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公开(公告)号：CN102675779B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210145040.6
申请日：2012-05-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明一种含有改性石墨烯高介电常数三相复合材料及其制备方法属于电介质材料领域。现有聚合物基电介质复合材料为了实现较高的介电常数，需要在复合材料之中添加较高含量的陶瓷粒子，大量的陶瓷粒子将会损害复合材料的机械性能和电学性能。本发明所提供的聚合物基电介质复合材料由三相组成；分别是聚合物基体聚偏氟乙烯，以及填料粒子钛酸钡和本征态聚苯胺改性的石墨烯粒子。通过向复合材料中引入改性石墨烯粒子，降低的陶瓷粒子的含量。采用溶液法将聚合物与无机粒子进行复合，利用热压工艺对复合材料进行加工成型，最终得到无机/聚合物三相复合材料。本发明提供的复合材料具有介电常数高、粘结性能好、制备工艺简单等优点。
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公开(公告)号：CN102675779A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210145040.6
申请日：2012-05-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明一种含有改性石墨烯高介电常数三相复合材料及其制备方法属于电介质材料领域。现有聚合物基电介质复合材料为了实现较高的介电常数，需要在复合材料之中添加较高含量的陶瓷粒子，大量的陶瓷粒子将会损害复合材料的机械性能和电学性能。本发明所提供的聚合物基电介质复合材料由三相组成；分别是聚合物基体聚偏氟乙烯，以及填料粒子钛酸钡和本征态聚苯胺改性的石墨烯粒子。通过向复合材料中引入改性石墨烯粒子，降低的陶瓷粒子的含量。采用溶液法将聚合物与无机粒子进行复合，利用热压工艺对复合材料进行加工成型，最终得到无机/聚合物三相复合材料。本发明提供的复合材料具有介电常数高、粘结性能好、制备工艺简单等优点。
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公开(公告)号：CN102651279A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210153626.7
申请日：2012-05-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于新材料技术与器件设计领域，特别涉及高储能聚合物纳米管电容器阵列的制备方法，该方法的模板选用的是多孔氧化铝（AAO）薄膜，可以根据需要通过选择不同规格模板来制备不同尺寸的聚合物纳米管阵列，从而调整并联微电容的数量；电介质可以是聚偏氟乙烯、聚苯乙烯等不同介电常数的聚合物；聚合物管的不同形成工艺可以制备不同的纳米储能电容。本发明的有益效果是：本发明通过模板法制备本管状纳米结构，可以实现纳米级电容储能、纳米管阵列形状可调且制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN117103821A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311077529.9
申请日：2023-08-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: B32B27/36 , B32B27/06 , B32B7/12 , B29C41/30 , B29C41/32 , H01G4/33 , H01G4/18 , C09J163/00 , C09J11/04
Abstract: 本发明提供了一种多层复合电介质薄膜及其制备方法和应用，该方法包括：向绝缘纳米片分散液中加入双组分胶粘剂的主剂分散后再加入双组分胶粘剂的固化剂后制得混合溶液；以所述混合溶液为原料，将所述混合溶液均匀涂覆在第一膜层上，形成第二膜层；在所述第二膜层上贴合第三膜层。采用本身具有高击穿强度特性的聚合物薄膜作为上下两层膜；中间层为BNNSs和聚合物胶粘剂，起到连接上下两层聚合物膜，构建多层结构，阻碍击穿路径延伸的作用，同时阻碍了载流子的传递，抑制传导损耗。多层复合电介质薄膜具有优异的储能特性，放电能量密度最高可达9.11J/cm3，同时充放电效率可达95％。本发明提供的多层复合电介质薄膜在电容器储能领域中有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115216008A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210973836.4
申请日：2022-08-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种聚六氢三嗪结构的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用，属于高分子电工、电子技术领域；包括：S1.将氨基单体、4,4'‑(4,4'‑异丙基二苯氧基)双(邻苯二甲酸酐)在溶剂中进行第一聚合反应，得到氨基封端聚酰胺酸溶液；氨基单体包括4,4'‑二氨基二苯醚、4,4'‑二氨基二苯二硫醚或1,3‑双(4'‑氨基苯氧基)苯；S2.将聚酰胺酸溶液与有机溶剂进行共沸除水处理，得到聚酰亚胺低聚物粉末；S3.将其与醛基交联剂进行第二聚合反应；S4.将其在80‑300℃下进行热交联反应。本发明薄膜具有优异的降解能力，能进行多次回收和修复，兼具可调介电常数和机械性能、高热稳定性、高绝缘特性以及优异的绝缘性能恢复能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114133570B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202111357927.7
申请日：2021-11-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: C08G77/388 , C08G77/385 , C09K11/06
Abstract: 本发明公开了一种自修复聚硅氧烷弹性体，所述聚硅氧烷弹性体以氨丙基双封端聚二甲基硅氧烷(NH2‑PDMS‑NH2)、二异氰酸酯和由柠檬酸转化的柠檬酰氯为原料进行反应制得。本发明以两种不同的二异氰酸酯与氨丙基双封端的聚二甲基硅氧烷在室温下进行反应，异氰酸酯基与氨基生成氨基甲酸酯。氨基甲酸酯之间形成氢键，生成物理交联。然后控制反应条件，使制备得到的柠檬酰氯的两个酰氯基团与氨基反应生成酰胺键。酰胺键的生成以及氢键的作用使弹性体在特定波长下的荧光特性。本发明适用于高分子智能材料领域。
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公开(公告)号：CN114874474A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210405842.X
申请日：2022-04-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种耐高温高储能全有机聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法和应用，属于薄膜电容器领域。包括：将二胺单体和二酐单体通过聚合反应得到聚酰胺酸溶液，将其与聚氨酯混合，再进行热酰亚胺化处理，得到全有机聚酰亚胺复合薄膜。在本发明中，引入聚氨酯可以获得介电常数和击穿场强的协同提升，从而在高温下获得了高的能量密度。实施例的结果显示，本发明制备的全有机聚酰亚胺复合薄膜在150℃下获得了最高的放电能量密度为4.1J·cm‑3。同时该薄膜具有制备工艺简单，易于大批量生产的优点，在高温下应用的薄膜电容器储能设备中具有良好的前景。
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公开(公告)号：CN114426698A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210241681.5
申请日：2022-03-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种超低介电多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法。所述多孔聚酰亚胺薄膜采用芳香族二酐和二胺作为聚合单体，离子液体1‑丁基‑3‑甲基咪唑四氟硼酸盐([BMIM][BF4])作为致孔剂，通过原位聚合和共混的方法制备了20～40μm的薄膜，薄膜的介电常数为1.50～2.84。聚合过程中涉及的氨基总量与酸酐基总量的摩尔比为1：1，[BMIM][BF4]在整个体系中所占的体积分数为0～85vol％。该多孔聚酰亚胺薄膜具有超低的介电常数、良好的热稳定性、优异的疏水和吸波性能，在柔性电路板、微电子封装、国防及航空航天等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109438807B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811269712.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及功能材料技术领域，具体涉及一种绝缘材料及其制备方法和应用。本发明以低密度聚乙烯树脂为基料，利用少量不同支链的支化聚乙烯对低密度聚乙烯基料进行改性，两种材料相容性好，且引入了深能级陷阱，能够捕捉注入电荷形成空间电荷，在实际使用过程中，电极注入的电荷首先被电极‑绝缘材料界面附近的深能级陷阱捕获，这些陷阱电荷积累形成陷阱电荷层，极大地降低了界面电场，从而大幅度降低了电荷注入速率并及时将注入的材料内部的少量电荷导出，因而抑制了材料体内同极性空间电荷的积累，并同时弱化了界面附近的杂质电离，从而抑制了电极界面附近异极性空间电荷的形成，达到有效抑制空间电荷积累的目的，可用作高压直流电缆绝缘材料。
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公开(公告)号：CN109438807A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811269712.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及功能材料技术领域，具体涉及一种绝缘材料及其制备方法和应用。本发明以低密度聚乙烯树脂为基料，利用少量不同支链的支化聚乙烯对低密度聚乙烯基料进行改性，两种材料相容性好，且引入了深能级陷阱，能够捕捉注入电荷形成空间电荷，在实际使用过程中，电极注入的电荷首先被电极-绝缘材料界面附近的深能级陷阱捕获，这些陷阱电荷积累形成陷阱电荷层，极大地降低了界面电场，从而大幅度降低了电荷注入速率并及时将注入的材料内部的少量电荷导出，因而抑制了材料体内同极性空间电荷的积累，并同时弱化了界面附近的杂质电离，从而抑制了电极界面附近异极性空间电荷的形成，达到有效抑制空间电荷积累的目的，可用作高压直流电缆绝缘材料。
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