公开(公告)号：CN110249527A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201880010083.9

申请日：2018-02-14

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 岸野哲也 ,  伊藤干

IPC: H03H9/25

Abstract: 弹性波元件具备：IDT电极，其具备多个电极指，激振声表面波；第1基板，所述IDT电极位于其上表面，是小于以所述多个电极指的重复间隔的2倍定义的声表面波波长λ的厚度，由压电晶体构成；和第2基板，其与所述第1基板的下表面接合，是面取向(100)面或(110)面以及与它们等效的面的Si单晶构成的基板，在从重合的所述第1基板的上表面观察时，相对于弹性波的传播方向，与所述Si单晶的基板表面平行的晶轴以25°～65°、115°～155°、205°～254°以及295°～345°的任一者的角度倾斜。

公开(公告)号：CN109075770A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780028320.X

申请日：2017-05-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  岸野哲也

IPC: H03H9/25

Abstract: 一种复合基板(1)，具备：第1基板(10)，包含压电单晶体；和第2基板(20)，包含与所述第1基板10接合的硅单晶体，所述第2基板(20)的面取向为(111)，使欧拉角(θ，ψ)的ψ从0°偏离。由此，能够减少特定频带的体波寄生。

公开(公告)号：CN103384961A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201280009241.1

申请日：2012-03-13

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 岸野哲也

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/54 ,  H03H9/1085 ,  H03H9/1452 ,  H03H9/14541 ,  H03H9/14547 ,  H03H9/14579

Abstract: SAW元件(1)的IDT电极(5)具有：第1母线(21A)以及第2母线(21B)；从这些母线(21)起延伸且相互交叉的多个第1电极指(23A)以及多个第2电极指(23B)；从母线(21)起延伸、且前端与多个第2电极指(23B)以及多个第1电极指(23A)的前端隔着间隙(s1)对置的多个第1虚拟电极(25A)以及多个第2虚拟电极(25B)；从多个第1虚拟电极(25A)的前端侧部分起向其侧方突出的多个第1辅助电极(27A)；以及从多个第2虚拟电极(25B)的前端侧部分起向其侧方突出的多个第2辅助电极(27B)。多个第1辅助电极(27A)在第2母线(21B)侧的缘部(27a)越往前端侧去越靠第2母线(21B)侧。

公开(公告)号：CN111149296B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201880063711.X

申请日：2018-10-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干 ,  岸野哲也 ,  野添惣一朗

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

Abstract: 本公开的复合基板具备：由钽酸锂晶体构成且欧拉角为(0、α、γ)的第1基板10；以及由与所述第1基板10接合的硅单晶构成且欧拉角为(‑45、‑54.7、β)的第2基板20，α为‑40°～‑60°或120°～140°，γ为0°或180°，并且满足以下情况的任一者。(1)为β＝γ±20°以内以及其等效的取向，(2)γ+160°≤β≤γ+200°。

公开(公告)号：CN116158000A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180061574.8

申请日：2021-09-10

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 岸野哲也

IPC: H03H9/72

Abstract: 在分波器中，将具有在发送频带内的相互不同的频率的2个信号同时输入到发送端子。连接到天线端子的发送滤波器系统以及接收滤波器系统共用第一混合器。2个发送滤波器和第二混合器位于第一混合器与发送端子之间。接收滤波器位于第一混合器与接收端子之间。

公开(公告)号：CN109075763B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201780025316.8

申请日：2017-04-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 河口正哉 ,  岸野哲也

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25

Abstract: 提供可抑制损耗的弹性波元件。一种弹性波元件(1)，在具备被连接于相互不同的电位且相互空开间隔配置的第一电极指(32a)和第二电极指(32b)的IDT电极(3)中，第一电极指(32b)具备第一前端部(34a)，第一电极指(32a)以及第二电极指(32b)的任意一方在与沿着弹性波传播方向延伸的第一前端部(34a)重叠的前端区域具备增加部(Sh)，在该增加部(Sh)，相对于第一电极指(32a)与第二电极指(32b)延伸的方向上的每单位长度的电极体积比电极指交叉的中央区域大。

公开(公告)号：CN108496308B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201780007791.2

申请日：2017-01-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干 ,  岸野哲也 ,  仲井刚

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

Abstract: SAW谐振器具有压电基板、IDT电极和一对反射器。IDT电极具有在压电基板上排列于SAW的传播方向的多个电极指。一对反射器在压电基板上相对于多个电极指而位于传播方向的两侧。再有，IDT电极具有分别被分配多个电极指且谐振频率相互不同的多个区域。多个区域包括至少三个区域。所有区域内第二高的谐振频率比所有区域内最低的谐振频率与所有区域内最高的谐振频率的中间值低。

公开(公告)号：CN111937305A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201980024654.9

申请日：2019-04-03

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 岸野哲也

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25

Abstract: 在SAW元件中，压电体层在支承基板上重叠。IDT电极具有主区域和其两侧的两个端部区域。端部区域从电极指设计进行了调整的部位起直到端部而连续。由反射器电极指的电极指设计决定的谐振频率低于由主区域的电极指的电极指设计决定的谐振频率。将在主区域中电极指的中心间间隔设为a。将构成端部区域的电极指的数量设为m。将主区域的电极指中位于最靠近端部区域一侧的位置的电极指的中心与反射器电极指中位于最靠近端部区域一侧的位置的反射器电极指的中心的距离设为x。此时，满足0.5×a×(m+1)＜x＜a×(m+1)。

公开(公告)号：CN111149296A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880063711.X

申请日：2018-10-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干 ,  岸野哲也 ,  野添惣一朗

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

Abstract: 本公开的复合基板具备：由钽酸锂晶体构成且欧拉角为(0、α、γ)的第1基板10；以及由与所述第1基板10接合的硅单晶构成且欧拉角为(-45、-54.7、β)的第2基板20，α为-40°～-60°或120°～140°，γ为0°或180°，并且满足以下情况的任一者。(1)为β＝γ±20°以内以及其等效的取向，(2)γ+160°≤β≤γ+200°。

公开(公告)号：CN110832774A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880044598.0

申请日：2018-07-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 野添惣一朗 ,  岸野哲也

IPC: H03H9/25

Abstract: 弹性波元件(1)具备：IDT电极(3)，具备多个电极指(32)并激发声表面波；第一基板(10)，所述IDT电极(3)位于所述第一基板(10)的上表面(10a)且第一基板(10)包含压电晶体；以及第二基板(20)，被接合至所述第一基板(10)的下表面(10b)侧，从所述第一基板(10)的下表面(10b)起朝着上表面(10a)侧连续的第一区域(50x)或者从所述第一基板(10)的下表面(10b)起朝着所述第二基板(20)侧连续的第二区域(50b)中的任一者成为电阻值为5×103Ω以上且5×107Ω以下的低电阻区域(50)。