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公开(公告)号：CN107167873A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710439519.3
申请日：2017-06-12
Applicant: 南京大学
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B6/138
Abstract: 本发明公开了一种环形反射式波导光栅滤波器及其制作方法，解决现有光子集成技术无法单片集成环形器的问题。所述反射式波导光栅滤波器包含输入波导，输出波导，波导光栅，输入波导一端包含输入光口，另一端与波导光栅相连，输出波导一端与输入波导通过耦合段形成非对称定向耦合器，输出波导另一端包含输出光口，波导光栅用于对所述输入光实现模式变换，产生反射光，非对称定向耦合器用于实现反射光模式的进一步变换，产生输出光。所述反射式波导光栅滤波器制作方法，包括采用电子束曝光方法制作绝缘体上硅波导材料体系滤波器；本发明还包括一种取样光栅制作方法。本发明实现了环形器功能，从而实现了波导光栅在光子集成芯片中的有效使用。
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公开(公告)号：CN105552717A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610082345.5
申请日：2016-02-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请公开了一种基于准二维光栅的混合模式激光器、阵列及制作方法。该方法包括：制作用于构成激光器混合模式谐振腔的光栅；其中所述光栅用于实现激光器谐振腔中相同波长的激光以两种以上的模式共同发射；所述光栅包含相移结构；通过后续工艺，制备激光器；所述后续工艺包括刻蚀工艺和沉积金属工艺。本发明解决了现有技术中的模分复用光子集成芯片的光源光耦合损耗大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105140779A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510564147.8
申请日：2015-09-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种基于重构-等效啁啾技术的备份型半导体激光器，备份型激光器中包含了两个并列的半导体DFB激光器，呈并列分布且距离间隔为15微米至50微米；其中每个激光器都是基于重构-等效啁啾技术对取样布拉格光栅结构加入等效相移，并且激光器所使用的激射信道是由该取样布拉格光栅的+1级子光栅或-1级子光栅提供。本发明使得并列的两个激光器中必有一个激光器是处在单模的工作状态，因此可以在不增加工艺成本的基础上，消除一般高反-低反镀膜激光器单模成品率低的问题。
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公开(公告)号：CN115313145A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211015834.0
申请日：2022-08-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种相干多波长激光器，包括F‑P激光器、可饱和吸收体和波长选择镀膜单元；所述F‑P激光器采用双异质结多量子阱结构作为增益介质提供增益，利用端面反射提供反馈实现多波长的激射；所述波长选择镀膜单元，用于在激光器输出端面和可饱和吸收体后端面进行指定光学带宽的光学镀膜；所述可饱和吸收体集成在F‑P激光器背光段，采用与F‑P激光器相同的双异质结多量子阱结构，F‑P激光器以及可饱和吸收体隔离分别加电。本发明不仅能满足WDM系统对高功率多波长光源的需求，还可同时兼顾DWDM和OFDM技术对波长相干性需求。
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公开(公告)号：CN115313139A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210972290.0
申请日：2022-08-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种串并联可调谐激光器阵列的优化加电方法，S1、在串并联可调谐激光器阵列表面生长集成薄膜电阻，或在串并联可调谐激光器阵列贴片的薄膜电路上生长薄膜电阻；S2、计算串并联可调谐激光器阵列中需不同单一电源的各个激光器、合波、光放大器的供电方案；S3、通过控制薄膜电阻阻值的大小，实现电流在串并联可调谐激光器阵列中的分配，对串并联可调谐激光器阵列中的激光器、合波、光放大器使用单一电源进行加电。大幅缩减了串并联激光器的电流源数量，从而为串并联激光器的进一步应用减轻系统复杂程度。
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公开(公告)号：CN108493763B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201810148414.7
申请日：2018-02-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器装置及制作方法，解决现有装置和方法波长切换时间慢、功率损耗大、结构尺寸大、制作成本高的问题。所述装置，包含有源层、缓冲层，还包含：P电极、电隔离、大啁啾光栅、N电极；电隔离位于相邻的P电极之间；大啁啾光栅为线性啁啾光栅，位于P电极下方，大啁啾光栅中均匀插入相移，相移个数与P电极个数相同，每个相移对应1个P电极，大啁啾光栅用于形成多纵模谐振腔，多纵模谐振腔对应的纵模激射工作波长最小值、最大值与所述大啁啾光栅的最小周期、最大周期相对应；有源层位于大啁啾光栅下方；缓冲层位于有源层下方；N电极位于缓冲层下方。所述方法用于制作所述装置。本发明实现了激光器波长快速切换的问题。
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公开(公告)号：CN108493763A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810148414.7
申请日：2018-02-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器装置及制作方法，解决现有装置和方法波长切换时间慢、功率损耗大、结构尺寸大、制作成本高的问题。所述装置，包含有源层、缓冲层，还包含：P电极、电隔离、大啁啾光栅、N电极；电隔离位于相邻的P电极之间；大啁啾光栅为线性啁啾光栅，位于P电极下方，大啁啾光栅中均匀插入相移，相移个数与P电极个数相同，每个相移对应1个P电极，大啁啾光栅用于形成多纵模谐振腔，多纵模谐振腔对应的纵模激射工作波长最小值、最大值与所述大啁啾光栅的最小周期、最大周期相对应；有源层位于大啁啾光栅下方；缓冲层位于有源层下方；N电极位于缓冲层下方。所述方法用于制作所述装置。本发明实现了激光器波长快速切换的问题。
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