金属镀膜的形成方法
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112501595B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202010933954.3

    申请日:2020-09-08

    Inventor: 饭坂浩文

    Abstract: 本发明提供一种采用固相法形成具有厚膜厚的金属镀膜的方法。本发明涉及一种金属镀膜的形成方法,是形成第1金属和离子化倾向大于第1金属的第2金属的金属镀膜的方法,包括:使第2金属在铜基材的表面上析出而形成第2金属镀膜的第1工序;以及采用固相无电解镀法使第1金属在第2金属的表面上析出而形成第1金属镀膜的第2工序,使用层叠复合体实施第2工序中的固相无电解镀法,层叠复合体包含:含有第1金属离子的第1置换型无电解镀浴;固体电解质膜;镀有第2金属的铜基材;离子化倾向大于第2金属的第3金属;含有第1金属离子的第2置换型无电解镀浴;以及绝缘性高分子。

    无电解镀膜的形成方法和成膜装置

    公开(公告)号:CN112144047B

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN202010595682.0

    申请日:2020-06-28

    Inventor: 饭坂浩文

    Abstract: 本公开的课题是:本公开的目的在于提供,能够抑制镀液的劣化的镀膜的形成方法和成膜装置。本公开的解决方法是:本实施方式是一种采用置换型无电解镀法在金属基材上形成金属镀膜的方法,所述方法包括使包含无电解镀液的多孔质膜与所述金属基材的表面接触的工序,所述多孔质膜具有阴离子性基团。

    银被膜的形成方法
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114059111A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202110824221.0

    申请日:2021-07-21

    Inventor: 饭坂浩文

    Abstract: 本发明涉及银被膜的形成方法。本公开的目的是提供能够采用固相电析法均匀地形成银被膜的方法。本实施方式的一个方案是一种方法,其为形成银被膜的方法,包括:配置阳极、作为阴极的基材、和包含含有银离子的电解液的分隔体以使分隔体位于阳极与基材之间并且与基材的表面接触的工序,和在阳极与基材之间施加电压从而在基材上形成银被膜的工序;分隔体为不具有离子交换性官能团的多孔膜,电解液包含有机磺酸根离子,基材包含结晶形态的金属,在该结晶形态的金属上形成银被膜。

    金属镀膜的形成方法
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112501595A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN202010933954.3

    申请日:2020-09-08

    Inventor: 饭坂浩文

    Abstract: 本发明提供一种采用固相法形成具有厚膜厚的金属镀膜的方法。本发明涉及一种金属镀膜的形成方法,是形成第1金属和离子化倾向大于第1金属的第2金属的金属镀膜的方法,包括:使第2金属在铜基材的表面上析出而形成第2金属镀膜的第1工序;以及采用固相无电解镀法使第1金属在第2金属的表面上析出而形成第1金属镀膜的第2工序,使用层叠复合体实施第2工序中的固相无电解镀法,层叠复合体包含:含有第1金属离子的第1置换型无电解镀浴;固体电解质膜;镀有第2金属的铜基材;离子化倾向大于第2金属的第3金属;含有第1金属离子的第2置换型无电解镀浴;以及绝缘性高分子。

    成膜装置以及使用了该成膜装置的金属膜的形成方法

    公开(公告)号:CN111334840A

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201911300780.0

    申请日:2019-12-17

    Inventor: 饭坂浩文

    Abstract: 本发明提供一种能够以较高的电流效率形成金属膜的成膜装置以及使用了该成膜装置的金属膜的形成方法。用于形成金属膜的成膜装置(100)具有:阳极(20)、阴极(30)、以能够与上述阴极(30)接触的方式设置于上述阳极(20)与上述阴极(30)之间的多孔膜(60)、在上述阳极20与上述多孔膜(60)之间划分出溶液收容空间55的溶液收容部(50)、以及对上述阳极(20)与上述阴极(30)之间施加电压的电源部(40),上述多孔膜(60)由不具有离子交换性官能团的聚烯烃链构成。

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