共封装光引擎系统及用于其的相变材料阵列的硅基调制器

    公开(公告)号:CN115032819A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202210971537.7

    申请日:2022-08-15

    Inventor: 王琳 尹坤

    Abstract: 本发明公开了一种共封装光引擎系统及用于其的相变材料阵列的硅基调制器,包括自下而上的SOI基体和条形波导组件,所述条形波导组件由狭缝直波导和GST相变材料结构构成,所述SOI基体的上表面设置所述狭缝直波导,所述GST相变材料结构呈阵列式嵌入所述狭缝直波导内,所述条形波导组件的外表面包裹有保护膜。本发明实现硅基调制器的小型化,随着每个硅基光电子器件尺寸的降低,使得每个器件在芯片上实际面积减小,导致单个器件的制备成本降低;更小的光学器件可以更好的与现有的CMOS工艺相兼容;随着硅基光电子器件尺寸的减小,在光限制因子保持不变的情况下,操作器件的总能量也会减小;器件尺寸的减小可以提高瞬态响应的速度,从而提高硅基的调制速度。

    基于表面等离激元的片上级联光学电子加速器及加速方法

    公开(公告)号:CN116723624B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202310991516.6

    申请日:2023-08-08

    Inventor: 王琳 张磊 尹坤

    Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离激元的片上级联光学电子加速器及加速方法,电子加速器包括硅基片、表面等离激元加速结构以及激光泵浦源,其中,表面等离激元加速结构形成在硅基片上,由多个表面等离激元加速单元变周期级联而成,每个表面等离激元加速单元形成单个加速腔;激光泵浦源出射激光并作用于加速腔内壁,加速腔内壁受激形成等离激元加速电场,该等离激元加速电场作用于待加速电子束团以实现对电子加速。该电子加速器及加速方法基于激光驱动,借助表面等离激元电子加速器的变周期级联,达到对电子进行长距离的加速的效果。

    一种基于光栅辅助反向耦合的硅基波长解复用器件

    公开(公告)号:CN115657202A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211294923.3

    申请日:2022-10-21

    Inventor: 王琳 张磊 尹坤

    Abstract: 一种基于光栅辅助反向耦合的硅基波长解复用器件,包括N个依次串联的分波组件,相邻的分波组件之间通过波导宽度与高度相等的条形硅波导进行连接;前N‑1个分波组件中每个分波组件由硅‑二氧化硅复合的布拉格光栅波导和反向耦合波导构成,最后1个分波组件为一个直条形硅波导;所述前N‑1个分波组件能够实现单个波长与其他波长的分离,并从反向耦合波导输出,前N‑1个分波组件具有不同的波长;所述复用器件整体被包裹在二氧化硅包层中。本发明具有较强的可拓展性,其通道的数目可以根据使用要求不断地叠加,因此具有易拓展、结构紧凑和易集成等特点。

    一种基于SOI上GST纳米点的强度调制器

    公开(公告)号:CN115421246A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202211367461.3

    申请日:2022-11-03

    Inventor: 王琳 尹坤

    Abstract: 本发明公开了一种基于SOI上GST纳米点的强度调制器,所述调制器包括狭缝波导结构、相变材料结构和保护结构,所述狭缝波导结构由硅材料与二氧化硅材料制备,位于所述调制器第一层,所述相变材料结构由GST相变材料制备,位于所述调制器的第二层,并置于狭缝波导结构的上方,与狭缝波导结构直接接触,形成由相变材料晶态和非晶态转变特性控制的开关状态切换结构,所述保护结构由二氧化硅材料制备,将狭缝波导结构和相变材料结构进行包裹,实现对所述调制器的物理保护,通过本发明可以实现对输入光信号的调制,可应用于光模块、光开关和光计算等光信息处理器件,具有器件尺寸小、器件集成度高、能耗低等特点。

    共封装光引擎系统及用于其的相变材料阵列的硅基调制器

    公开(公告)号:CN115032819B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202210971537.7

    申请日:2022-08-15

    Inventor: 王琳 尹坤

    Abstract: 本发明公开了一种共封装光引擎系统及用于其的相变材料阵列的硅基调制器,包括自下而上的SOI基体和条形波导组件,所述条形波导组件由狭缝直波导和GST相变材料结构构成,所述SOI基体的上表面设置所述狭缝直波导,所述GST相变材料结构呈阵列式嵌入所述狭缝直波导内,所述条形波导组件的外表面包裹有保护膜。本发明实现硅基调制器的小型化,随着每个硅基光电子器件尺寸的降低,使得每个器件在芯片上实际面积减小,导致单个器件的制备成本降低;更小的光学器件可以更好的与现有的CMOS工艺相兼容;随着硅基光电子器件尺寸的减小,在光限制因子保持不变的情况下,操作器件的总能量也会减小;器件尺寸的减小可以提高瞬态响应的速度,从而提高硅基的调制速度。

Patent Agency Ranking