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公开(公告)号：CN108829068A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810873646.9
申请日：2018-08-02
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明公开一种电镀生产线控制系统及控制方法，包括工控机、交换机、控制器、激光测距装置、检测传感器及执行机构；控制器接收工控机中不同电镀生产工艺流程指令进行调节并执行，还用于接收激光测距装置采集的行车位置信号及检测传感器采集的性能参数信号，进行综合处理运算，以确定工位中心位置、计算出工位两侧减速位置及减速区域，并将激光测距装置传来的数据进行处理转换与目标数据进行比较，从而对行车运动的方向进行判定并控制。该系统能够适用于不同情况下工艺流程的任意调节，同时满足现在既有的功能。
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公开(公告)号：CN106206880B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201610793902.4
申请日：2016-08-31
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能InGaN/AlGaN MQW紫光LED的方法，分别以蓝氨、高纯三甲基铟以及高纯三甲基镓为N、In、Ga源,分别以SiH4和Cp2Mg作为n和p型掺杂剂，包括如下步骤：1、氮化氮化蓝宝石、SiC或Si衬底；2、生长缓冲层并使缓冲层结晶后，再生长uGaN成核层；3、先生长低Si掺杂的n‑GaN层，再生长高Si掺杂的n+GaN层；4、生长n‑AlGaN层，5、生长Si掺杂的n+GaN层，再生长不掺Si的nGaN层；6、生长3个周期的不掺杂Al的InGaN/GaN超晶格，再生长8个周期Al掺杂的InGaN/AlGaN；7、生长PAlGaN层；8、生长Mg掺杂的P+GaN层；9、生长高Mg掺杂的P++GaN层；本发明利用LP MOCVD系统生长特定结构的InGaN/AlGaN MQW紫光LED外延片，具有制备成本低、节约时间且制备的紫外光LED性能好，推进了紫光LED外延的产业化。
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公开(公告)号：CN107151936A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710419683.8
申请日：2017-06-06
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种吸水箱变频抽真空环保装置，包括过滤装置、变频罗茨真空装置、压力平衡阀和消音器，过滤装置的一端通过吸气管路连接托辊机，另一端通过阀门与设置在所述变频罗茨真空装置进气口的微量喷淋喷咀连接，所述变频罗茨真空装置的排气口通过所述压力平衡阀连接有用于降低噪音的消音器，所述过滤装置、变频罗茨真空装置、压力平衡阀和消音器均设置在能够吸收基频谐波的静音机箱内构成一体化环保装置。本发明静音机箱能降低装置瞬间的震动幅度，实现降噪到72分贝以下，变频罗茨真空装置抽速快，不易受环境温度影响，可加快吸水箱抽真空速度；所述装置抽速最大的特点，提高了工作效率，装机功率可降到传统设备的50‑60％，环保节能。
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公开(公告)号：CN106191995A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610653489.1
申请日：2016-08-10
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭用高温长晶工艺，其特征在于，将铸锭炉从室温加热到1550～1555℃，熔化后期测量留底籽晶厚度，调整顶部和侧部加热器功率比，通过慢熔确保底部籽晶不被熔化，当熔化完成后，调整顶部和侧部加热器功率比，降低到1440～1445℃开始进行定向凝固并进入长晶过程，在长晶的过程中温度由1440～1445℃降低到1400～1405℃，完成长晶过程。本发明方法步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好，能对多晶硅铸锭长晶过程进行合理控制，并有效提高多晶硅铸锭质量。
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公开(公告)号：CN106129197A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610795432.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED紫光外延结构及其制备方法，分别以氨气、高纯三甲基铟(TMIn)、TMAl、TEGa、以及高纯三甲基镓(TMGa)为源，分别以SiH4和Cp2Mg作为n和p型掺杂剂，以氢气或氮气为载气，通入反应室与氨气在900～1100℃发生化学反应，生成Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体，在蓝宝石、硅片、碳化硅片或石英玻璃片上按一定的晶格次序沉积，制成外延结构。可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分、掺杂浓度、厚度等，生长速率调节范围较广，较快的生长速率能够适用于批量生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113405149A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110832927.1
申请日：2021-07-22
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种淋浴房用相变余热回收通风供暖系统，供暖水管网栅嵌入设置在淋浴房的底部区域和周侧墙板靠近底部的2/3区域内；供暖水管网栅的热水循环管道入口通过第一连接管道与淋浴房的内排水口连接；第一连接管道通过第二连接管道与淋浴房进水口的供淋浴热水管道连接，第一连接管道和第二连接管道均与供暖水管网栅内的蛇形盘管的初始端连接，蛇形盘管的末端通过第三连接管道与淋浴房的外排水口连接；第一连接管道、第二连接管道和蛇形盘管分别连接微型智能分析控制器，能够实现管道内热水的温度和流程控制；相变余热回收通风墙板嵌入设置在淋浴房的周侧墙板靠近顶部的1/3区域内。本发明能够实现淋浴房内节能、舒适的通风供暖效果。
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公开(公告)号：CN110921509A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911348822.8
申请日：2019-12-24
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种天车定位装置及其方法，包括大车运行机构底座，大车运行机构底座的顶端与天车的大车运行机构连接，大车运行机构底座的底端与一次定位装置连接，一次定位装置用于控制重型工件的摆动，一次定位装置两侧的大车运行机构底座上分别设置有动力滑轮，动力滑轮的滑轮钢绳穿过二次定位臂中心与H形快装挂钩连接，H形快装挂钩通过电机驱动动力滑轮升降完成H形快装挂钩与U形臂的悬挂与脱钩，动力滑轮连接控制系统用于实现一次定位装置升降及自动化控制。本发明自动化程度高、可靠性高、效率高，实现执行机构的精准定位。
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公开(公告)号：CN110239908A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910592634.3
申请日：2019-07-03
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
IPC: B65G35/00 , B65G47/248 , B65G43/00
Abstract: 本发明公开了一种重型复杂工件涂装线用地轨自动翻转台车及其方法，包括翻转支架，翻转支架用于放置重型工件，并通过气缸推动实现工件翻转，翻转支架的一端与夹紧臂活动连接，夹紧臂用于实现工件夹紧，翻转支架和夹紧臂分别通过旋转轴安装在地轨台车上，翻转支架、夹紧臂和地轨台车分别于控制系统连接用于实现自动化控制。本发明自动化程度高、可靠性高、效率高，实现执行机构的精准定位。
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公开(公告)号：CN106206881B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201610794752.9
申请日：2016-08-31
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED蓝光外延的制备方法，分别以氨气、高纯三甲基铟(TMIn)、TMAl、TEGa、以及高纯三甲基镓(TMGa)为源，分别以SiH4和Cp2Mg作为n和p型掺杂剂，以氢气或氮气为载气，通入反应室与氨气在900～1100℃发生化学反应，生成Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体，在蓝宝石、硅片、碳化硅片或石英玻璃片上按一定的晶格次序沉积，制成所述外延结构。本发明通过工艺参数优化和调整将外延材料晶体质量(缺陷密度)控制在合理范围，晶体质量对产品的光电参数都存在一定的影响，采用修复层及基底技术提高衬底转移良品率，修复层及基底技术可以良好的释放衬底与外延层之间应力。
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公开(公告)号：CN106283186A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610653488.7
申请日：2016-08-10
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
CPC classification number: C30B29/06 , B05D3/0254 , B05D7/24 , B05D2203/30 , B05D2518/10 , B05D2601/20 , C09D1/00 , C09D5/18 , C30B28/06
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，包括以下步骤：称取六方氮化硼缓慢加入到硅溶胶和高纯水混合液中搅拌均匀，制得所需浆料，按照重量百分比计，六方氮化硼用量为20％-23％，高纯水用量为53％-55％，硅溶胶用量为23％-25％；在喷涂之前，先对浆料进行连续搅拌，保持室温为24-28℃，保持待喷涂坩埚本体温度为60-80℃，将浆料喷涂在坩埚底面上，坩埚侧面喷涂氮化硅；对喷涂后的坩埚进行烘焙，烘焙完毕后在坩埚底面即形成多晶硅铸锭用坩埚涂层。本发明工艺简单，便于操作，不引入杂质元素，有效保障了坩埚涂层的高致密性，使制备得到的坩埚涂层纯度高，从而有效抑制了坩埚杂质的污染，烘焙后的坩埚底部涂层稳定性好且结合强度高，提高底部勺子寿命。
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