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公开(公告)号：CN104144306B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410195215.3
申请日：2014-05-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/232
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14641 , H04N5/3577 , H04N5/3696 , H04N5/37457 , H04N5/376
Abstract: 公开了图像拾取装置。被配置成对驱动线进行驱动的驱动单元的输出阻抗被设定为在提供用于将各传送晶体管设定在导通状态中的驱动脉冲的时段期间和在提供用于将各传送晶体管设定在非导通状态中的驱动脉冲的时段期间被改变。
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公开(公告)号：CN104253138B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410302220.X
申请日：2014-06-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及光电转换装置和成像系统。一种光电转换装置包括：构造第一光电转换元件的第一导电类型的第一半导体区；构造第二光电转换元件的第一导电类型的第二半导体区；第一导电类型的第三半导体区；第一导电类型的第四半导体区；协同构造第一传输晶体管的第一栅电极；以及构造第二传输晶体管的第二栅电极。在半导体基底表面的平面图中在第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的位置处，第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的长度比有源区的长度短，并且第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的长度比第一半导体区的长度长。
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公开(公告)号：CN104124255B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410169731.9
申请日：2014-04-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/232 , H04N5/378
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H04N5/23212 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种成像装置和成像系统。根据本发明的一个实施例是包含像素的成像装置。像素包含第一光电转换单元、第二光电转换单元、浮置扩散部分、第一传送晶体管和第二传送晶体管。第一传送晶体管和第二传送晶体管被配置为向浮置扩散部分传送分别在第一光电转换单元和第二光电转换单元处产生的电载流子。成像装置包括与第一传送晶体管的栅电极电连接的第一导电部件、与第二传送晶体管的栅电极电连接的第二导电部件以及控制单元。第一导电部件与浮置扩散部分之间的最接近距离比第二导电部件与浮置扩散部分之间的最接近距离长。
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公开(公告)号：CN103108142B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210436898.8
申请日：2012-11-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/3696 , H04N5/243 , H04N5/3559 , H04N5/3651 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置。所述固态成像装置具有多个像素和用于放大所述多个像素的信号的放大单元（300）。所述多个像素具有成像像素和聚焦检测像素。所述放大单元以第一增益放大所述成像像素的信号并且以不同于第一增益的第二增益放大所述聚焦检测像素的信号。
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公开(公告)号：CN103151363B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310059322.9
申请日：2010-09-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14831 , H01L27/14603
Abstract: 本发明涉及光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统。本发明的光电转换装置包括：被布置在基板上的多个光电转换元件；用于传送信号电荷的晶体管；和用于读出传送的信号电荷的多个晶体管。多个光电转换元件包含彼此相邻的第一光电转换元件和第二光电转换元件。本发明的光电转换装置包括：被布置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的具有第一导电类型的第一半导体区域；和被布置在布置有多个晶体管的区域上并具有比第一导电类型的第一半导体区域的宽度大的宽度的具有第一导电类型的第二半导体区域。
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公开(公告)号：CN110875337B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201910815585.5
申请日：2019-08-30
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明提供光电转换设备、摄像系统、移动体以及可堆叠半导体设备。单位电路包括：光电转换元件；输出晶体管，其包括输入节点并被构造为输出基于来自光电转换元件的电荷的信号；复位晶体管；以及第一晶体管，其连接到输入节点并被构造为改变输入节点的电容。向第一晶体管的栅电极提供的第一控制信号至少具有三种类型的电压。
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公开(公告)号：CN106060405A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610575546.9
申请日：2012-11-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/232 , H04N5/369 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/335 , H04N5/23212 , H04N5/343 , H04N5/3532 , H04N5/3535 , H04N5/3696 , H04N5/3745 , H04N5/37457
Abstract: 一种用于驱动图像拾取装置的方法。通过第一操作生成用于焦点检测的信号，在第一操作中，把光电转换单元中包括的至少一个光电转换元件的信号读取到放大单元的输入节点并且该信号通过放大单元被提供给公共输出线；并且通过第二操作生成用于形成图像的信号，在第二操作中，在使用放大单元保持在第一操作中读取的信号的同时，与在第一操作中已经被读取信号的至少一个光电转换元件包括在同一光电转换单元中的另一光电转换元件的信号读取到放大单元的输入节点，相加后的信号通过该放大单元被提供给该公共输出线。
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公开(公告)号：CN104427265A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410419618.1
申请日：2014-08-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/345 , H04N5/347 , H04N5/37457
Abstract: 本公开内容涉及成像装置、成像系统以及用于驱动成像装置的方法。成像装置具有多个像素，每个像素具有多个光电转换单元；产生通过将基于一侧的光电转换单元的电荷的信号彼此组合而获得的多个第一组合信号、以及通过将基于所述多个光电转换单元的电荷的信号彼此组合而获得的多个第二组合信号；并且输出所述多个第一组合信号之中的一部分第一组合信号。
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公开(公告)号：CN104253138A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410302220.X
申请日：2014-06-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及光电转换装置和成像系统。一种光电转换装置包括：构造第一光电转换元件的第一导电类型的第一半导体区；构造第二光电转换元件的第一导电类型的第二半导体区；第一导电类型的第三半导体区；第一导电类型的第四半导体区；协同构造第一传输晶体管的第一栅电极；以及构造第二传输晶体管的第二栅电极。在半导体基底表面的平面图中在第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的位置处，第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的长度比有源区的长度短，并且第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的长度比第一半导体区的长度长。
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公开(公告)号：CN104124255A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410169731.9
申请日：2014-04-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H04N5/23212 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种成像装置和成像系统。根据本发明的一个实施例是包含像素的成像装置。像素包含第一光电转换单元、第二光电转换单元、浮置扩散部分、第一传送晶体管和第二传送晶体管。第一传送晶体管和第二传送晶体管被配置为向浮置扩散部分传送分别在第一光电转换单元和第二光电转换单元处产生的电载流子。成像装置包括与第一传送晶体管的栅电极电连接的第一导电部件、与第二传送晶体管的栅电极电连接的第二导电部件以及控制单元。第一导电部件与浮置扩散部分之间的最接近距离比第二导电部件与浮置扩散部分之间的最接近距离长。
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