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公开(公告)号：CN115849450B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211648488.X
申请日：2022-12-21
Applicant: 中国地质大学(武汉)
Abstract: 本发明提供了一种氧化钨同质结气敏材料的制备方法、气敏传感器及应用。本发明的制备方法，利用水热反应及后续退火制备得到具有同质结的氧化钨复合材料；由正交相WO3·0.33H2O和六方相三氧化钨形成的同质结气敏材料，在相界面处自由电子由六方相向正交相转移，直到他们的费米能级达到平衡，在正交相一侧形成电子积累层，六方相一侧形成电子耗尽层，界面处构成了n‑n同质结。正交相一侧的电子积累层利于吸附更多氧形成氧负离子与气体进行反应，有助于提高其对气体的灵敏度，并整体提高气体传感器的性能；而且，这种面内的同质结有助于提高载流子传输速率，从而提升与气体进行反应的速率，从而整体提升其对气体的检测性能。
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公开(公告)号：CN102617038A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210083529.5
申请日：2012-03-27
Applicant: 中国地质大学(武汉)
Abstract: 本发明提供了一种以钾长石矿为原料直接烧结制备微晶玻璃的方法，其特征在于：它包括以下步骤：（1）制备钾长石粉；（2）压制成型；（3）热处理：将坯体放入高温炉中升温至1150～1300°C，升温速率为2～5℃/分钟；保温2～6小时；再降温到500～700℃，降温速率为3℃/分钟；最后随炉冷却，得到微晶玻璃。本发明将钾长石原矿粉碎后直接烧结法制备微晶玻璃，无需提纯，无尾矿，提高了钾长石矿的利用率，以不同品位的钾长石矿制备得到不同性能的微晶玻璃，满足不同的使用要求；热处理温度低，能耗小，同时简化工艺，有利于连续化生产。
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公开(公告)号：CN102616773A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210102671.X
申请日：2012-04-10
Applicant: 中国地质大学(武汉)
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种将中碳鳞片石墨提纯至高纯石墨的方法，它包括以下步骤：1）原料的选取：按照碱性物质：中碳鳞片石墨：盐酸的质量比为2-3.5：10：20-30选取碱性物质、中碳鳞片石墨、及盐酸备用，其中所述盐酸的浓度为10-20wt%；2）将碱性物质加水溶解得到碱溶液，然后将中碳鳞片石墨与碱溶液混匀后置于管式炉中，通入高纯氮气，在800-1000℃条件下反应1-3h，之后冷却至室温，过滤，用蒸馏水洗涤至滤液的pH到7.0；3）将步骤2）得到的滤液与盐酸混匀后在20-80℃条件下搅拌反应1-3h，之后过滤，用蒸馏水洗涤至滤液pH到7.0；4）将步骤3）得到的滤液烘干至水分含量小于0.2%，即得到高纯石墨。采用本发明可以将中碳石墨的固定碳含量提高至99.9%高纯石墨的水平，且该工艺简单、生产效率高，设备投资少，成本低廉。
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公开(公告)号：CN101531401A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910061584.2
申请日：2009-04-14
Applicant: 中国地质大学(武汉)
Abstract: 本发明公开了一种具有敏感光致变色性能的MoO3纳米杆粉体的制备方法，是将0.05～3.5mol/L的钼酸盐水溶液采用离子交换法制成钼酸水溶液，接着用盐酸将其pH值调为0.1～2.0；在搅拌条件下向该钼酸水溶液中加入质量百分比浓度为8～15％的草酸溶液，钼酸水溶液与草酸溶液的体积比为1∶0.04～0.20，然后搅拌、均化；将均化后的体系于80～160℃水热反应1～4天，然后将反应产物清洗干净，于50～80℃干燥即得到MoO3纳米杆粉体。采用本发明方法制得的MoO3纳米杆粉体具有更大的比表面积和更好的分散性，光致变色反应敏感性高，在日光或低功率紫外灯照射下即可发生光致变色，且能在常态无光条件下褪色。
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公开(公告)号：CN115849450A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211648488.X
申请日：2022-12-21
Applicant: 中国地质大学(武汉)
Abstract: 本发明提供了一种氧化钨同质结气敏材料的制备方法、气敏传感器及应用。本发明的制备方法，利用水热反应及后续退火制备得到具有同质结的氧化钨复合材料；由正交相WO3·0.33H2O和六方相三氧化钨形成的同质结气敏材料，在相界面处自由电子由六方相向正交相转移，直到他们的费米能级达到平衡，在正交相一侧形成电子积累层，六方相一侧形成电子耗尽层，界面处构成了n‑n同质结。正交相一侧的电子积累层利于吸附更多氧形成氧负离子与气体进行反应，有助于提高其对气体的灵敏度，并整体提高气体传感器的性能；而且，这种面内的同质结有助于提高载流子传输速率，从而提升与气体进行反应的速率，从而整体提升其对气体的检测性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114965893A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210570401.5
申请日：2022-05-24
Applicant: 中国地质大学(武汉)
Abstract: 本发明提供了一种半导体金属氧化物的制备方法、气体传感器及其制备方法。本发明的制备方法，通过将金属硝酸盐、苯并咪唑、咪唑‑4,5‑二羧酸加入至溶剂中，得到前驱体溶液，再进行溶剂热反应得到前驱体粉末，然后煅烧得到半导体金属氧化物；本申请的制备方法，利用溶剂热反应制备得到具有MOF结构的半导体金属氧化物；MOF结构的半导体金属氧化物具有高孔隙率、低密度、大比表面积、孔道规则、孔径可调以及拓扑结构多样性和可裁剪性等优点，可以改变金属氧化物对气体的灵敏度，从而整体提高气体传感器的性能；而且制备的半导体金属氧化物材料具有高度的热稳定性，进一步提升材料电荷载流子的浓度，整体提升与低浓度气体的检测下限。
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公开(公告)号：CN109012572A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810877006.5
申请日：2018-08-03
Applicant: 中国地质大学(武汉)
Abstract: 本发明公开了一种煤层气/页岩气富集用吸附材料的制备方法，包括以下步骤：对天然斜发沸石进行重选分离；天然斜发沸石与铵盐、纯净水混合，加热搅拌，烘干，研磨，得到过渡的铵型斜发沸石；将铵型斜发沸石与钙盐、纯净水混合，加热搅拌，烘干，研磨，得到钙型斜发沸石；将钙型斜发沸石与钠盐混合，加热搅拌，烘干，研磨，焙烧，得到钠钙混合型斜发沸石，所述钠钙混合型斜发沸石应用于煤层气/页岩气的浓缩提纯。本发明大幅度提高吸附材料的吸附量及选择性。
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公开(公告)号：CN103319143B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310226637.8
申请日：2013-06-07
Applicant: 中国地质大学(武汉)
CPC classification number: Y02W30/93
Abstract: 本发明属于建筑材料和环保领域，公开了一种钾长石尾矿免烧砖及其制备方法。该免烧砖的组分及其含量为：钾长石尾矿85-90%，化学活化剂0.4-1%，水玻璃8-12%，碱性激活剂0.8-2%。免烧砖的制备方法为：（1）将尾矿中粒度为100目筛上的颗粒作为粗骨料，其余则粉碎至250目筛下作为细骨料；（2）粗骨料和细骨料按质量比混合后，然后加入化学活化剂，室温下放置24小时化学活化；再加入水玻璃和碱性激活剂搅拌混合均匀；（3）模压成型、室温或低温养护后，得到免烧砖成品。本发明实现了减少尾矿污染和尾矿再利用的目的，制备工艺简单，生产成本低，免烧砖的性能达到国家建材行业标准要求。
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公开(公告)号：CN102617038B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201210083529.5
申请日：2012-03-27
Applicant: 中国地质大学(武汉)
Abstract: 本发明提供了一种以钾长石矿为原料直接烧结制备微晶玻璃的方法，其特征在于：它包括以下步骤：（1）制备钾长石粉；（2）压制成型；（3）热处理：将坯体放入高温炉中升温至1150～1300°C，升温速率为2～5℃/分钟；保温2～6小时；再降温到500～700℃，降温速率为3℃/分钟；最后随炉冷却，得到微晶玻璃。本发明将钾长石原矿粉碎后直接烧结法制备微晶玻璃，无需提纯，无尾矿，提高了钾长石矿的利用率，以不同品位的钾长石矿制备得到不同性能的微晶玻璃，满足不同的使用要求；热处理温度低，能耗小，同时简化工艺，有利于连续化生产。
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公开(公告)号：CN102617037B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201210083519.1
申请日：2012-03-27
Applicant: 中国地质大学(武汉)
Abstract: 本发明提供了一种以钠长石矿为原料直接烧结法制备微晶玻璃的方法，其特征在于：它包括以下步骤：（1）制备钠长石粉；（2）压制成型；（3）热处理：将坯体放入高温炉中升温至1150～1300°C，升温速率为2～5℃/分钟；保温2～6小时；再降温到500～700℃，降温速率为3℃/分钟；最后随炉冷却，得到微晶玻璃。本发明以钠长石矿为原料直接烧结制备微晶玻璃，钠长石矿的利用率高，工艺简单，热处理温度低，能耗低，所制备的微晶玻璃具有高的强度，能满足不同的应用要求。
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