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公开(公告)号：CN108122897B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201611085332.X
申请日：2016-11-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明提供一种IGBT模块，其包括上电极、下电极以及设置在所述上电极与下电极之间的多个子单元，所述上电极上设有与多个子单元一一对应的盲孔，所述子单元包括从所述下电极向所述上电极方向依次层叠的第一导电基板、芯片、第二导电基板、导电压块以及弹性元件，所述弹性元件设置于所述盲孔内，并呈压缩状。本发明具有保证各子单元压力均衡、避免芯片压坏，且占用空间小，模块体积小的优点。
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公开(公告)号：CN108122897A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201611085332.X
申请日：2016-11-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明提供一种IGBT模块，其包括上电极、下电极以及设置在所述上电极与下电极之间的多个子单元，所述上电极上设有与多个子单元一一对应的盲孔，所述子单元包括从所述下电极向所述上电极方向依次层叠的第一导电基板、芯片、第二导电基板、导电压块以及弹性元件，所述弹性元件设置于所述盲孔内，并呈压缩状。本发明具有保证各子单元压力均衡、避免芯片压坏，且占用空间小，模块体积小的优点。
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公开(公告)号：CN107728032A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610672233.5
申请日：2016-08-16
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种压接型功率半导体器件的测试装置，包括：测试台控制器；测试底座，测试底座中分布有若干用于放置被测压接型功率半导体器件的测试工位，各个测试工位中形成有用于与被测压接型功率半导体器件的第一被测端子连接的第一测试电极，其中，各个测试工位的第一测试电极与测试台控制器连接；测试顶盖，其与测试台控制器连接，用于在测试台控制器向被测压接型功率半导体器件施加指定压力，测试顶盖中分布有若干用于与被测压接型功率半导体器件的第二被测端子连接的第二测试电极，各个第二测试电极与测试台控制器连接。该装置解决了传统压接型IGBT/FRD子单元无法测试或者测试难度非常大的问题，其可以实现多个子单元同时独立测试与结果记录。
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公开(公告)号：CN106707130A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710004029.0
申请日：2017-01-04
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2608
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块测试装置，包括具有探针且位置固定的测试工装，还包括用以固定IGBT模块的热板，所述热板能够带动所述IGBT模块向所述测试工装的方向运动，以实现所述IGBT模块的针状端子与所述探针接触，所述针状端子与所述探针之间设置导电片，且所述导电片包括用以与所述针状端子相接触的倾斜端和用以与所述探针相接触的水平端。上述IGBT模块测试装置，提高了测试的稳定性，并且消除了在测试过程中，对IGBT模块针状端子产生的机械损伤，延长了使用寿命。
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公开(公告)号：CN105957888B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201610494974.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，涉及电力技术领域，能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组，包括：IGBT芯片；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524363B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710840250.X
申请日：2017-09-18
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种压接式子单元和制造其的方法，该压接式子单元具有塑料框，其具有上下贯彻的通孔；芯片单元，其具有从下到上依次设置的第一垫块、芯片和第二垫块，其中，第一垫块延伸到通孔内，芯片通过绝缘胶固定在塑料框的上表面上，该压接式子单元通过塑料框代替了需要灌注成型的绝缘胶框，其结构简单，尤其是，该结构的生产工艺简单，避免了使用额外的复杂的灌注成型模具，其生产效率大幅提高，另外，由于上述结构的塑料框通过绝缘胶与芯片单元粘附为一体，避免了高温导致的塑料框脱附问题，增加了子单元的使用安全性。
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公开(公告)号：CN111129132A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811277607.9
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明提出了一种IGBT器件，其包括：从下至上依次设置的集电极金属层、P+区、N′区以及N-区，N-区的顶部形成有台阶型的沟槽，沟槽的不同台阶上形成有沟槽栅和平面栅。使用本发明的优点在于，相比于单一结构的沟槽型IGBT器件，本器件结合了沟槽栅和平面栅两种栅极结构，因此具有平面栅IGBT和沟槽栅IGBT两种工作机制。平面栅IGBT部分和沟槽栅IGBT部分的栅极氧化过程可以同时完成，可以具有同样的栅极氧化层厚度。
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公开(公告)号：CN107768340A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710827140.X
申请日：2017-09-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种功率模块陶瓷衬板，包括：从上至下依次布置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。第一金属层与第二金属层之间布置有第一陶瓷层，第二金属层与第三金属层之间布置有第二陶瓷层。第一金属层设置为彼此隔离的发射极区和控制信号端子区，第二金属层设置为集电极区。第二金属层还可以进一步通过布置在第一陶瓷层中的通孔延伸至第一陶瓷层的上表面。在衬板上表面沿厚度方向开设有分别用于安装第一功率芯片和第二功率芯片的凹槽，凹槽自第一金属层延伸至第二金属层。本发明能够解决现有功率模块陶瓷衬板电路互连结构杂散电感大，芯片焊接需要使用焊接工装，衬板正面金属层为强电和弱电的结合层，衬板间互连较复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN105914205A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610300210.1
申请日：2016-05-09
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/495 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L25/18 , H01L23/4951 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/83365 , H01L2224/83379
Abstract: 本发明公开了一种功率模块结构和功率模块制造方法，其中，功率模块结构包括：主开关器件和续流二极管的电压等级一致，电流大小相同，主开关器件的集电极与续流二极管的阴极键合后，主开关器件倒装焊接在衬板上，衬板上设置有多个分立的覆铜层，其中，主开关器件的发射极与衬板上的第一覆铜层焊接，栅极与衬板上的第二覆铜层焊接，主开关器件的集电极引出线与衬板上的第三覆铜层键合，续流二极管的阳极引出线与衬板上的第四覆铜层键合。所述功率模块结构及功率模块制造方法，通过将键合后的主开关器件和续流二极管倒装焊接在衬板上，实现功率模块的紧凑化和小型化，提高功率模块功率密度。
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公开(公告)号：CN209804600U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201920255168.5
申请日：2019-02-28
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本实用新型涉及一种功率模块用焊接底座，涉及电子功率器件技术领域，用于用于为IGBT模块实现结构紧凑化、功率密度高效化提供有力的条件。本实用新型的功率模块用焊接底座包括焊接部和插针部，插针可设置在插针部中，通过焊接部就可在绝缘衬板上直接焊接墩子与插针，从而使模块的结构更加紧凑，功率密度得以提高。
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