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公开(公告)号：CN104953025B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201410111552.X
申请日：2014-03-24
Abstract: 本发明实施例公开了一种存储器中的磁性轨道的制造方法，包括将多个阳性隔离层和多个阴性隔离层交替堆叠以制取堆叠体；沿堆叠方向对所述堆叠体刻蚀至少一个孔隙；在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道。相应地，本发明实施例还公开了一种存储器中的磁性轨道的制造装置。采用本发明，可以实现制造出带凹凸状且凹凸分布均匀的以及长且直的磁性轨道，提高读写精度。
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公开(公告)号：CN106326135A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510376718.5
申请日：2015-06-30
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明提供了一种平移非易失性存储器NVM的数据的方法，包括：将动态随机存取存储器DRAM中存储的第一数据映射到非易失性存储器NVM的第一行地址，所述第一数据包括静态数据，所述静态数据为擦写频率小于预设频率的数据；记录映射后的NVM被擦写的次数；若所述映射后的NVM被擦写的次数大于或等于预设次数，则按照预设规则平移所述第一行地址中存储的所述第一数据。本发明还公开了一种平移非易失性存储器NVM的数据的装置。采用本发明，可减少NVM中存储数据的行地址的擦写次数，提高NVM的寿命。
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公开(公告)号：CN105808455A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410856607.X
申请日：2014-12-31
Abstract: 本发明实施例提供了一种访问内存的方法、存储级内存及计算机系统。所述计算机系统包括内存控制器和混合内存，所述混合内存包括动态随机存取存储器DRAM和存储级内存SCM。所述内存控制器用于向所述DRAM和所述SCM发送第一访问指令。所述SCM在确定接收的所述第一访问指令中的第一地址指向的所述DRAM的第一存储单元集合中包括保持时间比所述DRAM的刷新周期短的存储单元时，可以获得与所述第一地址具有映射关系的第二地址。进一步的，所述SCM根据所述第二地址将所述第一访问指令转换为访问SCM的第二访问指令，以实现对SCM的访问。本发明实施例提供的计算机系统能够在降低DRAM刷新功耗的基础上保证数据的正确性。
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公开(公告)号：CN105632544A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410584291.3
申请日：2014-10-27
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C11/02
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储器，包括多个存储单元、行、列控制器，存储单元包括U型磁性轨道、第一及第二开关单元、读写装置，U型磁性轨道包括第一及第二端口、第一及第二存储区域，第一及第二存储区域分别位于第一及第二端口与U型磁性轨道底部的第一及第二端之间，同一列第一端口接收第一驱动电压；同一列第二端口接收第二驱动电压；行控制器连接同一列的第一及第二开关单元以控制其通断；同一列第一及第二开关单元还分别连接至U型磁性轨道底部第二端及第一端；同一列第一及第二开关单元还接收第三驱动电压，以驱动第一或第二存储区域的磁畴移动；读写装置用于对磁畴执行读操作或写操作。本发明提高存储密度和降低功耗。
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公开(公告)号：CN105469820A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410307494.8
申请日：2014-06-30
IPC: G11C11/02
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储装置、磁性存储阵列结构及其驱动方法，涉及计算机领域，解决了现有技术中直线型磁性存储轨道的面积收益低的问题，从而提高了磁性存储轨道的数据存储量。该磁性存储装置包括：第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件和隧道型巨磁电阻效应TMR读写磁头；沿第一方向设置的第一磁性存储轨道和沿第二方向设置的第二磁性存储轨道，第一磁性存储轨道的一端和第二磁性存储轨道的一端相连；其中，TMR读写磁头沿第一方向贯穿第二磁性存储轨道设置，或者，TMR读写磁头沿第三方向贯穿第二磁性存储轨道设置，TMR读写磁头的自由层为第二磁性存储轨道，第一方向为非第二磁性存储轨道所在平面的任一方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105244043A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410330469.1
申请日：2014-07-11
CPC classification number: G11C11/161 , G11B5/02 , G11C11/15 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , H01L27/228 , H01L43/02
Abstract: 本发明提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，包括选通电路和读写装置。由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。
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公开(公告)号：CN105225689A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410306848.7
申请日：2014-06-30
CPC classification number: G11C11/161
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储器及其制造方法，涉及计算机领域，以解决现有技术中在一定的空间范围内只能存在一条磁性存储轨道的问题，提高了数据的存储密度。磁性存储器包括：至少一个绝缘层和至少两个磁性存储层，相邻两个磁性存储层之间设置有绝缘层；其中，磁性存储层内形成有至少一条第一U型磁性存储轨道和至少一条第二U型磁性存储轨道，至少一条第一U型磁性存储轨道和至少一条第二U型磁性存储轨道之间形成有电性绝缘层。本发明提供的磁性存储器用于数据的存储。
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公开(公告)号：CN104851454A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410050666.8
申请日：2014-02-13
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明公开了控制信号处理方法及装置、可变存储器，本实施例的可变存储器接收控制总线信号时，所述控制总线信号中包括内存标识和内存芯片组标识；根据所述内存芯片组标识，确定与所述内存芯片组标识对应的内存芯片组；将所述控制总线信号发送给所述确定的内存芯片组；以使所述确定的内存芯片组根据所述控制总线信号中包括的内存标识，将所述控制总线信号发送给所述内存芯片组中与所述内存标识对应的内存芯片；根据本实施例的可变存储器的工作原理，使用与各个内存芯片组对应的片选信号作为路由选择信号的原理，减少了片选信号，降低存储器扩容的难度。
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公开(公告)号：CN104575582A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310496705.2
申请日：2013-10-21
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0808
Abstract: 本发明实施例公开了一种存储单元、存储器及存储单元控制方法，用于提高存储密度、降低功耗和制造成本。其中，一种存储单元包括：梳型磁性轨道，第一驱动电路，第二驱动电路，第一驱动端口和第二驱动端口；梳型磁性轨道包括第一存储区域，第二存储区域和梳柄，第一存储区域和第二存储区域包括两个以上存储条；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第一驱动电路的驱动，第一存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第二驱动电路的驱动，第二存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动。
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公开(公告)号：CN104467962A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310430976.8
申请日：2013-09-18
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04B10/116
CPC classification number: H04B10/116 , G01S11/12
Abstract: 本发明涉及通信处理技术领域，特别涉及一种基于可视光源的定位方法、移动终端及控制器，具体为：可视光源控制器获取可视光源阵列所处位置的地理位置属性信息；可视光源控制器按照预设的可视光源阵列所处位置的地理位置属性信息与可视光源阵列图案的对应关系，确定与获取的地理位置属性信息相对应的可视光源阵列图案，其中，可视光源阵列图案是指分别用于标识可视光源阵列中包括的每个可视光源对应的发光状态的标识信息构成的编码信息；可视光源控制器根据确定的可视光源阵列图案，控制可视光源阵列包括的每一个可视光源的发光状态，这样，就降低了定位过程的复杂度，及解决了定位方法较为单一的问题。
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