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公开(公告)号:CN113557611A
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN202080020495.8
申请日:2020-03-02
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , B41J2/14 , C04B35/495
Abstract: 在铌酸钾钠系的压电陶瓷组合物中,发生斜方晶系的晶体结构与正方晶系的晶体结构之间的相转变的转变温度存在于‑20℃以上60℃以下的温度区域。将在该温度区域晶体结构为斜方晶系时的线膨胀系数设为αo,将晶体结构为正方晶系时的线膨胀系数设为αt时,αt/αo为0.72以上。
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公开(公告)号:CN104756515B
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201380054759.1
申请日:2013-09-27
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H04R17/10 , H04R1/22 , H04R1/2811 , H04R7/045 , H04R31/00 , H04R2499/11 , H04R2499/15
Abstract: 提供一种能在宽频域中产生声压高的声音的音响产生器以及使用该音响产生器的电子设备。音响产生器具有:振动体(3);激振器(1),其安装于振动体(3),且通过自身振动,来使振动体(3)在振动体(3)的厚度方向上进行弯曲振动;壳体(21),其与振动体(3)相接合,且与振动体(3)一起形成所包围的第1空间(22);以及通道(23),其将第1空间(22)与外部空间相连接;振动体(3)与壳体(21)的对置于振动体(3)的表面之间的间隔比振动体(3)的弯曲振动中的频率最低的共振的波长的1/2的长度小。
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公开(公告)号:CN104335602B
公开(公告)日:2017-11-14
申请号:CN201380027457.5
申请日:2013-05-31
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H04R7/04 , H01L41/083 , H01L41/09 , H04R1/28 , H04R17/00
CPC classification number: H04R17/00 , B06B1/0611 , G10K11/002 , H04R1/00 , H04R7/04 , H04R2400/11
Abstract: 本发明的课题在于获得具有良好的声压的频率特性的音响产生器。为了解决这一课题,实施方式所涉及的音响产生器(1)具备压电元件(激振器)(5)、振动体(3a)、框体(支撑体)(2)以及阻尼件(8)。上述压电元件(5)接受电信号的输入而发生振动。上述振动体(3a)安装有上述压电元件(5),并通过该压电元件(5)的振动而发生振动。上述框体(2)对上述振动体(3a)进行支撑。上述阻尼件(8)设置为与在俯视时相邻的刚性彼此不同的两部分所组成的配对的双方相接触。
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公开(公告)号:CN103797820B
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201380001366.4
申请日:2013-06-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H04R17/00 , H01L41/053 , H01L41/083 , H01L41/09 , H04R1/02 , H04R1/28 , H04R7/04
CPC classification number: H04R17/005 , G10K9/125 , G10K11/002 , H04R1/00 , H04R1/02 , H04R17/00
Abstract: 本发明的课题在于减小声压频率特性中的声压的偏差。为了解决该课题,声发生器具有成为支撑板的薄膜、设置于该薄膜的外周部的框部件、设置于该框部件的框内的薄膜上的压电元件、和设置于框部件的框内的所述薄膜上的树脂层,树脂层具有气泡。在通过这样的气泡来抑制声压的下降的同时,减小声压频率特性中的波峰、波谷,产生高音质的声音。
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