公开(公告)号：CN102422425A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020696.4

申请日：2010-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  原田真 ,  增田健良 ,  穗永美纱子 ,  西口太郎 ,  佐佐木信 ,  藤原伸介 ,  并川靖生

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明公开了一种IGBT(100)，其为能降低导通电阻并同时抑制缺陷产生的垂直型IGBT，且包含：碳化硅衬底(1)、漂移层(3)、阱区(4)、n+区(5)、发射极接触电极(92)、栅氧化物膜(91)、栅极(93)以及集电极(96)。所述碳化硅衬底(1)包含：由碳化硅制成并具有p型导电性的基础层(10)；和由单晶碳化硅制成并布置在所述基础层(10)上的SiC层(20)。所述基础层(10)具有超过1×1018cm-3的p型杂质浓度。

公开(公告)号：CN302587640S

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201330096423.4

申请日：2013-04-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Designer： 穗永美纱子 ,  增田健良

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：半导体元件耐压测定夹具。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于测定半导体元件的耐受电压。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计2俯视图。5．指定基本设计：设计2。