一种三电极结构的湿度传感器芯片

    公开(公告)号:CN112229878B

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN202010011995.7

    申请日:2020-01-07

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明揭示了一种三电极结构的湿度传感器芯片,该湿度传感器芯片包括湿度敏感模块、测量电路模块、微处理单元MCU;湿度敏感模块包括湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极;湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极构成三电极结构的湿度敏感型电容‑‑电阻复合结构;第一电极、湿度敏感材料、衬底、第三电极构成电容器结构,湿度敏感材料、衬底为电容器的复合介电层;第二电极、湿度敏感材料、衬底、第三电极也构成电容器结构,湿度敏感材料、衬底为电容器的介电层;第一电极、湿度敏感材料、第二电极构成湿度敏感电阻(湿敏电阻)结构,湿度敏感材料作为湿度敏感电阻(湿敏电阻)的湿度敏感材料;所述衬底是具备压电效应的晶体材料。

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