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实用新型
可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器有权

公开(公告)号：CN208904029U

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201821335563.6

申请日：2018-08-20

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 叶振华 , 刘棱枫 , 崔爱梁 , 张伟婷 , 丁瑞军 , 何力

IPC: H01L31/0224 , H01L31/107

Abstract: 专利公开了一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，通过在pn结耗尽区钝化层上方增加电极可达到调制钝化层与碲镉汞界面处pn结能带的作用，使钝化层与碲镉汞界面处pn结趋于平带状态从而抑制表面产生-复合、表面隧穿等表面漏电流。该探测器具有可调制pn结区表面能带使其趋于平带状态，抑制表面漏电流从而使二极管工作在反向大偏压下以盖革模式工作的优点，有利于解决常规结构的碲镉汞雪崩二极管器件在反向偏压大于雪崩击穿电压时，会因表面存在较大的漏电流，致使光电二极管发生热电击穿，限制其只能满足以线性模式进行信号探测的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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