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公开(公告)号：CN109891594A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780067333.8
申请日：2017-10-30
IPC: H01L29/423
Abstract: 在沟槽(6)的端部中，露出所述沟槽的所述端部(10)的开口(22)被形成在引出电极(20)中，半导体基板的顶表面侧上的所述沟槽栅电极(14)的侧表面与沟槽侧表面(12)间隔开，并且与位于所述半导体基板的顶表面(4)和所述沟槽侧表面之间的边界线相邻的范围覆盖有层叠绝缘膜，所述层叠绝缘膜被构造成使得层间绝缘膜在栅极绝缘膜上层叠。这使得能够防止绝缘膜的介电击穿。
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公开(公告)号：CN106233438B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201580020907.7
申请日：2015-02-25
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66348 , H01L21/2253 , H01L21/28035 , H01L21/28114 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66734 , H01L29/739 , H01L29/7397 , H01L29/7813
Abstract: 公开：在通过在蚀刻后对半导体基板进行离子注入而形成扩散层从而制造半导体装置的情况下，能够抑制在制造出的半导体装置之间产生特性不均的技术。半导体装置(2)具有半导体基板(10)。在半导体基板(10)形成有发射区(12)、顶体区(14)、势垒区(16)、底体区(18)、漂移区(20)、集电区(22)、沟槽(30)、栅绝缘膜(32)以及栅电极(34)。栅电极(34)的表面设置于比半导体基板(10)的表面深的位置。栅电极(34)中的沟槽(30)的宽度方向中央的第1部分(34a)的表面设置于比与栅绝缘膜(32)相接的第2部分(34b)的表面浅的位置。
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公开(公告)号：CN106233438A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580020907.7
申请日：2015-02-25
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66348 , H01L21/2253 , H01L21/28035 , H01L21/28114 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66734 , H01L29/739 , H01L29/7397 , H01L29/7813
Abstract: 公开：在通过在蚀刻后对半导体基板进行离子注入而形成扩散层从而制造半导体装置的情况下，能够抑制在制造出的半导体装置之间产生特性不均的技术。半导体装置(2)具有半导体基板(10)。在半导体基板(10)形成有发射区(12)、顶体区(14)、势垒区(16)、底体区(18)、漂移区栅电极(34)。栅电极(34)的表面设置于比半导体基板(10)的表面深的位置。栅电极(34)中的沟槽(30)的宽度方向中央的第1部分(34a)的表面设置于比与栅绝缘膜(32)相接的第2部分(34b)的表面浅的位置。(20)、集电区(22)、沟槽(30)、栅绝缘膜(32)以及
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公开(公告)号：CN105008527A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480009030.7
申请日：2014-06-09
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C12P7/06 , C12N9/0006 , C12N9/92 , C12P7/10 , C12P2203/00 , C12Y101/01086 , C12Y503/01005 , Y02E50/16 , Y02E50/17
Abstract: 本发明旨在于已经引入木糖异构酶基因的同化木糖的酵母中改善木糖同化能力和乙醇发酵能力。由已经引入木糖异构酶基因的重组酵母产生的NADH的量因乙酰羟酸还原异构酶的酶促反应而降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103180451B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201080069741.5
申请日：2010-11-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 提高具有木糖代谢能力的酵母中的木糖代谢能力。具有以下工序：将具有木糖代谢能力的酵母浸渍在含乙酸的溶液中的工序，和然后用含木糖的培养基培养该酵母从而进行乙醇发酵的工序。
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公开(公告)号：CN102076863A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980124268.3
申请日：2009-06-29
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明使用生产有机酸的酵母发酵该有机酸而进行生产时，不实施突变育种、DNA重组育种等，通过简单的方法提高有机酸的发酵效率。通过将生产有机酸的酵母在调整为低pH的含有有机酸的培养基中处理而大幅提高该酵母的有机酸生产效率。
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公开(公告)号：CN102016024A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114162.5
申请日：2009-04-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C07K14/395 , C12N9/0006 , C12N9/88 , C12P7/04 , C12P7/40 , C12P7/56
Abstract: 根据本发明，使用酵母生产目标生产物时，能够维持优良的生长速度以及发酵速度的同时还具有优良的目标生产物生产率。对于成为宿主导入编码目标生产物生产相关酶的外来基因、和能组成型表达的HAP4基因或其同源基因。突变体酵母优选的是与野生型相比降低了醇生产率的突变体。
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公开(公告)号：CN1914325B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580003209.2
申请日：2005-09-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C12P7/56 , C12N9/0006
Abstract: 生产具有前所未及的高光学纯度的乳酸。已发现当乳酸与甘油共存时，乳酸的光学纯度随乳酸消旋反应的进行而降低。通过在加热浓缩乳酸之前降低甘油量，可以将加热浓缩后的乳酸的光学纯度保持在高水平。
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公开(公告)号：CN1914325A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003209.2
申请日：2005-09-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C12P7/56 , C12N9/0006
Abstract: 生产具有前所未及的高光学纯度的乳酸。已发现当乳酸与甘油共存时，乳酸的光学纯度随乳酸消旋反应的进行而降低。通过在加热浓缩乳酸之前降低甘油量，可以将加热浓缩后的乳酸的光学纯度保持在高水平。
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