9～1.1wt％；Cu：0.15wt％以下、且不为0wt％；M：0.4wt％以下、且不为0wt％；M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；Fe：60～70.65wt％；RH为重稀土元素；原料组合物中不含有Co；wt％为各元素占原料组合物的质量百分比。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号：CN111091945A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911425263.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R-T-B系永磁材料包括以下组分：R、B、Ti、Cu和Ga；R：29.0～31.5wt％；B：0.87-0.91wt％；所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL，所述RL中包括Nd；所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式：(1)0＜Ti/(Cu+Ga)≤0.8；(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5；wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；余量为Fe和Co及不可避免的杂质。本发明中的R-T-B系永磁材料性能优异：非晶界扩散品Br≥14.50kGs，Hcj≥15kOe，晶界扩散品：Br≥14.50kGs，Hcj≥25.5kOe实现了Br和Hcj的同步提升。
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公开(公告)号：CN111048273A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911418433.8
申请日：2019-12-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R-T-B系永磁材料包括以下组分：R：29-31.0wt％；RH大于1wt％；B：0.905-0.945wt％；C：0.04-0.15wt％；N：0.1-0.4wt％；Fe：67-69wt％；N包括Cu和/或Ga；R包括RL和RH；所述RL为轻稀土元素，所述RL包括Nd；RH为重稀土元素；R-T-B系永磁材料的晶界处存在(RL1-yRHy)2T17Cx相，x：2-3，y：0.15-0.35；T必须包括Fe，还包括Co、Ti和N中的一种或多种。本发明中的永磁材料在不同的热处理温度下，均保持较高的Br和Hcj。
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公开(公告)号：CN117012485A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210475086.8
申请日：2022-04-29
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法。该钕铁硼磁体包括第一结构、第二结构和第三结构；所述第一结构包括Nd2Fe14B主相及其晶界相；所述第二结构包括R’2Fe14B主相及其晶界相；所述第三结构为所述第一结构和所述第二结构的交界处；所述M元素在所述第三结构中的含量低于其在所述第一结构或所述第二结构中的含量；所述Nd2Fe14B主相和所述R’2Fe14B主相呈现纳米尺寸长条形。本发明的钕铁硼磁体耐热性好，且剩磁高。
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公开(公告)号：CN116732417A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210209757.6
申请日：2022-03-04
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钐铁合金、钐铁氮永磁材料及其制造方法、应用。该钐铁合金的制造方法包括如下步骤：将原料经还原扩散处理，氢破碎处理，即可，其中，原料包括铁粉、氧化钐粉末和金属钙；氢破碎处理包括吸氢、脱氢的步骤，其中，吸氢的温度为200～300℃；脱氢的温度为300‑550℃。本发明的钐铁氮磁体材料的制造方法，可在不限于原料粒度的情况下获得小粒度(0.2‑4μm)的产物，制备的钐铁氮永磁材料铁杂质、氧含量低，并具有良好的磁性能。本发明的制备方法具有安全性高，成本低，易于生产操作的特点。
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