公开(公告)号：CN110734451A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201810789867.8

申请日：2018-07-18

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孟鸿 ,  贺耀武 ,  张天

IPC: C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开一种半导体材料及其制备方法、有机发光二极管，所述半导体材料的分子结构通式为其中，Ar1和Ar2均为含N的芳香基团或缺电子基团取代的芳香基团。本发明结合噻吩衍生物具有较高的电子迁移率以及呋喃衍生物具有较高荧光性能的特点，设计了一种同时含有噻吩官能团和呋喃官能团的半导体材料，由于所述Ar1和Ar2引入了缺电子官能团，能进一步[1]苯并噻吩[3,2-b][1]苯并呋喃的电子传递能力以及发光效率。本发明可有效解决现有半导体材料高电子迁移率与高荧光效率不兼得的问题。

公开(公告)号：CN110734451B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN201810789867.8

申请日：2018-07-18

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孟鸿 ,  贺耀武 ,  张天

IPC: C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开一种半导体材料及其制备方法、有机发光二极管，所述半导体材料的分子结构通式为其中，Ar1和Ar2均为含N的芳香基团或缺电子基团取代的芳香基团。本发明结合噻吩衍生物具有较高的电子迁移率以及呋喃衍生物具有较高荧光性能的特点，设计了一种同时含有噻吩官能团和呋喃官能团的半导体材料，由于所述Ar1和Ar2引入了缺电子官能团，能进一步[1]苯并噻吩[3,2‑b][1]苯并呋喃的电子传递能力以及发光效率。本发明可有效解决现有半导体材料高电子迁移率与高荧光效率不兼得的问题。

公开(公告)号：CN113493643A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202010193914.X

申请日：2020-03-18

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孟鸿 ,  张天 ,  刘振国

IPC: C09D175/14 ,  C09D7/62 ,  C08G18/32 ,  C08G18/67 ,  B05D7/24 ,  B05D5/00 ,  B05D5/08 ,  B05D5/06

Abstract: 本发明提供一种含凹凸棒石的水性光固化涂料，包含以下重量份数的各组分：改性凹凸棒土5‑10份、水性预聚体60‑70份、消泡剂1‑3份、光引发剂1‑3份、成膜助剂1‑3份、乳化剂1‑3份、润湿剂1‑3份、去离子水20‑30份、香料0‑30份。所述的水性预聚体由超支化水性聚氨酯丙烯酸树脂、4‑甲苯异氰酸酯、哌啶‑1，4‑二羟基丙磺酸、2，3‑二羟基甲基丙烯酸丙酯通过在一定条件下先行制备。凹凸棒石由于特殊的性质结构，使得制备的涂料具有很大的附着力，硬度大，耐摩擦耐酸碱腐蚀，成膜性能好，有光泽等众多优点。

公开(公告)号：CN109536014A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201710866200.9

申请日：2017-09-22

Applicant: 北京大学深圳研究生院 ,  佛山市宏威水性涂料科技有限公司

Inventor： 孟鸿 ,  张天 ,  闫丽佳 ,  陈绪芹 ,  李婷婷 ,  胡钊

IPC: C09D183/06 ,  C09D183/08

Abstract: 本申请提供一种超硬韧性涂层的制备方法，包括步骤：S1、钛酸酯或铝酸酯与水在加热、酸性条件下催化水解，形成钛溶胶或者铝溶胶；S2、TMOES和含氟类疏水物质分别催化水解，将TMOES的水解产物CEOS在阳离子光引发剂的催化作用下得到CEOS的高聚物，将含氟类疏水物质的水解产物、CEOS的高聚物、钛溶胶或者铝溶胶混合，得到涂膜液。本发明的超硬韧性涂层，主要的成膜物质由两种硅烷聚合而成，再加以无机增强物-钛溶胶提高其硬度，原料廉价，实验步骤简单，溶剂为常见的酸和水，无需添加其他有机物质，制备工艺简单、经济、环保，制得的涂层有良好的附着力，韧性，韧性及硬度。具有保护作用，可广泛应用与电子设备，光学器件，建筑材料等各个领域。