一种片上功率合成器的阻抗平衡度分析方法

    公开(公告)号:CN110991134B

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN201911200635.5

    申请日:2019-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种片上功率合成器的阻抗平衡度分析方法,该方法首先根据功率合成器的实际物理结构和端口数量确定采用集总元件表示的电路模型;然后通过将一个输入端口连接到交流电压激励上,其他输入端口连接到电阻上,将输出端口连接到负载上,分析电流通路并计算相应输入端口的输入阻抗,在分析过程中将交流地节点视为电流通路上的中间节点,通过寻找最小支路电流来确定电流通路路径,并计算路径上的阻抗大小;最后根据各端口的输入阻抗以及平衡度的表达式计算输入端口间的平衡度。相比于传统方法需要大量的计算机和时间资源来进行仿真分析,利用本发明方法对片上功率合成器进行分析时,过程更加简便,耗时更短,且能找到平衡度失配的来源所在。

    基于互连线单元的电路拓扑结构及互连线单元级联的去嵌方法

    公开(公告)号:CN111679171A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN202010424462.1

    申请日:2020-05-19

    Abstract: 本发明提供一种基于互连线单元的电路拓扑结构以及级联的去嵌方法,首先对器件测试结构、开路测试结构、直通测试结构、短路测试结构分别进行散射参数测试;将直通测试结构中的互连线划分成几个相邻的互连线单元,对互连线单元建立电路单元的拓扑结构和级联模型,计算直通互连线单元、输入互连线单元、输出互连线单元的散射参数;获取短路测试结构中接地互连线和接地通孔的散射参数;将器件测试结构的测试散射参数去除焊盘、输入互连线单元、输出互连线单元、器件接地互连线以及接地通孔的散射参数,得到待测器件的散射参数。本发明结构简单、高精度并具有可缩放性,可以实现传统技术必须依靠复杂结构或不同方式才能分别实现的性能。

    硅基在片变压器器件的等效电路模型参数的提取方法

    公开(公告)号:CN102426621A

    公开(公告)日:2012-04-25

    申请号:CN201110357848.6

    申请日:2011-11-11

    Abstract: 本发明是关于硅基在片变压器器件的等效电路模型参数提取的一种新型解析算法。这种方法是根据测量的S-参数,利用特征函数的解析法提取在片变压器等效电路模型中各元件参数值。本发明解决了传统的迭代和拟合方法中所无法从根本上避免的多值性和非最佳解等问题。本发明利用所发现的一组特性函数,根据特性函数在整个频率段内所遵循的线性规律,直接利用线性系数来求解变压器等效电路模型的各个元件参数。这种方法是根据特征函数所反映的线性规律,最大程度上反映了特定等效电路在整个频率区间的属性。从而所求得的参数,即使不借助于曲线拟合,也可以实现高精确度的仿真。

    一种单芯片实现多通道超高速无线通信的系统

    公开(公告)号:CN210075226U

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201920989149.5

    申请日:2019-06-28

    Abstract: 本实用新型公开了一种单芯片实现多通道超高速无线通信的系统,采用2个及以上发射通道、2个及以上接收通道,采用320MHz及以上单信道带宽,256QAM及以上调制方式,结合抗干扰电路,并利用单芯片实现超高速无线通信的方法及系统。所述通信系统由接收机、发射机、数字基带、大于或等于2根天线以及大于或等于2个开关组成,接收机包含大于或等于2个接收通道,发射机包括大于或等于2个发射通道。所述通信系统可以实现高单通道信道带宽,充分利用有限的频谱资源,提高频谱利用率及用户连接数量。

Patent Agency Ranking