一种两步法PVD技术制备超厚Ti-Al-C三元涂层的方法

    公开(公告)号:CN109957757A

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201910270621.4

    申请日:2019-04-04

    Abstract: 本发明公开了一种两步法PVD技术制备超厚Ti‑Al‑C三元涂层的方法,对锆包壳基体样件进行表面洁净,冷风吹干样件后,装夹在真空腔室内的三维转架上,并对基体样件进行加热;充入Ar气,施加高偏压,对基体样件进行辉光溅射清洗或者电子枪加热清洗刻蚀;用引弧针开启TixAl弧靶,高偏压溅射清洗TixAl靶材,同时在基体表面生成基础层;低偏压沉积TixAl涂层,生成过渡涂层;调整合适的弧电流、偏压,开启中频磁控石墨靶,沉积Ti‑Al‑C超厚涂层;进行高温退火。本发明的制备工艺下得到的材料更能适用于核领域,使用更加安全,得到的材料的性能更好。

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