覆金属聚酰亚胺基板的制造方法

    公开(公告)号:CN101350315A

    公开(公告)日:2009-01-21

    申请号:CN200810096944.8

    申请日:2008-05-12

    Abstract: 本发明提供能够降低加热覆金属聚酰亚胺基板时尺寸变化的分散性、当作为COF使用时可在经受的热量下进行稳固地接合、并且可以改善不合格率的覆金属聚酰亚胺基板的制造方法。该方法是包括在聚酰亚胺片表面上形成金属覆膜的溅射工序、以及采用连续电镀装置在所得的金属覆膜上形成金属导电体的电镀工序的制造方法,其特征在于满足下述(1)和(2)的条件,(1)在上述溅射工序中,形成的金属覆膜的表面电阻控制为0.1~1.0Ω/□;(2)在上述电镀工序中,全部电镀槽的平均阴极电流密度控制为1~3A/dm2,以及各电镀槽中阴极电流密度的最大值相对于最小值的比控制为1~5,同时,薄片输送速度调节为80~300m/h。

    合金的处理方法
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117916396A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202280058789.9

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本发明提供从废锂离子电池等含镍和/或钴以及铜的合金高效地获得含镍和/或钴的溶液的方法。本发明是一种由含有镍和/或钴以及铜的合金获得含镍和/或钴的溶液的合金的处理方法,包括在硫化剂共存的状态下对包含合金的浆料实施利用酸溶液的浸出处理来得到浸出液和浸出残渣的浸出工序。在浸出工序中,将包含合金的浆料的初始浓度调整为100g/L以上且250g/L以下来实施浸出处理。在浸出工序中,优选一边将氧化还原电位(将参比电极设为银/氯化银电极)控制在200mV以下一边实施浸出处理。在浸出工序中,优选使硫化剂以相对于合金所含的铜的量为1.05~1.25当量(S‑mol/Cu‑mol)的范围的量共存来实施浸出处理。

    铋的提纯方法
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117568624A

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311623098.1

    申请日:2017-01-30

    Abstract: 一种从由铜电解泥回收贵金属后得到的液体中回收铋的铋提纯方法,由六个工序构成:1)中和处理工序,在酸性溶液中添加碱,将pH调节为2.0以上且3.0以下的范围,然后进行固液分离,得到中和滤液和中和沉淀物;2)碱浸出工序,在由中和处理工序得到的中和沉淀物中添加碱,分离成碱浸出液和碱浸出残渣;3)硫酸浸出工序,在碱浸出残渣中添加硫酸,分离成硫酸浸出液和硫酸浸出残渣;4)冷却工序,将由硫酸浸出工序得到的硫酸浸出液冷却,得到硫酸铋结晶;5)铋氧化工序,在由冷却工序得到的硫酸铋的结晶中加入碱,得到氧化铋;6)电解工序,在由铋氧化工序得到的氧化铋中添加酸溶液以使所述氧化铋溶解,对得到的溶解液进行电解提取,得到金属铋。

    铋的提纯方法
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109312423A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201780037819.7

    申请日:2017-01-30

    Abstract: 一种从由铜电解泥回收贵金属后得到的液体中回收铋的铋提纯方法。其特征在于,由以下六个工序构成:1)中和处理工序,在酸性溶液中添加碱,将pH调节为2.0以上且3.0以下的范围,然后进行固液分离,得到中和滤液和中和沉淀物;2)碱浸出工序,在由中和处理工序得到的中和沉淀物中添加碱,分离成碱浸出液和碱浸出残渣;3)硫酸浸出工序,在碱浸出残渣中添加硫酸,分离成硫酸浸出液和硫酸浸出残渣;4)冷却工序,将由硫酸浸出工序得到的硫酸浸出液冷却,得到硫酸铋结晶;5)铋氧化工序,在由冷却工序得到的硫酸铋的结晶中加入碱,得到氧化铋;6)电解工序,在由铋氧化工序得到的氧化铋中添加酸溶液进行溶解,对得到的溶解液进行电解提取,得到金属铋。

    2层挠性配线用基板及使用其的挠性配线板

    公开(公告)号:CN104582257B

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201410569301.6

    申请日:2014-10-22

    Abstract: 本发明提供耐折性优异的2层挠性配线用基板及使用了该2层挠性配线用基板的挠性配线板。2层挠性配线用基板为设有不借助粘接剂而在聚酰亚胺膜的表面由镍合金构成的基底金属层和在所述基底金属层的表面设置的铜层的层合结构的2层挠性配线用基板,其中,在由JIS C-5016-1994规定的耐折性试验的实施前后得到的所述铜层的结晶配向比[(200)/(111)]之差d[(200)/(111)]为0.03以上,所述铜层的(111)面的结晶配向度指数为1.2以上,晶粒直径为300nm以上。

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