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公开(公告)号：CN104387081A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410656153.1
申请日：2014-11-18
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及透明氮氧化铝(AlON)陶瓷的低温制备方法。该方法由硝酸铝溶液和悬浮有碳颗粒的碳酸铵溶液通过化学共沉淀反应制备碳酸铝铵/炭（AACH/C）前驱体，再在流动氮气气氛下通过碳热还原氮化反应合成AlON粉体，成型后在烧结助剂的帮助下氮气气氛下无压烧结得到AlON透明陶瓷。本发明采用无压烧结方法可在在较低的烧结温度和较短的保温时间下就得到了AlON透明陶瓷，相对密度达到理论密度的99%以上，2mm厚的样品透过率达到60%左右，性能优良，适合用作高温窗口材料和罩体材料，且生产成本较低，对生产设备的要求相对较低，适合工业化推广。
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公开(公告)号：CN102382654B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110272491.1
申请日：2011-09-15
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/85
Abstract: 本发明涉及一种以纯六方相NaYF4为基质，掺杂Yb3+、Er3+离子的上转换荧光纳米晶的制备方法，属荧光纳米材料制备技术领域。本发明的目的在于发展一种上转换荧光材料纯六方相NaYF4:Yb3+/Er3+纳米晶的溶剂热制备方法,该方法基本特点是以油酸等有机溶剂作为反应溶剂，以氟化氨，乙醇钠，硝酸钇，硝酸铒，硝酸镱为原料，在聚四氟乙烯反应釜中于200℃/24h条件进行溶剂热处理自然冷却后，所得产物经离心分离后用去离子水和乙醇交替洗涤3次，制备出单一纯六方相的NaYF4:Yb/Er纳米晶颗粒，其颗粒平均直径为80~100nm，平均长度为150~200nm，在980nm激发下表现出很强的上转换荧光特性，其主发射峰位于519nm，538nm，652nm。
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公开(公告)号：CN102504818A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110337866.8
申请日：2011-11-01
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 本发明涉及一种Ce3+掺杂铝酸镥(Lu3Al5O12)多晶发光薄膜的制备方法，属稀土化合物发光薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的特点是以氯化镥、硝酸铝、硝酸铈、无水乙醇为原料，以柠檬酸为络合剂、聚乙二醇为交联剂，采用Pechini溶胶凝胶法结合选旋涂工艺制备Ce3+离子掺杂的铝酸镥（LuAG：Ce3+）多晶发光薄膜。本发明方法的优点是合成温度低、掺杂均匀、设备价格低以及制备工艺简单，制得的薄膜表面光滑平整、无裂纹且具有良好的显微结构和光学性能。
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公开(公告)号：CN102093892A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201110048219.5
申请日：2011-03-01
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明一种采用多元溶剂热法制备稀土掺杂氟化镧发光空心纳米粉体的方法，属稀土离子掺杂发光纳米粉体制备工艺技术领域。本发明的要点是：通过配制稀土金硝酸盐的多元机型溶液，即配制去离子水、乙二醇和油酸混合极性溶剂，其三者的摩尔比为1:3:1；而其按化学分子式La1-xRExF3的化学计量比称取稀土氧化物，即氧化镧和氧化铽、氧化铕或氧化钕中任一种；其中x=0.01-0.1;将其溶于硝酸中得稀土硝酸盐混合物；然后将多元极性溶液加入其中，然后再向其中滴入氟化铵溶液，得前驱体悬浊液，随后置于高压釜内进行溶剂热处理反应，通过前驱稀土氟化物的溶解-再结晶过程生成氟化镧发光空心纳米粉体。经测试该粉体具有良好荧光特征光谱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102061170A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010616306.1
申请日：2010-12-31
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 本发明涉及到一种稀土离子掺杂镥铝石榴石发光薄膜的制备方法，属无机发光薄膜材料制备工艺技术领域。该发光薄膜可应用于医学成像等领域。本发明方法的主要过程是：首先以柠檬酸络合剂、以聚乙二醇为交朕剂，用硝酸镥、硝酸铝和稀土硝酸盐为原料，配制成硝酸盐的混合溶液。用磁力搅拌器进行搅拌，使其反应，然后过滤，得到溶胶；将溶胶滴在衬底材料单晶硅片表面，用旋涂法涂覆得到均匀薄膜，然后于800~1100℃下锻烧2h，最终得到稀土离子掺杂的镥铝石榴石发光薄膜。本发明中的发光薄膜的化学分子式为：Lu3(1-x)Al5O12:XRe，Re为Tb或Eu稀土元素，X为摩尔分数，且0
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公开(公告)号：CN101798508A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010117595.0
申请日：2010-03-04
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明涉及一种加快Eu3+离子掺杂的Lu2O3发光薄膜发光衰减的方法，属发光薄膜材料技术领域。本发明采用Pechini溶胶-凝胶法，将LuCl3·6H2O粉末加入到无水乙醇中，加入聚乙二醇、柠檬酸及少量水搅拌后得到透明的溶胶，加入Eu(NO3)3溶液及共掺的Pr(NO3)3溶液到溶胶中搅拌后得到前驱物溶胶；用匀胶机使前驱物溶胶均匀地涂覆在单晶硅基片上，用烤胶机热处理；重复旋涂和热处理后，将旋涂过的硅片煅烧就能制备出共掺的Lu2O3薄膜。本发明通过在Lu2O3:5mol％Eu薄膜中共掺杂Pr3+的方法，加快了它的发光衰减，降低了它的余辉。通过组分比优化，得出在Lu2O3:5mol％Eu薄膜中共掺杂0.1mol％的Pr3+是一个较优的选择，为该系统闪烁薄膜的应用打下了良好的基础。
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公开(公告)号：CN101376520B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810200290.9
申请日：2008-09-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种采用有机化合物辅助低温制备Ce3+掺杂硅酸镥发光粉体的方法，属稀土化合物发光粉体制备工艺技术领域。本发明的特点是：以三氯化镥(LuCl3)，正硅酸乙酯(TEOS)为原料，以环氧丙烷(PPO)为反应助剂，经适当的液相反应得到前驱沉淀物，随后在900-1300℃下进行煅烧处理，并在该温度下保温2-6小时，最终得到Ce3+掺杂硅酸镥发光粉体。所得的粉体粒径为200纳米左右，颗粒分布均匀，并且基本无团聚。本发明方法在较低温度1000℃下煅烧2小时候即可获得单相的硅酸镥(LSO)粉体。本发明方法所制得的Ce：LSO发光粉体可用于闪烁体探测器中的闪烁晶体生长，可用于闪烁陶瓷材料的制备，也可单独用作发光粉体。
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公开(公告)号：CN101376520A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810200290.9
申请日：2008-09-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种采用有机化合物辅助低温制备Ce3+掺杂硅酸镥发光粉体的方法，属稀土化合物发光粉体制备工艺技术领域。本发明的特点是：以三氯化镥(LuCl3)，正硅酸乙酯(TEOS)为原料，以环氧丙烷(PPO)为反应助剂，经适当的液相反应得到前驱沉淀物，随后在900－1300℃下进行煅烧处理，并在该温度下保温2－6小时，最终得到Ce3+掺杂硅酸镥发光粉体。所得的粉体粒径为200纳米左右，颗粒分布均匀，并且基本无团聚。本发明方法在较低温度1000℃下煅烧2小时候即可获得单相的硅酸镥(LSO)粉体。本发明方法所制得的Ce:LSO发光粉体可用于闪烁体探测器中的闪烁晶体生长，可用于闪烁陶瓷材料的制备，也可单独用作发光粉体。
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公开(公告)号：CN115124343A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210617317.4
申请日：2022-06-01
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/505 , C04B35/488 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01J37/32 , H01J37/305
Abstract: 本发明公开了一种氧化锆固溶氧化钇陶瓷、其制备方法及其应用，氧化锆‑氧化钇摩尔组分如下：氧化钇：50～95mol％，氧化锆：5～50mol％。该陶瓷材料制备方法步骤如下：按照陶瓷的摩尔百分含量称量氧化钇粉体和氧化锆粉体作为起始原料，加入无水乙醇，进行球磨混合得到浆料；再将浆料干燥处理，然后在玛瑙研钵研磨，并过筛网得到氧化钇‑氧化锆混合粉体，将混合粉体在刚模中干压成型并随后冷等静压处理，得到陶瓷素坯；将陶瓷素坯进行烧结，得到氧化钇‑氧化锆陶瓷。本方法工艺简单、生产周期短、生产效率高，制备的氧化锆固溶氧化钇陶瓷相较于氧化钇陶瓷的力学性能有了明显提升，并且耐等离子体侵蚀性能优异，本发明陶瓷适合应用于制备半导体刻蚀腔室部件。
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