公开(公告)号：CN100463231C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200710025126.4

申请日：2007-07-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  谢自力 ,  文博 ,  周建军 ,  陈敦军 ,  张荣 ,  韩平 ,  郑有炓

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/05 ,  H01L31/052

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02E10/544

Abstract: 铟镓氮(InGaN)p-n结型多结太阳电池的结构的设置方法，采用p-n结型太阳电池的电流-电压方程、InxGa1-xN禁带宽度与In组分关系式和InxGa1-xN材料的相关参数，计算InGaN多结(含单结)太阳电池的最大转换效率以及获得此转换效率时的其中各结材料的最佳禁带宽度和对应的In组分值，用这些不同In组分的InxGa1-xN为其中各结电池材料，在各结电池之间用隧道结垂直串联起来，在第1结的n(或p)-Inx1Ga1-x1N和最后第i结的p(或n)-InxiGa1-xiN上设有金属导电电极，入射表面覆盖减反射膜。

公开(公告)号：CN101101933A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710025126.4

申请日：2007-07-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  谢自力 ,  文博 ,  周建军 ,  陈敦军 ,  张荣 ,  韩平 ,  郑有炓

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/05 ,  H01L31/052

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02E10/544

Abstract: 铟镓氮(InGaN)p-n结型多结太阳电池的结构的设置方法，采用p-n结型太阳电池的电流-电压方程、InxGa1-xN禁带宽度与In组分关系式和InxGa1-xN材料的相关参数，计算InGaN多结(含单结)太阳电池的最大转换效率以及获得此转换效率时的其中各结材料的最佳禁带宽度和对应的In组分值，用这些不同In组分的InxGa1-xN为其中各结电池材料，在各结电池之间用隧道结垂直串联起来，在第1结的n(或p)-Inx1Ga1-x1N和最后第i结的p(或n)-InxiGa1-xiN上设有金属导电电极，入射表面覆盖减反射膜。

公开(公告)号：CN1971949A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610098234.X

申请日：2006-12-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  谢自力 ,  张荣 ,  文博 ,  周建军 ,  刘斌 ,  陈敦军 ,  郑有炓 ,  韩平 ,  刘成祥

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 铟镓氮表面势垒型太阳电池，选用半导体材料InxGa1－xN(0≤x≤1)为光吸收区和InxGa1－xN MS或MIS结构表面势垒型太阳电池，在蓝宝石衬底材料上生长20－200nm厚度的低温GaN缓冲层，退火后接着外延生长1000－2000nm厚度的高温GaN缓冲层和200－1000nm厚度的InxGa1－XN光吸收层，然后在InxGa1－xN上设有肖特基接触金属Ni和厚引线金属Au形成肖特基结构，以及在InxGa1－xN上淀积2－20nm厚度的Si3N4绝缘薄膜后再设肖特基接触金属和厚引线金属形成金属－半导体－金属结构，并在n－InGaN材料上设有Ti/Al/Ni/Au多层金属导电电极，形成MS和MIS两种结构的表面势垒InGaN太阳电池。

公开(公告)号：CN1598558A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410041802.3

申请日：2004-08-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 高学奎 ,  周超 ,  文博 ,  高健

IPC: G01N25/48 ,  G01N25/20

Abstract: 本发明公开了一种液氮气化扫描量热法及液氮气化扫描量热仪，本发明方法利用样品与液氮进行热交换的过程，进行样品量热；还公开了两种优化方案，即：在样品量热过程中进行欠热补偿或过热补偿，以进一步提高量热精度。同时，本发明还公开了一种实施本专利方法所使用的液氮气化扫描量热仪。本发明方法简单、快捷、准确，所利用的仪器结构简单，消耗的液氮量少，能快捷简便地实现对固体或液体样品比热容、一级或二级相变以及相变潜热的测定。