公开(公告)号：CN106449380A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610804072.0

申请日：2013-06-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透 ,  内田光亮 ,  增田健良

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/16 ,  H01L21/335 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/34

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/049 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/324 ,  H01L29/045 ,  H01L29/34 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体器件。所述碳化硅半导体器件包括：碳化硅衬底、氧化物膜、栅电极、以及第一电极和第二电极。所述第一电极和所述第二电极被配置为使得能够通过施加到所述栅电极的栅极电压来控制在所述第一电极和所述第二电极之间流动的电流。首次测量的所述碳化硅半导体器件的第一阈值电压和已经向所述碳化硅半导体器件连续施加了1000小时应力之后测量的所述碳化硅半导体器件的第二阈值电压之间的差在±0.2V以内。所述应力的施加是在所述第一电极的电压是0V并且所述第二电极的电压是0V的情况下，向所述栅电极施加45kHz的、从-5V到+15V变化的所述栅极电压。

公开(公告)号：CN105304713A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510434885.0

申请日：2015-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 内田光亮 ,  日吉透

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/78 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体器件。提供了一种具有改善的开关特性的碳化硅半导体器件。MOSFET包括碳化硅层、栅极绝缘膜、栅电极和源电极。碳化硅层包括漂移区、体区和接触区。在主表面中，源电极与接触区相接触。MOSFET被配置成使得源电极相对于接触区的接触电阻不小于1×10-4Ωcm2且不大于1×10-1Ωcm2。而且，当在主表面的平面图中看时，接触区的面积不小于体区的面积的10％。