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公开(公告)号：CN119269869A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411325722.4
申请日：2024-09-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及电力系统电流测量技术领域，具体涉及一种高精度电流传感器及其设计方法和装置、电路结构及芯片，在所述高精度电流传感器中，通过在原有TMR惠斯通电桥的基础上添加了一个精密电阻惠斯通电桥，采用了4个阻值相同的精密电阻，使得4个精密电阻分别并联在原有TMR惠斯通电桥中4个TMR单元的两端，且精密电阻的阻值小于TMR单元的阻值。本公开削弱了由于TMR单元的阻值的不匹配造成的零偏，同时也衰减了由于温度造成的温偏，且由于精密电阻的阻值不受磁场的影响，故由于TMR元件的磁滞带来的影响也被大大减小了，从而实现了有效减小了零偏、温漂与磁滞的高精度电流传感器。
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公开(公告)号：CN117794348A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311380067.8
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，属于电子技术领域。霍尔元件包括：基底；一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。本发明的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。
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公开(公告)号：CN117148249A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311398272.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
Inventor： 王浩 , 李良 , 杜君 , 王祥 , 李佩笑 , 姜帅 , 方东明 , 孙恒超 , 王蔓蓉 , 季润可 , 陶毅 , 刘紫威 , 李岩 , 李胜芳 , 牛长胜 , 闻志国 , 董贤光 , 孙艳玲
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域，提供一种磁敏传感芯片测试装置及方法、磁敏传感芯片。所述磁敏传感芯片测试装置包括信号发生模块、高频电流放大模块、通电线圈、聚磁环以及示波器，通电线圈的导线缠绕于聚磁环的一侧，聚磁环的另一侧具有用于放置磁敏传感芯片的间隙，放置于间隙内的磁敏传感芯片的信号输出端与示波器连接；信号发生模块用于输出不同频率的波形信号；高频电流放大模块用于调节波形信号的幅值；通电线圈和聚磁环用于产生幅值增大的磁场，使通电线圈传导的波形信号在幅值增大的磁场作用下，在聚磁环的间隙内产生用于测试磁敏传感芯片的高频磁场信号或脉冲磁场信号。本发明低成本实现对线性磁敏传感芯片带宽及响应时间的测试。
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公开(公告)号：CN117098447A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311364146.X
申请日：2023-10-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种垂直霍尔传感器及制造方法、芯片。所述垂直霍尔传感器包括：硅衬底、垂直嵌入硅衬底内的电源激励电极以及形成于硅衬底表面的霍尔电压检测电极，电源激励电极包括至少一个外围电源激励电极以及至少一个中间电源激励电极，霍尔电压检测电极位于外围电源激励电极与中间电源激励电极之间。其中，电源激励电极是通过在硅衬底中刻蚀形成深沟槽，在深沟槽内填充重掺杂的多晶硅和金属形成的。本发明采用沟槽电极结构的电源激励电极，避免了离子注入工艺形成掺杂区不均匀的问题，有效提高垂直霍尔传感器的灵敏度，减小零偏。
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公开(公告)号：CN220399625U
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202321836692.4
申请日：2023-07-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型实施例提供一种霍尔芯片校准结构、系统及霍尔芯片，属于芯片技术领域。所述霍尔芯片校准结构包括：至少一个校验霍尔盘，所述校验霍尔盘的外形与待校准霍尔芯片中用于功能实现的霍尔盘的外形相同；所述校验霍尔盘设置有输入端和输出端，所述校验霍尔盘的输入端与外部激励的输出端连接，所述校验霍尔盘的输出端用于输出霍尔电压。相对于现有技术中采用电路或是模组进行校准，大大减少了校准误差，提高了校准结果的准确度。
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公开(公告)号：CN221354898U
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202322845779.4
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，属于电子技术领域。霍尔元件包括：基底；一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。本实用新型的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。
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