公开(公告)号：CN1825759B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200610059261.6

申请日：2006-02-20

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/725

Abstract: 本发明的SAW元件(D1)，在压电基板主表面上具备发送用阶梯型SAW元件(T1)和接收用阶梯型SAW元件(R2)。使在发送用阶梯型SAW元件(T1)的SAW谐振器(S1)中的电极指宽度LT对电极指节距PT的比率(LT/PT)，小于在接收用阶梯型SAW元件(R2)的SAW谐振器(S2)中的电极指宽度LR对SAW谐振器(S2)的电极指节距PR的比率(LR/PR)。其结果，能够提供一种具有频带内低损耗、频带外陡峭的衰减特性的、小型化的SAW元件(D1)。

公开(公告)号：CN117914282A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410056566.X

申请日：2017-10-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72 ,  H01Q1/50

Abstract: SAW滤波器具有压电基板、串联臂和并联谐振部。串联臂包含位于压电基板上的一个以上的串联谐振部。并联谐振部位于压电基板上，和串联臂构成梯子型滤波器。并联谐振部具有并联谐振器和电容元件。并联谐振器包含位于压电基板上的IDT电极以及位于其两侧的一对反射器。电容元件与并联谐振器并联连接。电容元件的电容是并联谐振器的IDT电极的电容的0.8倍以上。并联谐振部的反谐振频率与谐振频率之差小于并联谐振器的反谐振频率与谐振频率之差。

公开(公告)号：CN111149296B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201880063711.X

申请日：2018-10-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干 ,  岸野哲也 ,  野添惣一朗

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

Abstract: 本公开的复合基板具备：由钽酸锂晶体构成且欧拉角为(0、α、γ)的第1基板10；以及由与所述第1基板10接合的硅单晶构成且欧拉角为(‑45、‑54.7、β)的第2基板20，α为‑40°～‑60°或120°～140°，γ为0°或180°，并且满足以下情况的任一者。(1)为β＝γ±20°以内以及其等效的取向，(2)γ+160°≤β≤γ+200°。

公开(公告)号：CN114556783A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202080065592.9

申请日：2020-09-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/25 ,  H03H9/72

Abstract: 弹性波滤波器具有第1芯片和与第1芯片电连接的第2芯片。这些芯片分别具有依次层叠配置的支撑基板、多个声膜、压电膜和激励电极。多个声膜依次层叠在支撑基板上，在相互重叠的彼此之间材料彼此不同。

公开(公告)号：CN108496308B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201780007791.2

申请日：2017-01-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干 ,  岸野哲也 ,  仲井刚

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

Abstract: SAW谐振器具有压电基板、IDT电极和一对反射器。IDT电极具有在压电基板上排列于SAW的传播方向的多个电极指。一对反射器在压电基板上相对于多个电极指而位于传播方向的两侧。再有，IDT电极具有分别被分配多个电极指且谐振频率相互不同的多个区域。多个区域包括至少三个区域。所有区域内第二高的谐振频率比所有区域内最低的谐振频率与所有区域内最高的谐振频率的中间值低。

公开(公告)号：CN107210730B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201680006357.8

申请日：2016-01-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干 ,  浦田知德

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/145 ,  H03H9/72

Abstract: 本发明具备：输入部；输出部；以及多个串联谐振器以及多个并联谐振器，呈梯型地连接在输入部与输出部之间，并具备IDT电极，多个并联谐振器具备：至少一个第一并联谐振器，谐振频率比多个串联谐振器的谐振频率低；以及至少一个第二并联谐振器，谐振频率比多个所述串联谐振器的反谐振频率高。

公开(公告)号：CN111149296A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880063711.X

申请日：2018-10-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干 ,  岸野哲也 ,  野添惣一朗

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

Abstract: 本公开的复合基板具备：由钽酸锂晶体构成且欧拉角为(0、α、γ)的第1基板10；以及由与所述第1基板10接合的硅单晶构成且欧拉角为(-45、-54.7、β)的第2基板20，α为-40°～-60°或120°～140°，γ为0°或180°，并且满足以下情况的任一者。(1)为β＝γ±20°以内以及其等效的取向，(2)γ+160°≤β≤γ+200°。

公开(公告)号：CN110710106A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880036574.0

申请日：2018-07-02

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 岸野哲也 ,  野添惣一朗 ,  伊藤干

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145 ,  H03H9/72

Abstract: 弹性波装置具有基板、位于基板上的多层膜、位于多层膜上的由LiTaO3的单晶体构成的LT层以及位于LT层上的IDT电极。在将IDT电极的电极指的间距p的2倍设为λ时，LT层的厚度为0.3λ以下。LT层的欧拉角为(0°±20°，-5°以上且65°以下，0°±10°)、(-120°±20°，-5°以上且65°以下，0°±10°)或者(120°±20°，-5°以上且65°以下，0°±10°)。将第一层与第二层交替地层叠来构成多层膜(5)。第一层由SiO2构成。所述第二层由Ta2O5、HfO2、ZrO2、TiO2及MgO的任一者构成。

公开(公告)号：CN107615661A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680026233.6

申请日：2016-05-19

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/145

Abstract: 弹性波装置(1)，具备：由弹性波元件构成的多个串联谐振器(S1～S4)以及多个并联谐振器(P1～P4)，多个串联谐振器(S1～S4)以及多个并联谐振器(P1～P4)构成分别被连接成梯子形的滤波器；与多个串联谐振器(S1～S4)的至少一个并联连接的第1电容部(C1)；以及与多个并联谐振器(P1～P4)的至少一个串联连接的第2电容部(C2)。能够抑制通频带的损耗，并且能够使通频带外的衰减特性变得良好。

公开(公告)号：CN101689846A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880024565.6

申请日：2008-08-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 古贺亘 ,  横田裕子 ,  伊藤干 ,  山形佳史

IPC: H03H9/72 ,  H03H9/25 ,  H03H3/08 ,  H03H9/70 ,  H03H9/145

CPC classification number: H03H9/725 ,  H03H9/0576

Abstract: 提供一种分波器以及其制造方法，在该分波器中，压电基板的主面上形成的电极群的正常配置和与正常配置对称的镜像配置可以共用同一个安装基体。分波器(1)具有压电基板(20)，该压电基板(20)中，在其主面上形成具有输入电极(22)以及天线电极(23)的发送滤波器(26)；和具有输出电极(24)、(25)以及天线电极(23)的接收滤波器(27)。另外，分波器(1)具有安装基体(40)，该安装基体(40)中，在其第1主面上形成俯视时线对称的第1电极群，该第1电极群与发送滤波器(26)以及接收滤波器(27)连接；并且，在作为第1主面的背面的第2主面上形成俯视时线对称的第2电极群，该第2电极群与外部电路基板的电路布线连接。