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公开(公告)号：CN212934164U
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202021578883.1
申请日：2020-08-03
Applicant: 中国计量大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本实用新型公开了一种基于多铁异质结构的磁畴壁写入单元，包括：底电极层，连接脉冲电压源；压电层，由铁电材料制成，设置于底电极层上；顶电极层，设置于压电层上，包含若干连接脉冲电压源的顶电极；磁性层，与顶电极处在同一层，由铁磁性材料制成，连接赛道存储器；所述底电极层下还设置有衬底层，整个写入单元外还设有保护层，其中磁性层的铁磁性材料具有磁各向异性，且具有磁致伸缩特性。本实用新型利用逆压电效应和磁致伸缩的逆效应，实现高存储密度，低功耗的磁畴壁写入。
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