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公开(公告)号:CN105739262B
公开(公告)日:2018-12-25
申请号:CN201510996408.3
申请日:2015-12-25
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及电子照相用构件及其生产方法、处理盒、和电子照相设备。提供即使在高温高湿环境下长期保存和使用仍不降低电荷提供性能、并因此有利于高品质电子照相图像的形成的电子照相用构件。电子照相用构件包括:导电性基体;和导电层,其中:导电层包含在其分子内具有阳离子性有机基团的树脂和阴离子;导电层中碱金属和碱土金属的含量的总和为500ppm以下;阴离子包括选自由氟化磺酸根阴离子、氟化羧酸根阴离子、氟化磺酰基酰亚胺阴离子、氟化磺酰基甲基化物阴离子、氟化烷基氟代硼酸根阴离子、氟化磷酸根阴离子、氟化锑酸根阴离子、和氟化砷酸根阴离子组成的组的至少一种。
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公开(公告)号:CN105093875B
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201510246726.8
申请日:2015-05-14
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及电子照相用构件、处理盒和电子照相设备。本发明提供即使当在高温高湿环境下贮存或使用时也具有优异的变形恢复性、对形成高品质电子照相图像有用的电子照相用构件;处理盒;和电子照相设备。本发明的电子照相用构件包括导电性芯轴和导电层;所述导电层包含由离子导电剂和能够与所述离子导电剂反应的化合物合成的树脂;离子导电剂包含特定的阴离子和具有至少3个羟基的阳离子;所述化合物能够与羟基反应。
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公开(公告)号:CN105093876B
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201510247012.9
申请日:2015-05-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/043 , G03G5/0567 , G03G5/0575 , G03G15/0233 , G03G15/0818 , G03G15/1685
Abstract: 本发明涉及电子照相用构件、处理盒和电子照相图像形成设备。本发明提供导电层中含有离子交换基团结构的电子照相用导电性构件,由此抑制了离子导电剂渗出到导电层的表面并且由通电引起的导电性的降低少。为此目的,本发明的电子照相用构件为具有导电性芯轴和导电层的电子照相用构件,其中所述导电层包含在分子中具有任一种以上的由特定的式(1)至(7)表示的部分结构的树脂,和阴离子。
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公开(公告)号:CN105739262A
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201510996408.3
申请日:2015-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G15/75 , B05D3/0254 , G03G15/0808 , G03G2215/00957 , G03G15/0233 , G03G15/0818 , G03G15/162 , G03G21/0058
Abstract: 本发明涉及电子照相用构件及其生产方法、处理盒、和电子照相设备。提供即使在高温高湿环境下长期保存和使用仍不降低电荷提供性能、并因此有利于高品质电子照相图像的形成的电子照相用构件。电子照相用构件包括:导电性基体;和导电层,其中:导电层包含在其分子内具有阳离子性有机基团的树脂和阴离子;导电层中碱金属和碱土金属的含量的总和为500ppm以下;阴离子包括选自由氟化磺酸根阴离子、氟化羧酸根阴离子、氟化磺酰基酰亚胺阴离子、氟化磺酰基甲基化物阴离子、氟化烷基氟代硼酸根阴离子、氟化磷酸根阴离子、氟化锑酸根阴离子、和氟化砷酸根阴离子组成的组的至少一种。
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公开(公告)号:CN105085284A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201510246116.8
申请日:2015-05-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C07C215/40 , C07D295/088 , C07D233/61 , C07D213/04 , C07C217/08 , C07C311/48 , C07D285/16 , C08G18/32 , C08L75/08
CPC classification number: H01B1/122 , C07C215/10 , C07C215/12 , C07C215/14 , C07C215/18 , C07C215/40 , C07C217/08 , C07C311/09 , C07C311/32 , C07C311/48 , C07D207/06 , C07D213/04 , C07D233/61 , C07D285/15 , C08G18/0814 , C08G18/3275 , C08G18/3278 , C08G18/3281 , C08G18/3284 , C08G18/3861 , C08G18/48 , C08G18/7671 , H01B1/125
Abstract: 提供各自具有优良的导电性的羟基化合物和离子导电剂。还提供通过羟基化合物的使用抑制渗出且导电性优良的导电性树脂组合物。具体地,提供由以下通式(1)表示的羟基化合物,和包含羟基化合物的离子导电剂。通式(1)。
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