充电构件、充电构件的制造方法、电子照相设备和处理盒

    公开(公告)号:CN110389508B

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN201910308526.9

    申请日:2019-04-17

    Abstract: 本发明涉及充电构件、充电构件的制造方法、电子照相设备和处理盒。公开了一种充电构件,其包括导电性支承体;和弹性层,弹性层为其表面层且由单层构成,弹性层包括区域和基体,充电构件的外表面由基体的表面和区域的表面构成,并且充电构件在外表面上具有凹部,在各凹部的底部存在区域,并且区域仅在各凹部的底部在充电构件的外表面露出,弹性层的体积电阻率为1×105Ωcm以上且1×108Ωcm以下,和A2为A1的20倍以上,其中A1和A2为通过指定方法得到的电流值。

    充电构件、处理盒和电子照相设备

    公开(公告)号:CN103502895B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201280020428.1

    申请日:2012-04-24

    CPC classification number: G03G15/0233

    Abstract: 提供在低-中-高速电子照相设备中在不需要预曝光装置下具有充分的带电性能并可以使感光构件均匀带电的充电构件。还提供可以防止发生多色重影图像或类似地可以稳定地形成高级电子照相图像的处理盒和电子照相设备。所述充电构件包括基体、弹性层和表面层,其中所述表面层包含具有Si-O-Nb键的高分子化合物;所述高分子化合物具有由下式(1)表示的构成单元和由下式(2)表示的构成单元:式(1)式(2)NbO5/2。

    充电构件、充电构件的制造方法、电子照相设备和处理盒

    公开(公告)号:CN103502896A

    公开(公告)日:2014-01-08

    申请号:CN201280020838.6

    申请日:2012-04-24

    CPC classification number: G03G15/0233 Y10T428/24355

    Abstract: 本发明提供几乎不发生清洁不良的充电构件,结果,抑制由电子照相设备产生的图像中纵条纹的形成。所述充电构件包含支承体、弹性层和表面层。所述表面层包含具有选自Si-O-M键和Si-O-Ta键的至少一种键、选自M-O-Ge键和Ta-O-Ge键的至少一种键以及Si-O-Ge键的高分子化合物。M为选自由Ti、Zr和Hf组成的组的元素。该高分子化合物具有由式(1)和(2)表示的结构单元以及由式(3)和/或(4)表示的结构单元。所述充电构件具有从它的表面延伸到所述弹性层的龟裂,并且该龟裂的边缘凸起。结果,使充电构件的表面粗糙。式(1)、式(2)Ge04/2、式(3)MO4/2、式(4)Ta05/2。

    充电构件及其制造方法
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103124931A

    公开(公告)日:2013-05-29

    申请号:CN201180046496.0

    申请日:2011-09-22

    CPC classification number: G03G15/0233 Y10T428/24479

    Abstract: 提供具有粗糙化表面并且能够抑制污物对表面的附着的充电构件。所述充电构件具有支承构件、弹性层和表面层,其中表面层包含具有Si-O-M键、具有选自由通式(1)和通式(2)表示的结构单元的至少一种结构单元并且具有由通式(3)表示的结构单元的高分子化合物。所述充电构件具有在其表面中延伸至弹性层的龟裂;所述龟裂在其边缘附近以凸状隆起。结果,使充电构件表面粗糙化。通式(1)MO4/2通式(2)MO5/2通式(3)

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