一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长过程中出现杂晶的方法

    公开(公告)号:CN102560678A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201110350938.2

    申请日:2011-11-08

    Abstract: 本发明涉及一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST)晶体生长过程中出现杂晶的方法,属于晶体生长领域。在生长DAST晶体的过程中,向生长溶液内添加比表面积为200~1000m2/g的颗粒状或柱状活性炭作为吸附剂。活性炭颗粒的加入可以拓宽DAST晶体生长溶液的亚稳相区间,减少微晶的聚集趋势,提高生长溶液的稳定性。本发明所采用的方法比较简单,便于操作,可以有效抑制或延缓DAST晶体生长溶液中出现杂晶,起到调节晶体生长速率、改善晶体生长习性的作用;而且能够在生长过程中降低晶体内部的缺陷,容易获得具有高光学质量的DAST晶体。

    非线性光学材料ZnTeMoO6及其晶体的生长方法

    公开(公告)号:CN102534793A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110344157.2

    申请日:2011-11-04

    Abstract: 本发明公开了一种新型非线性光学材料碲钼酸锌及其晶体的生长方法,特别是采用缓冷法在TeO2-MoO3熔盐体系中生长碲钼酸锌晶体。非线性光学材料ZnTeMoO6,包括ZnTeMoO6多晶粉体和ZnTeMoO6晶体,其特征在于:粉末倍频效应为2×KTP,透过范围为:0.4μm-22.2μm;所述ZnTeMoO6多晶粉体采用固相合成法制备,所述ZnTeMoO6晶体,生长原料为ZnTeMoO6粉体、TeO2和MoO3,或ZnO、TeO2和MoO3,以TeO2和MoO3作为助溶剂,采用缓冷法在TeO2-MoO3熔盐体系中自发成核生长。该晶体可应用于非线性光学领域,丰富非线性光学材料研究内容。

    氧化钪功能薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101055318A

    公开(公告)日:2007-10-17

    申请号:CN200610077606.0

    申请日:2006-04-11

    Abstract: 氧化钪功能薄膜及其制备方法,涉及功能薄膜的制备方法。该薄膜的化学表达式为:RE2x:Sc2(1-x)O3,0<x<20;RE=Eu,Er,Dy,Nd,Yb;其中稀土掺杂相可以是单相掺杂或混合相掺杂。该薄膜采用溶胶-凝胶法制备,选用Sc2O3以及掺杂稀土离子氧化物为原料,采用表面活性剂为甘氨酸。膜厚利用镀膜的次数和溶液中络合剂及表面活性剂加入量进行控制。实验获得厚度理想的均匀致密薄膜。此方法工艺设备简单、原料易得、成本低。

Patent Agency Ranking