记录介质
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102336083B

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:CN201110196315.4

    申请日:2011-07-14

    CPC classification number: B41M5/5218 B41M5/52 B41M5/5227 B41M5/5254

    Abstract: 记录介质在基材上包括墨接受层,其中该墨接受层含有水合氧化铝、C1-4烷基磺酸和通式(1):X1-R1-(S)n-R2-X2的化合物的盐,其中n表示1或2;X1和X2各自独立地表示H、NH2或COOH,并且X1和X2的至少一个表示NH2或COOH;R1和R2各自独立地表示亚烷基、亚芳基或亚杂芳基,并且它们可彼此键合以形成环,设C1-4烷基磺酸的比例为A质量%,相对于水合氧化铝时,A在1.0-2.0的范围内,并且设通式(1)的化合物的盐的比例为B质量%,相对于水合氧化铝时,B在0.5-5.0的范围内。

    记录介质
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103507463A

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN201310258590.3

    申请日:2013-06-26

    Abstract: 本发明涉及一种记录介质。记录介质包括原纸、配置于所述原纸上的聚合物层和配置于所述聚合物层上的墨接收层。所述原纸具有50μm以上且130μm以下的厚度。所述聚合物层具有20μm以上且60μm以下的厚度。聚合物层具有0.12μm以上且0.18μm以下的算术平均表面粗糙度Ra1。聚合物层具有0.01mm以上和0.20mm以下的粗糙度曲线要素平均长度RSm。记录介质具有0.13μm以下的算术平均表面粗糙度Ra2。

Patent Agency Ranking