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公开(公告)号:CN102096058B
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201010596375.0
申请日:2010-12-20
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种用于电阻测量的高准确度直流电流比较仪的验证方法和装置,该方法首先将两个或两个以上同标称电阻串并联使其分别构成串联电阻阵列和并联电阻阵列,并联电阻阵列采用四端引线节点结构连接各并联电阻两端节点,并为电阻阵列并联时外接的短路片设置短路补偿;然后通过直流电流比较仪做比例测量,直流电流比较仪分别得出串并联比例示数;采用三组或三组以上标称电阻串并联后经直流电流比较仪做比例测量,根据各组串并联电阻阵列的串并联比例示数的乘积分别与规定的准确度量级的比较,实现该直流电流比较仪的比例验证。该方法能够实现用于电阻测量的高准确度(准确度达10-7-10-8量级)直流电流比较仪的比例误差的准确验证。
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公开(公告)号:CN102183977B
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201110034009.0
申请日:2011-01-31
Applicant: 北京东方计量测试研究所
Inventor: 黄晓钉
IPC: G05D23/24
Abstract: 本发明提供一种可控温电阻器及自控温电阻装置,该可控温电阻器包括电阻和加热板,电阻包括电阻壳体,加热板为柔性电热板并贴合在所述电阻壳体的外表面,柔性电热板内置有金属箔电热丝带,电热丝带呈回线排列,柔性电热板设置有电连接端。本发明的可控温电阻器在使用时无需将其放置在控温罐中就能够实现电阻的恒温,降低了使用成本,增强了其稳定性;本发明涉及的自控温电阻装置的体积大幅度减小,仅为可控温电阻器中的电阻的几倍,可以对可控温电阻器的温度进行精确调节,实现高稳定度控温,保证了电阻对温度稳定的要求。
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公开(公告)号:CN102520237A
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN201110426606.8
申请日:2011-12-19
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明提供一种数字式交直流电流转换测量的装置和方法,改善现有的通过热电变换器作为交直流转换器件实现交直流电流转换测量存在的响应速度慢、输出电压幅度小、易过载烧毁的问题。本发明的装置包括标准直流源、被校交流源、可计算交直流差电阻和具有数据同步采样功能的直流数字电压表,可计算交直流差电阻具有电流正极端引出线、电流负极端引出线、电压正极端引出线和电压负极端引出线,具有数据同步采样功能的直流数字电压表连接电压正极端引出线和电压负极端引出线,标准直流源连接电流正极端引出线和电流负极端引出线,被校交流源连接电流正极端引出线和电流负极端引出线。
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公开(公告)号:CN117807349A
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202311635755.4
申请日:2023-11-30
Applicant: 北京东方计量测试研究所
Abstract: 一种降低频率误差的交流标准电阻,通过调节电容的引入降低频率误差,在此基础上还可以选用温度系数相反、漂移方向相反、偏差相反的小体积器件电阻串联,降低交流电阻的温度系数和偏差,提高了稳定性,满足了交流量子电阻的传递需求,其特征在于,包括第一电阻的左端通过左端节点连接的高端,所述第一电阻的右端通过中间节点连接第二电阻的左端,所述第二电阻的右端通过右端节点连接低端,所述第一电阻和第二电阻的阻值均为交流标准电阻值的1/2,根据设定的交流标准电阻值大小在所述左端节点与右端节点之间或者在所述中间节点与接地端之间接入减小时间常数的补偿电容。
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公开(公告)号:CN117098445B
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202311339985.6
申请日:2023-10-17
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: H10N52/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/68 , C30B25/02 , C23C14/30 , C23C14/18 , C22C5/02 , H10N52/80 , H10N52/01 , H10N52/85
Abstract: 一种低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品及其制作方法,既能在较低磁场条件下复现量子化霍尔电阻效应,又具有较宽量子电阻样品的平台宽度,平台宽度≥0.6T,磁场条件是对应2号平台中心磁场在7T~8T之间,包括砷化镓异质结材料,其具有结合于砷化镓衬底上表面的依次向上叠合的七层结构,第一层是GaAs隔离层,第二层是GaAs/AlGaAs超晶格层,第三层是高纯净度GaAs层,第四层是二维电子气层,第五层是未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层,第六层是掺杂Si的AlxGa1‑xAs层,第七层是GaAs表面层,所述未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层厚度为10nm~30nm,x=0.28~0.32,以使所述二维电子气层的载流子浓度既匹配于与之正相关的量子化霍尔电阻2号平台中心磁场所期望的低磁场。
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公开(公告)号:CN117098445A
公开(公告)日:2023-11-21
申请号:CN202311339985.6
申请日:2023-10-17
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: H10N52/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/68 , C30B25/02 , C23C14/30 , C23C14/18 , C22C5/02 , H10N52/80 , H10N52/01 , H10N52/85
Abstract: 一种低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品及其制作方法,既能在较低磁场条件下复现量子化霍尔电阻效应,又具有较宽量子电阻样品的平台宽度,平台宽度≥0.6T,磁场条件是对应2号平台中心磁场在7T~8T之间,包括砷化镓异质结材料,其具有结合于砷化镓衬底上表面的依次向上叠合的七层结构,第一层是GaAs隔离层,第二层是GaAs/AlGaAs超晶格层,第三层是高纯净度GaAs层,第四层是二维电子气层,第五层是未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层,第六层是掺杂Si的AlxGa1‑xAs层,第七层是GaAs表面层,所述未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层厚度为10nm~30nm,x=0.28~0.32,以使所述二维电子气层的载流子浓度既匹配于与之正相关的量子化霍尔电阻2号平台中心磁场所期望的低磁场。
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公开(公告)号:CN111060749B
公开(公告)日:2022-05-24
申请号:CN201911165146.0
申请日:2019-11-25
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: G01R27/08
Abstract: 一种低场量子电阻测量仪,使用技术成熟、维护成本低的GM制冷机作为冷源进行量子霍尔电阻测量,并通过悬挂机构将多级GM制冷机与杜瓦冷罐相互独立设置以减少振动对量子霍尔电阻芯片的测量不确定度的影响,利用常温下的低频电流比较仪电桥将量子霍尔电阻量值传递给被测电阻,将量子电阻测量仪的测量不确定度保持在10‑8量级,使量子电阻测量仪连续运行成为可能,从设备成本和运行成本上节省大量资金,不需要额外消耗紧缺资源液氦,避免了资源的浪费。采用JT循环系统使量子电阻测量仪即可用石墨烯量子霍尔电阻芯片又可用低场砷化镓量子霍尔电阻芯片进行测量,且设计可拆卸式样品杆,并在样品杆内设置芯片转换装置,提高了设备的通用性。
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公开(公告)号:CN113419097B
公开(公告)日:2021-12-24
申请号:CN202110978409.0
申请日:2021-08-25
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: G01R17/10
Abstract: 一种四端对交流量子电阻传递电桥及方法,包括供电电源S、开尔文支路A1、瓦格纳支路A0、第一源组合网络A2、第二源组合网络A3、微差补偿网络A4、主比例感应分压器IVD2、第一四端对交流电阻连接点Z1、第二四端对交流电阻连接点Z2、扼流圈H和若干指零仪D,沿主比例感应分压器IVD2的绕组外周面绕制低匝数的隔离感应绕组L0,L0为微差补偿网络A4的一次绕组提供激磁电流,避免A4的一次绕组直接连接供电电源S导致的各平衡指零网络相互影响,实现电桥快速平衡。并通过改变微差补偿网络A4的第二感应分压器T2一次绕组L3与二次绕组L4匝比的方法,仅用一套分压电容即可实现多频点的虚部微差补偿,达到虚部平衡,实现多频点的四端对交流量子电阻传递电桥。
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公开(公告)号:CN108008193B
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201711227921.1
申请日:2017-11-29
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: G01R27/08
Abstract: 本发明涉及一种组合式量子霍尔电阻样品比例校验器,包括校验器本体、标称电阻器组、接线端子、共节点接线器、跳线及输出接头;接线端子为多个,固定安装于所述校验器本体上;所述标称电阻器组为多个,每个电阻器组为一个标称阻值的电阻器件,或由多个标称阻值相同的所述电阻器件并联组成,多个标称电阻器组通过多个所述跳线与所述接线端子之间的电路连接,可改变所述电阻器组之间的电路连接方式,进而形成不同的阻值,同时,通过所述跳线与所述接线端子的连接,形成标准四线法测量方式接入所述输出接头。该比例校验器可以解决组合式量子霍尔电阻样品的校验问题,校验误差相对不确定度达到5×10‑8,还可以校准验证常温电流比较仪。
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